分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	电容比	电容比条件	Q@Vr，F
2SC6026MFV-Y,L3F	0.1900	询价	7	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SOT-723	2SC6026		150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000																				50V	150毫安			100nA（ICBO）			NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	60兆赫
JDV2S09FSTPL3	0.0766	询价	7473	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		150°C（太焦）	表面贴装	2-SMD，写入	JDV2S09			森林管理委员会	-	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	10,000																			11.1pF@1V、1MHz			单身的	10V										2.1	C1/C4	-
CRZ18(TE85L,Q,M)	0.4900	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	±10%	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SOD-123F	CRZ18		700毫W	S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0050	3,000														1V@200mA		13V时为10μA									18V	30欧姆
1SV239TPH3F	0.4300	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）	表面贴装	SC-76、SOD-323	1SV239			南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000																			2pF@10V，1MHz			单身的	15V										2.4	C2/C10	-
SSM6K518NU，LF	0.4100	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	SSM6K518	MOSFET（金属O化物）		6-UDFNB (2x2)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	20V	6A（塔）	1.5V、4.5V	33毫欧@4A，4.5V	1V@1mA	3.6nC@4.5V	±8V	10V时为410pF	-	1.25W（塔）
2SA2154MFVGR，L3F	0.1900	询价	7	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SOT-723	2SA2154		150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000																				50V	150毫安			100nA（ICBO）			国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	80兆赫
XPW6R30ANB,L1XHQ	1.9800	询价	2	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极		175℃	表面贴装	8-PowerVDFN	XPW6R30	MOSFET（金属O化物）		8-DSOP 高级	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	100伏	45A（塔）	6V、10V	6.3毫欧@22.5A，10V	3.5V@500μA	52nC@10V	±20V	10V时为3240pF	-	960mW（Ta）、132W（Tc）
1SS385，LF（CT	0.3500	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-75、SOT-416	1SS385	肖特基		SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度												10V	500 毫伏 @ 100 毫安		10V时为20μA	125℃（最高）	100毫安	20pF @ 0V、1MHz
CLS03(T6L、神娜、Q)	-	询价	4372	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			表面贴装	L-薄™	CLS03	肖特基		L-FLAT™ (4x5.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												60V	580毫伏@10安		1毫安@60伏	-40℃～125℃	10A	345pF@10V、1MHz
RN4902FE(TE85L,F)	-	询价	4313	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4902		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																				50V	100毫安			100nA（ICBO）			1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	10k欧姆	10k欧姆
TPN1200APL,L1Q	0.8500	询价	3	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极		175℃	表面贴装	8-PowerVDFN		MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	100伏	40A（温度）	4.5V、10V	11.5毫欧@20A，10V	2.5V@300μA	24nC@10V	±20V	1855pF@50V	-	630mW（Ta）、104W（Tc）
TK16N60W,S1VF	4.1900	询价	7281	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	TK16N60	MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	600伏	15.8A（塔）	10V	190毫欧@7.9A，10V	3.7V@790μA	38nC@10V	±30V	1350 pF @ 300 V	-	130W（温度）
RN2106,LF(CT	0.2000	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2106		100毫W	SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																				50V	100毫安			500纳安			PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	4.7欧姆	47欧姆
TK7A60W,S4VX	1.9200	询价	1040	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK7A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	600伏	7A（塔）	10V	600毫欧@3.5A，10V	3.7V@350μA	15nC@10V	±30V	490 pF @ 300 V	-	30W（温度）
CLH05,LMBJQ(O	-	询价	5120	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			表面贴装	L-薄™	CLH05	标准		L-FLAT™ (4x5.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												200V	980毫伏@5安	35纳秒	10μA@200V	-40℃～150℃	5A	-
TK1R4F04PB,LXGQ	2.7300	询价	第885章	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极		175℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	TK1R4F04	MOSFET（金属O化物）		TO-220SM(W)	下载		3（168小时）		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	40V	160A（塔）	6V、10V	1.9毫欧@80A，6V	3V@500μA	10V时为103nC	±20V	5500pF@10V	-	205W（温度）
SSM6K217FE,LF	0.3700	询价	37	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6K217	MOSFET（金属O化物）		ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000		N沟道	40V	1.8A（塔）	1.8V、8V	195mOhm@1A，8V	1.2V@1mA	1.1nC@4.2V	±12V	130pF@10V	-	500毫W（塔）
RN1903,LXHF(CT	0.3600	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1903		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																				50V	100毫安			500纳安			2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	22k欧姆	22k欧姆
TK2P90E,RQ	1.1900	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	900伏	2A（塔）	10V	5.9欧姆@1A，10V	4V@200μA	12nC@10V	±30V	500pF@25V	-	80W（温度）
RN2115,LXHF(CT	0.3300	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2115		100毫W	SSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																				50V	100毫安			500纳安			PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	2.2欧姆	10欧姆
TK3R2A10PL,S4X	2.9400	询价	99	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		175℃	通孔	TO-220-3全包	TK3R2A10	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	100伏	100A（温度）	4.5V、10V	3.2毫欧@50A，10V	2.5V@1mA	161nC@10V	±20V	9500pF@50V	-	54W（温度）
CMF02(TE12L,Q,M)	-	询价	3945	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SOD-128	CMF02	标准		M-平 (2.4x3.8)	-	符合RoHS标准	1（无限制）	CMF02(TE12LQM)	EAR99	8541.10.0080	3,000	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)												600伏	2V@1A		50μA@600V	-40℃～150℃	1A	-
TK35N65W5,S1F	9.0900	询价	7466	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	TK35N65	MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	650伏	35A（塔）	10V	95毫欧@17.5A，10V	4.5V@2.1mA	115nC@10V	±30V	4100 pF @ 300 V	-	270W（温度）
TPH9R00CQH,LQ	2.0000	询价	7	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		175℃	表面贴装	8-PowerVDFN		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）	264-TPH9R00CQHLQTR	EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	150伏	64A（温度）	8V、10V	9毫欧@32A，10V	4.3V@1mA	44nC@10V	±20V	5400pF@75V	-	960mW（Ta）、210W（Tc）
RN2409,LXHF	0.3400	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2409		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																				50V	100毫安			500纳安			PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	47欧姆	22欧姆
RN2101,LXHF(CT	0.3300	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2101		100毫W	SSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																				50V	100毫安			500纳安			PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	200兆赫	4.7欧姆	4.7欧姆
RN2404,LXHF	0.0645	询价	7148	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2404		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																				50V	100毫安			500纳安			PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	47欧姆	47欧姆
2SC6100，低频	0.5300	询价	42	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，写入	2SC6100		500毫W	UFM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																				50V	2.5安			100nA（ICBO）			NPN	140mV@20mA，1A	400@300mA，2V	-
1SV277TPH3F	0.3800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）	表面贴装	SC-76、SOD-323	1SV277			南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000																			2.35pF @ 4V、1MHz			单身的	10V										2.3	C1/C4	-
RN1108,LF(CT	0.2000	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1108		100毫W	SSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																				50V	100毫安			500纳安			NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	22欧姆	47欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²