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离散半导体产品（（2909）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT）） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
SSM3K15ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15ACT，L3F 0.3400
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-101，SOT-883 SSM3K15 MOSFET （金属 o化物） CST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道 30 V （100mA）（TA） 2.5V，4V 3.6OHM @ 10mA，4V 1.5V @ 100µA ±20V 13.5 pf @ 3 V - 100mW（TA）
TPH2R003PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R003PL，LQ 0.9100
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosix-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 8-Powervdfn TPH2R003 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 100A（TC） 4.5V，10V 2mohm @ 50a，10v 2.1V @ 500µA 86 NC @ 10 V ±20V 6410 PF @ 15 V - 830MW（TA），116W（tc）
RN1301,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1301，LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 RN1301 100兆 SC-70 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 30 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯 4.7科姆斯
SSM3K15ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15ACT（TPL3） 0.0672
RFQ
 ECAD 1826年 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-101，SOT-883 SSM3K15 MOSFET （金属 o化物） CST3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道 30 V （100mA）（TA） 2.5V，4V 3.6OHM @ 10mA，4V 1.5V @ 100µA ±20V 13.5 pf @ 3 V - 100mW（TA）
TK4R3A06PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK4R3A06PL，S4X 1.3300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosix-H 管子 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK4R3A06 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 68A（TC） 4.5V，10V 7.2MOHM @ 15A，4.5V 2.5V @ 500µA 48.2 NC @ 10 V ±20V 3280 pf @ 30 V - 36W（TC）
RN4602TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN4602TE85LF 0.3800
RFQ
 ECAD 1144 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-74，SOT-457 RN4602 300MW SM6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 200MHz 10KOHMS 10KOHMS
CMZ15(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ15（te12l，Q，m） 0.5400
RFQ
 ECAD 4730 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±10％ -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 SOD-128 CMZ15 2 w M-Flat（2.4x3.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 10 V 15 v 30欧姆
RN2131MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2131MFV，L3F 0.1800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 活跃 表面安装 SOT-723 RN2131 150兆 VESM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 120 @ 1mA，5V 100 kohms
RN2911FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2911FE，LXHF（ct 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN2911 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 200MHz 10KOHMS -
TK560P60Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK560P60Y，RQ 1.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 DTMOSV 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TK560P60 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 600 v 7A（TC） 10V 560MOHM @ 3.5A，10V 4V @ 240µA 14.5 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 300 V - 60W（TC）
2SK2993(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2993（TE24L，Q） -
RFQ
 ECAD 9210 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 2SK2993 MOSFET （金属 o化物） TO-220SM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 250 v 20A（TA） 10V 105mohm @ 10a，10v 3.5V @ 1mA 100 nc @ 10 V ±20V 4000 pf @ 10 V - 100W（TC）
2SA1931(NOMARK,A,Q Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931 nomark，A，Q -
RFQ
 ECAD 9650 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SA1931 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 1 50 V 5 a 1µA（ICBO） PNP 400mv @ 200mA，2a 100 @ 1A，1V 60MHz
TK7R0E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK7R0E08QM，S1X 1.4500
RFQ
 ECAD 172 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSX-H 管子 积极的 175°C 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 80 V 64A（TC） 6V，10V 7mohm @ 32a，10v 3.5V @ 500µA 39 NC @ 10 V ±20V 2700 PF @ 40 V - 87W（TC）
SSM6K204FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K204FE，LF 0.5400
RFQ
 ECAD 4982 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6K204 MOSFET （金属 o化物） ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 n通道 20 v 2A（TA） 1.5V，4V 126mohm @ 1A，4V 1V @ 1mA 3.4 NC @ 10 V ±10V 195 pf @ 10 V - 500MW（TA）
RN1101MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1101MFV，L3XHF（ct 0.3400
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN1101 150兆 VESM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 30 @ 10mA，5V 4.7科姆斯 4.7科姆斯
TK8A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK8A45DA （STA4，Q，m） 1.6400
RFQ
 ECAD 6704 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 - 通过洞 TO-220-3完整包 TK8A45 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 450 v 7.5A（TC） - - - -
RN1302,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1302，LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 222 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 RN1302 100兆 SC-70 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 250 MHz 10 kohms 10 kohms
RN1902FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1902FE，LXHF（ct 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN1902 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 250MHz 10KOHMS 10KOHMS
2SA1020-O,CKF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O，CKF（j -
RFQ
 ECAD 2405 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SA1020 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 50 V 2 a 1µA（ICBO） PNP 500mv @ 50mA，1a 70 @ 500mA，2V 100MHz
TPC8408,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage tpc8408，lq（s 0.4700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TPC8408 MOSFET （金属 o化物） 450MW 8-sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 2,500 n和p通道 40V 6.1a，5.3a 32MOHM @ 3.1A，10V 2.3V @ 100µA 24NC @ 10V 850pf @ 10V 逻辑级别门
TBAT54A,LM Toshiba Semiconductor and Storage TBAT54A，LM 0.2100
RFQ
 ECAD 5743 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TBAT54 肖特基 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 1对公共阳极 30 V 100mA 580 mv @ 100 ma 1.5 ns 2 µA @ 25 V 150°C （最大）
RN2102,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2102，LXHF（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN2102 100兆 SSM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 200 MHz 10 kohms 10 kohms
TDTA143E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA143E，LM 0.1800
RFQ
 ECAD 7152 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TDTA143 320兆W SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，10mA 30 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯
RN4984FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4984FE，LXHF（ct 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN4984 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz，200MHz 47kohms 47kohms
RN1418,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1418，LXHF 0.0645
RFQ
 ECAD 9319 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN1418 200兆 S-Mini 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 250 MHz 47科姆斯 10 kohms
RN4907,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4907，LXHF（ct 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN4907 200MW US6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz，250MHz 10KOHMS 47kohms
TJ90S04M3L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ90S04M3L，LQ 2.2100
RFQ
 ECAD 6460 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） DPAK+ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 264-TJ90S04M3L，LQCT Ear99 8541.29.0095 2,000 P通道 40 V 90A（ta） 4.5V，10V 4.3MOHM @ 45A，10V 2V @ 1mA 172 NC @ 10 V +10V，-20V 7700 PF @ 10 V - 180W（TC）
RN1901,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1901，LF（ct 0.2600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN1901 200MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 30 @ 10mA，5V 250MHz 4.7kohms 1KOHMS
TK35S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK35S04K3L （T6L1，NQ 1.4100
RFQ
 ECAD 5894 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TK35S04 MOSFET （金属 o化物） DPAK+ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 40 V 35A（TA） 6V，10V 10.3MOHM @ 17.5A，10V 3V @ 1mA 28 NC @ 10 V ±20V 1370 pf @ 10 V - 58W（TC）
SSM6N16FE,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N16FE，L3F 0.3700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6N16 MOSFET （金属 o化物） 150MW（TA） ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 2 n 通道（双） 20V （100mA）（TA） 3ohm @ 10mA，4V 1.1V @ 100µA - 9.3pf @ 3V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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