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离散半导体产品（（2909）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT）） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2） 噪声图（ db typ @ f）
RN1507(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1507（TE85L，F） 0.3500
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-74A，SOT-753 RN1507 300MW SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 10KOHMS 47kohms
2SC2229-Y(MIT1,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-y（米特1，f，m -
RFQ
 ECAD 1503 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC2229 800兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 mA 100NA（ICBO） NPN 500mv @ 1mA，10mA 70 @ 10mA，5V 120MHz
TK31J60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK31J60W，S1VQ 9.3800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 TK31J60 MOSFET （金属 o化物） to-3p n（n） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 25 n通道 600 v 30.8A（TA） 10V 88mohm @ 15.4a，10v 3.7V @ 1.5mA 86 NC @ 10 V ±30V 3000 PF @ 300 V - 230W（TC）
RN2416,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2416，LF 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN2416 200兆 S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 200 MHz 4.7科姆斯 10 kohms
SSM6N37FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N37FE，LM 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6N37 MOSFET （金属 o化物） 150MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 2 n 通道（双） 20V 250mA 2.2OHM @ 100mA，4.5V 1V @ 1mA - 12pf @ 10V 逻辑级别门
SSM3J378R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J378R，LF 0.3800
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SOT-23-3平线 SSM3J378 MOSFET （金属 o化物） SOT-23F - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 6a（6a） 1.5V，4.5V 29.8mohm @ 3A，4.5V 1V @ 1mA 12.8 NC @ 4.5 V +6V，-8V 840 pf @ 10 V - 1W（ta）
HN1D01FU,LF(T Toshiba Semiconductor and Storage hn1d01fu，lf（t 0.4600
RFQ
 ECAD 137 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 HN1D01 标准 US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 2对公共阳极 80 V 100mA 1.2 V @ 100 ma 4 ns 500 NA @ 80 V 125°c （最大）
TRS2E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS2E65F，S1Q 1.0500
RFQ
 ECAD 1763年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 TRS2E65 SIC （碳化硅） TO-220-2L - Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.6 V @ 2 A 0 ns 20 µA @ 650 V 175°c （最大） 2a 8.7pf @ 650V，1MHz
CRZ18(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ18（TE85L，Q） -
RFQ
 ECAD 4043 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 ±10％ -40°C〜150°C 表面安装 SOD-123F CRZ18 700兆 S-Flat（1.6x3.5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 MA 10 µA @ 13 V 18 V 30欧姆
HN4D01JU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4D01JU（TE85L，F） 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 HN4D01 标准 5-SSOP 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 1对公共阳极 80 V 100mA 1.2 V @ 100 ma 1.6 ns 500 NA @ 80 V 150°C （最大）
TK25V60X,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK25V60X，LQ 2.5193
RFQ
 ECAD 9782 0.00000000 东芝半导体和存储 DTMOSIV-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 4-VSFN暴露垫 TK25V60 MOSFET （金属 o化物） 4-DFN-EP（8x8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） TK25V60XLQ Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 25A（TA） 10V 135mohm @ 7.5A，10V 3.5V @ 1.2mA 40 NC @ 10 V ±30V 2400 PF @ 300 V - 180W（TC）
TK190A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK190A65Z，S4X 3.0000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosvi 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-220-3完整包 TK190A65 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 15A（TA） 10V 190MOHM @ 7.5A，10V 4V @ 610µA 25 NC @ 10 V ±30V 1370 pf @ 300 V - 40W（TC）
TK5P50D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK5P50D（t6rss-Q） 1.2900
RFQ
 ECAD 8949 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TK5P50 MOSFET （金属 o化物） D-pak 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 500 v 5A（5A） 10V 1.5OHM @ 2.5A，10V 4.4V @ 1mA 11 NC @ 10 V ±30V 490 pf @ 25 V - 80W（TC）
RN4981,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4981，LXHF（ct 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN4981 200MW US6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 30 @ 10mA，5V 250MHz，200MHz 4.7kohms 4.7kohms
RN2701,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2701，LF 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 RN2701 200MW USV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 30 @ 10mA，5V 200MHz 4.7kohms 4.7kohms
