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离散半导体产品（（2909）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
1SV279，H3F	0.4800	RFQ	1082	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	1SV279			ESC键	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.10.0080	4,000																			6.5pf @ 10V，1MHz			单身的	15 v								2.5	C2/C10	-
SSM6L36TU，LF	0.3800	RFQ	14	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6L36	MOSFET （金属 o化物）	500MW（TA）	UF6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道			20V	500mA（ta），330mA（ta）		630mohm @ 200ma，5v，1.31Ohm @ 100mA，4.5V	1V @ 1mA	1.23nc @ 4V，1.2NC @ 4V		46pf @ 10V，43pf @ 10V	逻辑级别门，1.5V
2SA949-Y （T6JVC1，FM	-	RFQ	6789	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA949		800兆	to-92mod	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0075	1																				150 v	50 mA			100NA（ICBO）	PNP	800mv @ 1mA，10a	70 @ 10mA，5V	120MHz
TK16J60W5，S1VQ	5.2000	RFQ	32	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	TK16J60	MOSFET （金属 o化物）		to-3p n（n）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	25			n通道	600 v	15.8A（TA）	10V	230MOHM @ 7.9A，10V	4.5V @ 790µA	43 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 300 V	-	130W（TC）
TK1K2A60F，S4X	1.0400	RFQ	40	东芝半导体和存储	u-mosix	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包	TK1K2A60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	不适用	Ear99	8541.29.0095	50			n通道	600 v	6a（6a）	10V	1.2OHM @ 3A，10V	4V @ 630µA	21 NC @ 10 V	±30V	740 pf @ 300 V	-	35W（TC）
2SK2962，T6WNLF （m	-	RFQ	5951	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SK2962			to-92mod	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	1					1A（TJ）
RN1909，LXHF（ct	0.3500	RFQ	6	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN1909		200MW	US6	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0075	3,000																				50V	100mA			500NA	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	250MHz	47kohms	22KOHMS
RN1970（TE85L，F）	0.4700	RFQ	6	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN1970		200MW	US6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000																				50V	100mA			100NA（ICBO）	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	250MHz	4.7kohms	-
TK9A45D（sta4，Q，m）	1.7100	RFQ	8473	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK9A45	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50			n通道	450 v	9a（9a）	10V	770MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 1mA	16 NC @ 10 V	±30V	800 pf @ 25 V	-	40W（TC）
RN1110 （T5L，F，T）	-	RFQ	5975	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-75，SOT-416	RN1110		100兆	SSM	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	100 ma			100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯
TK14A45D（sta4，Q，m）	3.0300	RFQ	4530	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-220-3完整包	TK14A45	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50			n通道	450 v	14a		340MOHM @ 7A，10V	-				-	-
SSM6N62TU，LXHF	0.4600	RFQ	1	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6N62	MOSFET （金属 o化物）	500MW（TA）	UF6	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			20V	800mA（ta）		85MOHM @ 800mA，4.5V	1V @ 1mA	2NC @ 4.5V		177pf @ 10V	逻辑级别门，1.2V驱动器
TW107N65C，S1F	9.6200	RFQ	96	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	175°C	通过洞	TO-247-3		sicfet （碳化硅）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	30			n通道	650 v	20A（TC）	18V	145mohm @ 10a，18v	5V @ 1.2mA	21 NC @ 18 V	+25V，-10V	600 pf @ 400 V	-	76W（TC）
SSM3K345R，LF	0.4300	RFQ	8	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3平线	SSM3K345	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	20 v	4A（ta）	1.5V，4.5V	33MOHM @ 4A，4.5V	1V @ 1mA	3.6 NC @ 4.5 V	±8V	410 pf @ 10 V	-	1W（ta）
2SC2873-y te12l，ZC	0.4200	RFQ	1	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA			500兆	PW-Mini	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0075	1,000																				50 V	2 a			100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	120MHz
TDTC114Y，LM	0.1800	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TDTC114		320兆W	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	100 ma			500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	79 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms
RN2109，lf（Ct	0.2000	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	RN2109		100兆	SSM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	100 ma			500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	200 MHz	47科姆斯	22 KOHMS
RN4901 （T5L，F，T）	-	RFQ	4562	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN4901		200MW	US6	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000																				50V	100mA			500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	30 @ 10mA，5V	200MHz，250MHz	4.7kohms	4.7kohms
2SA1020-Y，T6KeHF（m	-	RFQ	1707年	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA1020		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0075	1																				50 V	2 a			1µA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
2SA1680（f，m）	-	RFQ	5165	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA1680		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0075	1																				50 V	2 a			1µA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，1a	120 @ 100mA，2V	100MHz
RN2907，LF（ct	0.2700	RFQ	6	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN2907		200MW	US6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0075	3,000																				50V	100mA			500NA	2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz	10KOHMS	47kohms
2SC5201，t6muraf（j	-	RFQ	3172	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC5201		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	1																				600 v	50 mA			1µA（ICBO）	NPN	1V @ 500mA，20mA	100 @ 20mA，5V	-
rn2965fe（te85l，f）	-	RFQ	7583	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SOT-563，SOT-666	RN2965		100MW	ES6	-		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	4,000																				50V	100mA			100NA（ICBO）	2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz	2.2kohms	47kohms
CLS02（T6L，CLAR，Q），Q）	-	RFQ	2894	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		表面安装	l-flat™	CLS02	肖特基		l-flat™（4x5.5）	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												40 V	550 mv @ 10 a	1 mA @ 40 V	-40°C〜125°C	10a	420pf @ 10V，1MHz
TPH3R203NL，L1Q	1.2500	RFQ	18	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPH3R203	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道	30 V	47A（TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 23.5A，10V	2.3V @ 300µA	21 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 15 V	-	1.6W（TA），44W（tc）
TPN2R503NC，L1Q	-	RFQ	1432	东芝半导体和存储	U-Mosviii	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPN2R503	MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.1x3.1）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道	30 V	40a（ta）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 500µA	40 NC @ 10 V	±20V	2230 pf @ 15 V	-	700MW（TA），35W （TC）
2SA1962-O（Q）	-	RFQ	6598	东芝半导体和存储	-	托盘	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	2SA1962		130 w	to-3p n（n）	下载	Rohs符合条件	不适用	Ear99	8541.29.0075	50																				230 v	15 a			5µA（ICBO）	PNP	3V @ 800mA，8a	80 @ 1A，5V	30MHz
TK65S04N1L，LQ	2.0100	RFQ	5	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK65S04	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道	40 V	65A（TA）	10V	4.3mohm @ 32.5a，10v	2.5V @ 300µA	39 NC @ 10 V	±20V	2550 pf @ 10 V	-	107W（TC）
RN1103ACT（TPL3）	-	RFQ	8929	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-101，SOT-883	RN1103		100兆	CST3	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	10,000																				50 V	80 ma			500NA	npn-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V		22 KOHMS	22 KOHMS
TK45P03M1，RQ s	-	RFQ	5821	东芝半导体和存储	U-Mosvi-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK45P03	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道	30 V	45A（TA）	4.5V，10V	9.7MOHM @ 22.5A，10V	2.3V @ 200µA	25 NC @ 10 V	±20V	1500 pf @ 10 V	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2909）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²