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离散半导体产品（（2909）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	（ID） - 最大	电容比	电容比条件	q @ vr，f
TK4P60D，RQ	0.9200	RFQ	1	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道		600 v	4A（ta）	10V	1.7OHM @ 2A，10V	4.4V @ 1mA	12 nc @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	100W（TC）
TK28E65W，S1X	5.8100	RFQ	6456	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		650 v	27.6a（ta）	10V	110MOHM @ 13.8A，10V	3.5V @ 1.6mA	75 NC @ 10 V	±30V	3000 PF @ 300 V	-	230W（TC）
GT50JR22（sta1，E，S）	4.7900	RFQ	2570	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		标准		230 w	to-3p n（n）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	264-GT50JR22（STA1ES）	Ear99	8541.29.0095	25				-																			-	600 v	50 a	100 a	2.2V @ 15V，50a	-	-
TK7A80W，S4X	2.8900	RFQ	50	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		800 v	6.5A（TA）	10V	950MOHM @ 3.3A，10V	4V @ 280µA	13 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 300 V	-	35W（TC）
TK090E65Z，S1X	5.1200	RFQ	75	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		650 v	30a（TA）	10V	90mohm @ 15a，10v	4V @ 1.27mA	47 NC @ 10 V	±30V	2780 pf @ 300 V	-	230W（TC）
TK110Z65Z，S1F	6.4000	RFQ	25	东芝半导体和存储	dtmosvi	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-247-4			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-4L（t）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	25			n通道		650 v	24A（24A）	10V	110mohm @ 12a，10v	4V @ 1.02mA	40 NC @ 10 V	±30V	2250 pf @ 300 V	-	190w（TC）
TDTC123J，LM	0.1800	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TDTC123			320兆W	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																								50 V	100 ma										500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	2.2 kohms
TPH4R008QM，LQ	1.5600	RFQ	5	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8 SOP Advance（5x5.75）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道		80 V	86A（TC）	6V，10V	4MOHM @ 43A，10V	3.5V @ 600µA	57 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 40 V	-	960MW（TA），170W（tc）
TK5A60W5，S5VX	1.5900	RFQ	7625	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		600 v	4.5A（ta）	10V	950MOHM @ 2.3a，10V	4.5V @ 230µA	11.5 NC @ 10 V	±30V	370 pf @ 300 V	-	30W（TC）
TW030N120C，S1F	34.4500	RFQ	119	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	175°C	通过洞	TO-247-3			sicfet （碳化硅）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	30			n通道		1200 v	60a（TC）	18V	40mohm @ 30a，18v	5V @ 13mA	82 NC @ 18 V	+25V，-10V	2925 PF @ 800 V	-	249W（TC）
SSM6J825R，LF	0.4400	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6J825		MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP-F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道		30 V	4A（ta）	4V，10V	45mohm @ 4A，10V	2V @ 250µA	6.2 NC @ 4.5 V	+10V，-20V	492 PF @ 10 V	-	1.5W（TA）
1SV270TPH3F	0.4200	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	SC-76，SOD-323	1SV270				南加州大学	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000																						8.7pf @ 4V，1MHz								单身的	10 v												2	C1/C4	-
XPN9R614MC，L1XHQ	1.4000	RFQ	13	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101，U-MOSVI	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	8-Powervdfn	XPN9R614		MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance-WF （3.1x3.1）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000			P通道		40 V	40a（ta）	4.5V，10V	9.6mohm @ 20a，10v	2.1V @ 500µA	64 NC @ 10 V	+10V，-20V	3000 pf @ 10 V	-	840MW（TA），100W（TC）
TJ10S04M3L，LXHQ	0.9500	RFQ	4099	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TJ10S04		MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000			P通道		40 V	10a（10a）	6V，10V	44mohm @ 5A，10V	3V @ 1mA	19 nc @ 10 V	+10V，-20V	930 PF @ 10 V	-	27W（TC）
TK15S04N1L，LXHQ	0.9600	RFQ	3131	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK15S04		MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道		40 V	15A（TA）	4.5V，10V	17.8mohm @ 7.5A，10V	2.5V @ 100µA	10 NC @ 10 V	±20V	610 pf @ 10 V	-	46W（TC）
