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离散半导体产品（（2909）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
1SS306TE85LF	0.4400	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-61AA	1SS306	标准		SC-61B	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												2独立	200 v	100mA	1.2 V @ 100 ma	60 ns	1 µA @ 200 V	125°c （最大）
XPQR3004PB，LXHQ	6.7900	RFQ	2	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101，U-MOSIX-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C	表面安装	8-Powerbsfn	XPQR3004	MOSFET （金属 o化物）		L-TOGL™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道	40 V	400a（TA）	6V，10V	0.3MOHM @ 200a，10v	3V @ 1mA	295 NC @ 10 V	±20V	26910 PF @ 10 V	-	750W（TC）
TRS4E65F，S1Q	2.3700	RFQ	174	东芝半导体和存储	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-2	TRS4E65	SIC （碳化硅）		TO-220-2L	-				Ear99	8541.10.0080	50		没有恢复t> 500mA（IO）													650 v		1.6 V @ 4 A	0 ns	20 µA @ 650 V	175°c （最大）	4a	16pf @ 650V，1MHz
SSM6J412TU，LF	0.3700	RFQ	5	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6J412	MOSFET （金属 o化物）		UF6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道	20 v	4A（ta）	1.5V，4.5V	42.7MOHM @ 3A，4.5V	1V @ 1mA	12.8 NC @ 4.5 V	±8V	840 pf @ 10 V	-	1W（ta）
RN1305，LXHF	0.3900	RFQ	6080	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	RN1305		100兆	SC-70	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																							50 V	100 ma	500NA			npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
CMF03（TE12L，Q，M）	0.5300	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-128	CMF03	标准		M-Flat（2.4x3.8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													900 v		2.5 V @ 500 mA	100 ns	50 µA @ 900 V	-40°C〜125°C	500mA	-
RN1113，LXHF（ct	0.0618	RFQ	7774	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416	RN1113		100兆	SSM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																							50 V	100 ma	100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	250 MHz	47科姆斯
TPN13008NH，L1Q	1.0600	RFQ	656	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPN13008	MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.1x3.1）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道	80 V	18A（TC）	10V	13.3mohm @ 9a，10v	4V @ 200µA	18 nc @ 10 V	±20V	1600 PF @ 40 V	-	700MW（TA），42W（TC）
SSM3J135TU，LF	0.3700	RFQ	20	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	3-SMD，平坦的铅	SSM3J135	MOSFET （金属 o化物）		UFM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道	20 v	3A（3A）	1.5V，4.5V	103MOHM @ 1A，4.5V	1V @ 1mA	4.6 NC @ 4.5 V	±8V	270 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
TRS24N65FB，S1F（s	-	RFQ	9125	东芝半导体和存储	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-3	TRS24N65	SIC （碳化硅）		TO-247	-	Rohs符合条件	（1 （无限）	trs24n65fbs1f（s	Ear99	8541.10.0080	30		没有恢复t> 500mA（IO）												1对普通阴极	650 v	12A（DC）	1.7 V @ 12 A	0 ns	90 µA @ 650 V	175°c （最大）
2SK4021（Q）	-	RFQ	5729	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	2SK4021	MOSFET （金属 o化物）		PW-mold2	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	200			n通道	250 v	4.5A（ta）	10V	1欧姆 @ 2.5A，10V	3.5V @ 1mA	10 NC @ 10 V	±20V	440 pf @ 10 V	-	20W（TC）
SSM6L35FU（TE85L，F）	0.4000	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SSM6L35	MOSFET （金属 o化物）	200MW	US6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道			20V	180mA，100mA		3ohm @ 50mA，4V	1V @ 1mA	-		9.5pf @ 3V	逻辑级别门，1.2V驱动器
SSM3J15CT（TPL3）	-	RFQ	1272	东芝半导体和存储	π-mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	SSM3J15	MOSFET （金属 o化物）		CST3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	10,000			P通道	30 V	（100mA）（TA）	2.5V，4V	12ohm @ 10mA，4V	-		±20V	9.1 PF @ 3 V	-	100mW（TA）
TPH2R003PL，LQ	0.9100	RFQ	12	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C	表面安装	8-Powervdfn	TPH2R003	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	30 V	100A（TC）	4.5V，10V	2mohm @ 50a，10v	2.1V @ 500µA	86 NC @ 10 V	±20V	6410 PF @ 15 V	-	830MW（TA），116W（tc）
RN1301，LXHF	0.3900	RFQ	11	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	RN1301		100兆	SC-70	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																							50 V	100 ma	500NA			npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	30 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