TPC6109-H(TE85L,FM Toshiba Semiconductor and Storage tpc6109-h（TE85L，FM -
RFQ
 ECAD 6133 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii-H 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 TPC6109 MOSFET （金属 o化物） VS-6（2.9x2.8） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 30 V 5A（5A） 4.5V，10V 59mohm @ 2.5a，10v 1.2V @ 200µA 12.3 NC @ 10 V ±20V 490 pf @ 10 V - 700MW（TA）
MT3S111P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S111P（TE12L，F） 0.3863
RFQ
 ECAD 3458 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA MT3S111 1W PW-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1,000 10.5db 6V 100mA NPN 200 @ 30mA，5v 8GHz 1.25db @ 1GHz
CRS12(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS12 （TE85L，Q，M） 0.4900
RFQ
 ECAD 5854 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOD-123F CRS12 肖特基 S-Flat（1.6x3.5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 60 V 580 mv @ 1 a 100 µA @ 60 V -40°C〜150°C 1a -
SSM6N62TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N62TU，LF 0.4200
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6N62 MOSFET （金属 o化物） 500MW（TA） UF6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 20V 800mA（ta） 85MOHM @ 800mA，4.5V 1V @ 1mA 2NC @ 4.5V 177pf @ 10V 逻辑级别门，1.2V驱动器
TK11S10N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK11S10N1L，LQ 0.9400
RFQ
 ECAD 6545 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TK1110 MOSFET （金属 o化物） DPAK+ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 100 v 11a（11a） 4.5V，10V 28mohm @ 5.5a，10v 2.5V @ 100µA 15 NC @ 10 V ±20V 850 pf @ 10 V - 65W（TC）
2SD2695(T6CANO,A,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695（t6cano，A，f -
RFQ
 ECAD 9225 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SD2695 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 60 V 2 a 10µA（ICBO） NPN 1.5V @ 1mA，1a 2000 @ 1A，2V 100MHz
TK190E65Z,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK190E65Z，S1X 2.7800
RFQ
 ECAD 156 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 15A（TA） 10V 190MOHM @ 7.5A，10V 4V @ 610µA 25 NC @ 10 V ±30V 1370 pf @ 300 V - 130W（TC）
RN4981FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4981FE，LXHF（ct 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN4981 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 30 @ 10mA，5V 250MHz，200MHz 4.7kohms 4.7kohms
TPH1R204PB,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R204PB，L1Q 1.5500
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosix-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 8-Powervdfn TPH1R204 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 40 V 150a（TC） 6V，10V 1.2MOHM @ 50a，10v 3V @ 500µA 62 NC @ 10 V ±20V 5855 pf @ 20 V - （960MW）（TA），132W（tc）
RN2101CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2101CT（tpl3） -
RFQ
 ECAD 5357 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 SC-101，SOT-883 RN2101 50兆 CST3 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 20 v 50 mA 500NA pnp-预先偏见 150mv @ 250µA，5mA 30 @ 10mA，5V 4.7科姆斯 4.7科姆斯
SSM6P39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P39TU，LF 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6P39 MOSFET （金属 o化物） 500MW（TA） UF6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 20V 1.5A（TA） 213MOHM @ 1A，4V 1V @ 1mA 6.4NC @ 4V 250pf @ 10V 逻辑水平门，1.8V
RN49A1(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN49A1（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 3359 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN49A1 200MW US6 - （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz，250MHz 2.2KOHM，22KOHM 47kohms
RN2416,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2416，LXHF 0.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN2416 200兆 S-Mini 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 200 MHz 4.7科姆斯 10 kohms
RN2309(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2309（TE85L，F） 0.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 RN2309 100兆 SC-70 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 200 MHz 47科姆斯 22 KOHMS
TRS2E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS2E65H，S1Q 1.5500
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC （碳化硅） TO-220-2L - rohs3符合条件 （1 （无限） 264-TRS2E65H，S1Q Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.35 V @ 2 A 0 ns 40 µA @ 650 V 175°C 2a 135pf @ 1V，1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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196-LFBGA裸露的垫子

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