XPH4R10ANB，L1XHQ	2.2600	RFQ	34	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	8-SOIC （0.197英寸，5.00mm宽度）	XPH4R10		MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道		100 v	70a（ta）	6V，10V	4.1MOHM @ 35A，10V	3.5V @ 1mA	75 NC @ 10 V	±20V	4970 pf @ 10 V	-	960MW（TA），170W（tc）
TK090A65Z，S4X	4.7900	RFQ	2	东芝半导体和存储	dtmosvi	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包	TK090A65		MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		650 v	30a（TA）	10V	90mohm @ 15a，10v	4V @ 1.27mA	47 NC @ 10 V	±30V	2780 pf @ 300 V	-	45W（TC）
TK155U65Z，RQ	3.4000	RFQ	3	东芝半导体和存储	dtmosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	8-Powersfn			MOSFET （金属 o化物）		收费	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道		650 v	18A（18A）	10V	155mohm @ 9a，10v	4V @ 730µA	29 NC @ 10 V	±30V	1635 PF @ 300 V	-	150W（TC）
SSM6N35AFE，LF	0.4000	RFQ	43	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	SOT-563，SOT-666	SSM6N35		MOSFET （金属 o化物）	250MW	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000	2 n 通道（双）				20V	250mA（ta）		1.1OHM @ 150mA，4.5V	1V @ 100µA	0.34NC @ 4.5V		36pf @ 10V	逻辑级别门，1.2V驱动器
RN1114MFV，L3F	0.2000	RFQ	8	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-723	RN1114			150兆	VESM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	8,000																								50 V	100 ma										500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	250 MHz	1 kohms	10 kohms
2SK209-gr （TE85L，F）	0.4700	RFQ	6	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SK209			150兆	SC-59	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道									13pf @ 10V																				50 V	14 mA @ 10 V	1.5 V @ 100 na								14 ma
JDV2S41FS（TPL3）	-	RFQ	5763	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	125°C（TJ）	表面安装	2-SMD，平坦的铅	JDV2S41				FSC	-	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	10,000																						16pf @ 2V，1MHz								单身的	15 v													-	-
2SK2145-y te85l，f）	0.6800	RFQ	26	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	SC-74A，SOT-753	2SK2145			300兆	SMV	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000			2 n 通道（双）									13pf @ 10V																					1.2 ma @ 10 V	200 mv @ 100 na
2SK879-gr （TE85L，f）	0.4200	RFQ	1	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SK879			100兆	USM	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道									8.2pf @ 10V																					2.6 ma @ 10 V	400 mv @ 100 na
HN1D01F（te85l，f）	0.4700	RFQ	3088	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-74，SOT-457	HN1D01		标准		SM6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度													2对公共阳极	80 V	100mA	1.2 V @ 100 ma	4 ns	500 NA @ 80 V	125°c （最大）
TJ15S06M3L （T6L1，NQ	1.3300	RFQ	2224	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TJ15S06		MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000			P通道		60 V	15A（TA）	6V，10V	50MOHM @ 7.5A，10V	3V @ 1mA	36 NC @ 10 V	+10V，-20V	1770 pf @ 10 V	-	41W（TC）
TK100E06N1，S1X	2.7500	RFQ	30	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TK100E06		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		60 V	100A（TA）	10V	2.3MOHM @ 50a，10v	4V @ 1mA	140 NC @ 10 V	±20V	10500 PF @ 30 V	-	255W（TC）
2SK2916（f）	-	RFQ	6044	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	2SK2916		MOSFET （金属 o化物）		to-3p n（n）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		500 v	14A（TA）	10V	400mohm @ 7a，10v	4V @ 1mA	58 NC @ 10 V	±30V	2600 PF @ 10 V	-	80W（TC）
S1PA7 [UD]	-	RFQ	1361	东芝半导体和存储	-	托盘	积极的									-		（1 （无限）	190-S1PA7 [UD]	Ear99	8541.29.0095	100
TK1K0A60F，S4X	1.1100	RFQ	68	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包	TK1K0A60		MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		600 v	7.5A（ta）	10V	1欧姆 @ 3.8A，10V	4V @ 770µA	24 NC @ 10 V	±30V	890 pf @ 300 V	-	40W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2909）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²