SSM3K15ACT，L3F	0.3400	RFQ	32	东芝半导体和存储	U-Mosiii	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	SSM3K15	MOSFET （金属 o化物）		CST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	10,000			n通道	30 V	（100mA）（TA）	2.5V，4V	3.6OHM @ 10mA，4V	1.5V @ 100µA		±20V	13.5 pf @ 3 V	-	100mW（TA）
RN4990 （T5L，F，T）	-	RFQ	4976	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN4990		200MW	US6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																							50V	100mA	100µA（ICBO）			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	250MHz，200MHz	4.7kohms	-
TRS2E65H，S1Q	1.5500	RFQ	300	东芝半导体和存储	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-2		SIC （碳化硅）		TO-220-2L	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	264-TRS2E65H，S1Q	Ear99	8541.10.0080	50		没有恢复t> 500mA（IO）													650 v		1.35 V @ 2 A	0 ns	40 µA @ 650 V	175°C	2a	135pf @ 1V，1MHz
tk430a60f，s4x（s	-	RFQ	5192	东芝半导体和存储	u-mosix	大部分	积极的		150°C	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载				Ear99	8541.29.0095	1			n通道	600 v	13A（TA）	10V	430mohm @ 6.5a，10v	4V @ 1.75mA	48 NC @ 10 V	±30V	1940 pf @ 300 V	-	45W（TC）
2SC2229-y（米特1，f，m	-	RFQ	1503	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2229		800兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																							150 v	50 mA	100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 1mA，10mA	70 @ 10mA，5V	120MHz
TK31J60W，S1VQ	9.3800	RFQ	15	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	TK31J60	MOSFET （金属 o化物）		to-3p n（n）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	25			n通道	600 v	30.8A（TA）	10V	88mohm @ 15.4a，10v	3.7V @ 1.5mA	86 NC @ 10 V	±30V	3000 PF @ 300 V	-	230W（TC）
SSM6N37FE，LM	0.3500	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SSM6N37	MOSFET （金属 o化物）	150MW	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000	2 n 通道（双）			20V	250mA		2.2OHM @ 100mA，4.5V	1V @ 1mA	-		12pf @ 10V	逻辑级别门
SSM3J378R，LF	0.3800	RFQ	46	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	SOT-23-3平线	SSM3J378	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23F	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道	20 v	6a（6a）	1.5V，4.5V	29.8mohm @ 3A，4.5V	1V @ 1mA	12.8 NC @ 4.5 V	+6V，-8V	840 pf @ 10 V	-	1W（ta）
RN2416，LF	0.1800	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN2416		200兆	S-Mini	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																							50 V	100 ma	500NA			pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯	10 kohms
hn1d01fu，lf（t	0.4600	RFQ	137	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	HN1D01	标准		US6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												2对公共阳极	80 V	100mA	1.2 V @ 100 ma	4 ns	500 NA @ 80 V	125°c （最大）
HN4D01JU（TE85L，F）	0.4100	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353	HN4D01	标准		5-SSOP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												1对公共阳极	80 V	100mA	1.2 V @ 100 ma	1.6 ns	500 NA @ 80 V	150°C （最大）
TRS2E65F，S1Q	1.0500	RFQ	1763年	东芝半导体和存储	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-2	TRS2E65	SIC （碳化硅）		TO-220-2L	-				Ear99	8541.10.0080	50		没有恢复t> 500mA（IO）													650 v		1.6 V @ 2 A	0 ns	20 µA @ 650 V	175°c （最大）	2a	8.7pf @ 650V，1MHz
1SS401（te85l，f）	0.2700	RFQ	635	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	1SS401	肖特基		SC-70	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													20 v		450 mv @ 300 mA		50 µA @ 20 V	125°c （最大）	300mA	46pf @ 0v，1MHz
CRZ18（TE85L，Q）	-	RFQ	4043	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±10％	-40°C〜150°C	表面安装	SOD-123F	CRZ18		700兆	S-Flat（1.6x3.5）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.10.0050	3,000																	1 V @ 200 MA		10 µA @ 13 V							18 V	30欧姆
RN1701，LF	0.3000	RFQ	6	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353	RN1701		200MW	USV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																							50V	100mA	500NA			2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	30 @ 10mA，5V	250MHz	4.7kohms	4.7kohms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2909）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²