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离散半导体产品（（2909）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT）） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
RN1109,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1109，LXHF（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN1109 100兆 SSM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 250 MHz 47科姆斯 22 KOHMS
RN1301,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1301，LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 RN1301 100兆 SC-70 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 30 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯 4.7科姆斯
SSM3K15ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15ACT，L3F 0.3400
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-101，SOT-883 SSM3K15 MOSFET （金属 o化物） CST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道 30 V （100mA）（TA） 2.5V，4V 3.6OHM @ 10mA，4V 1.5V @ 100µA ±20V 13.5 pf @ 3 V - 100mW（TA）
RN4990(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4990 （T5L，F，T） -
RFQ
 ECAD 4976 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN4990 200MW US6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100µA（ICBO） 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 250MHz，200MHz 4.7kohms -
TRS2E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS2E65H，S1Q 1.5500
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC （碳化硅） TO-220-2L - rohs3符合条件 （1 （无限） 264-TRS2E65H，S1Q Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.35 V @ 2 A 0 ns 40 µA @ 650 V 175°C 2a 135pf @ 1V，1MHz
TK430A60F,S4X(S Toshiba Semiconductor and Storage tk430a60f，s4x（s -
RFQ
 ECAD 5192 0.00000000 东芝半导体和存储 u-mosix 大部分 积极的 150°C 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 600 v 13A（TA） 10V 430mohm @ 6.5a，10v 4V @ 1.75mA 48 NC @ 10 V ±30V 1940 pf @ 300 V - 45W（TC）
2SC2229-Y(MIT1,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-y（米特1，f，m -
RFQ
 ECAD 1503 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC2229 800兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 mA 100NA（ICBO） NPN 500mv @ 1mA，10mA 70 @ 10mA，5V 120MHz
TK31J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK31J60W，S1VQ 9.3800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 TK31J60 MOSFET （金属 o化物） to-3p n（n） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 25 n通道 600 v 30.8A（TA） 10V 88mohm @ 15.4a，10v 3.7V @ 1.5mA 86 NC @ 10 V ±30V 3000 PF @ 300 V - 230W（TC）
SSM6N37FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N37FE，LM 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6N37 MOSFET （金属 o化物） 150MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 2 n 通道（双） 20V 250mA 2.2OHM @ 100mA，4.5V 1V @ 1mA - 12pf @ 10V 逻辑级别门
SSM3J378R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J378R，LF 0.3800
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SOT-23-3平线 SSM3J378 MOSFET （金属 o化物） SOT-23F - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 6a（6a） 1.5V，4.5V 29.8mohm @ 3A，4.5V 1V @ 1mA 12.8 NC @ 4.5 V +6V，-8V 840 pf @ 10 V - 1W（ta）
RN2416,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2416，LF 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN2416 200兆 S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 200 MHz 4.7科姆斯 10 kohms
HN1D01FU,LF(T Toshiba Semiconductor and Storage hn1d01fu，lf（t 0.4600
RFQ
 ECAD 137 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 HN1D01 标准 US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 2对公共阳极 80 V 100mA 1.2 V @ 100 ma 4 ns 500 NA @ 80 V 125°c （最大）
HN4D01JU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4D01JU（TE85L，F） 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 HN4D01 标准 5-SSOP 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 1对公共阳极 80 V 100mA 1.2 V @ 100 ma 1.6 ns 500 NA @ 80 V 150°C （最大）
TRS2E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS2E65F，S1Q 1.0500
RFQ
 ECAD 1763年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 TRS2E65 SIC （碳化硅） TO-220-2L - Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.6 V @ 2 A 0 ns 20 µA @ 650 V 175°c （最大） 2a 8.7pf @ 650V，1MHz
1SS401(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS401（te85l，f） 0.2700
RFQ
 ECAD 635 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 1SS401 肖特基 SC-70 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 20 v 450 mv @ 300 mA 50 µA @ 20 V 125°c （最大） 300mA 46pf @ 0v，1MHz
CRZ18(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ18（TE85L，Q） -
RFQ
 ECAD 4043 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 ±10％ -40°C〜150°C 表面安装 SOD-123F CRZ18 700兆 S-Flat（1.6x3.5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 MA 10 µA @ 13 V 18 V 30欧姆
RN1701,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1701，LF 0.3000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 RN1701 200MW USV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 30 @ 10mA，5V 250MHz 4.7kohms 4.7kohms
RN2701,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2701，LF 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 RN2701 200MW USV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 30 @ 10mA，5V 200MHz 4.7kohms 4.7kohms
RN4981,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4981，LXHF（ct 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN4981 200MW US6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 30 @ 10mA，5V 250MHz，200MHz 4.7kohms 4.7kohms
TK5P50D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK5P50D（t6rss-Q） 1.2900
RFQ
 ECAD 8949 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TK5P50 MOSFET （金属 o化物） D-pak 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 500 v 5A（5A） 10V 1.5OHM @ 2.5A，10V 4.4V @ 1mA 11 NC @ 10 V ±30V 490 pf @ 25 V - 80W（TC）
TK25V60X,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK25V60X，LQ 2.5193
RFQ
 ECAD 9782 0.00000000 东芝半导体和存储 DTMOSIV-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 4-VSFN暴露垫 TK25V60 MOSFET （金属 o化物） 4-DFN-EP（8x8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） TK25V60XLQ Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 25A（TA） 10V 135mohm @ 7.5A，10V 3.5V @ 1.2mA 40 NC @ 10 V ±30V 2400 PF @ 300 V - 180W（TC）
TK190A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK190A65Z，S4X 3.0000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosvi 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-220-3完整包 TK190A65 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 15A（TA） 10V 190MOHM @ 7.5A，10V 4V @ 610µA 25 NC @ 10 V ±30V 1370 pf @ 300 V - 40W（TC）
2SA1428-O,T2CLAF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1428-O，T2CLAF（j（ -
RFQ
 ECAD 6034 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 SC-71 2SA1428 900兆 MSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 50 V 2 a 1µA（ICBO） PNP 500mv @ 50mA，1a 70 @ 500mA，2V 100MHz
RN1703JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1703JE（TE85L，F） 0.4700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-553 RN1703 100MW ESV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2（NPN- 预偏（双重）（）（） 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 250MHz 22KOHMS 22KOHMS
2SC2235-Y,T6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y，T6KeHF（m -
RFQ
 ECAD 6525 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC2235 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA（ICBO） NPN 1V @ 50mA，500mA 80 @ 100mA，5V 120MHz
2SJ305TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ305TE85LF 0.5400
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SJ305 MOSFET （金属 o化物） SC-59 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 30 V 200ma（ta） 2.5V 4ohm @ 50mA，2.5V - ±20V 92 pf @ 3 V - 200mw（ta）
RN1314,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1314，LF 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 RN1314 100兆 USM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 250 MHz 1 kohms 10 kohms
TK16A60W5,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK16A60W5，S4VX 2.9700
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK16A60 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 15.8A（TA） 10V 190mohm @ 7.9a，10v 3.7V @ 1.5mA 43 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 V - 40W（TC）
RN1112,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1112，LXHF（ct 0.0624
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN1112 100兆 SSM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 250 MHz 22 KOHMS
SSM3K17FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K17FU，LF 0.3300
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 东芝半导体和存储 π-MOSV 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 SSM3K17 MOSFET （金属 o化物） USM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 50 V （100mA）（TA） 2.5V，4V 20ohm @ 10mA，4V 1.5V @ 1µA ±7V 7 pf @ 3 V - 150MW（TA）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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