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离散半导体产品（（2909）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	电流 -最大	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
TK16E60W，S1VX	2.8600	RFQ	4631	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TK16E60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	15.8A（TA）	10V	190mohm @ 7.9a，10v	3.7V @ 790µA	38 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 300 V	-	130W（TC）
TPC6110（TE85L，F，M）	-	RFQ	4645	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	TPC6110	MOSFET （金属 o化物）		VS-6（2.9x2.8）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		30 V	4.5A（ta）		56mohm @ 2.2a，10v	2V @ 100µA	14 NC @ 10 V		510 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
2SK3564 （STA4，Q，M）	1.6200	RFQ	42	东芝半导体和存储	π-mosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SK3564	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		900 v	3A（3A）	10V	4.3OHM @ 1.5A，10V	4V @ 1mA	17 NC @ 10 V	±30V	700 pf @ 25 V	-	40W（TC）
TK8P60W，RVQ	1.1354	RFQ	8551	东芝半导体和存储	dtmosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK8P60	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		600 v	8a（8a）	10V	500MOHM @ 4A，10V	3.7V @ 400µA	18.5 NC @ 10 V	±30V	570 pf @ 300 V	-	80W（TC）
2SA1943-O（Q）	2.9800	RFQ	10	东芝半导体和存储	-	托盘	积极的	150°C（TJ）	通过洞	to-3pl	2SA1943		150 w	到3p（l）	下载	rohs3符合条件	不适用	Ear99	8541.29.0075	100															230 v	15 a			5µA（ICBO）		PNP	3V @ 800mA，8a	80 @ 1A，5V	30MHz
RN2418，LXHF	0.3400	RFQ	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN2418		200兆	S-Mini	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000															50 V	100 ma			500NA		pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	200 MHz	47科姆斯	10 kohms
SSM6P69NU，LF	0.4300	RFQ	10	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	6-WDFN暴露垫	SSM6P69	MOSFET （金属 o化物）	1W（ta）	6 µdfn （2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）			20V	4A（ta）		45MOHM @ 3.5A，10V	1.2V @ 1mA	6.74NC @ 4.5V		480pf @ 10V	逻辑水平门，1.8V
SSM3J35AF，LF	0.2600	RFQ	15	东芝半导体和存储	U-Mosvii	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	SC-75，SOT-416	SSM3J35	MOSFET （金属 o化物）		SSM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		20 v	250mA（ta）	1.2V，4.5V	1.4OHM @ 150mA，4.5V	1V @ 100µA		±10V	42 pf @ 10 V	-	150MW（TA）
tpc8035-h（TE12L，QM	-	RFQ	2642	东芝半导体和存储	U-Mosvi-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	TPC8035	MOSFET （金属 o化物）		8-SOP（5.5x6.0）	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	18A（18A）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 9A，10V	2.3V @ 1mA	82 NC @ 10 V	±20V	7800 PF @ 10 V	-	1W（ta）
RN1313，LF	0.1800	RFQ	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	RN1313		100兆	USM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0075	3,000															50 V	100 ma			100NA（ICBO）		npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	250 MHz	47科姆斯
TK20S06K3L （T6L1，NQ	-	RFQ	3491	东芝半导体和存储	U-Mosiv	胶带和卷轴（（tr）	过时的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK20S06	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		60 V	20A（TA）	6V，10V	29mohm @ 10a，10v	3V @ 1mA	18 nc @ 10 V	±20V	780 pf @ 10 V	-	38W（TC）
TK4A60DB （STA4，Q，m）	-	RFQ	3537	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK4A60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	3.7a（ta）	10V	2ohm @ 1.9a，10v	4.4V @ 1mA	11 NC @ 10 V	±30V	540 pf @ 25 V	-	35W（TC）
SSM6N44FU，LF	0.3600	RFQ	15	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SSM6N44	MOSFET （金属 o化物）	200mw（ta）	US6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			30V	（100mA）（TA）		4ohm @ 10mA，4V	1.5V @ 100µA	-		8.5pf @ 3V	-
RN1708，LF	0.3000	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353	RN1708		200MW	USV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0075	3,000															50V	100mA			500NA		2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz	22KOHMS	47kohms
TW045N120C，S1F	23.7100	RFQ	15	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	175°C	通过洞	TO-247-3		sicfet （碳化硅）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1200 v	40a（TC）	18V	59mohm @ 20a，18v	5V @ 6.7mA	57 NC @ 18 V	+25V，-10V	1969 PF @ 800 V	-	182W（TC）
RN2401，LXHF	0.0645	RFQ	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN2401		200兆	S-Mini	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000															50 V	100 ma			500NA		pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	30 @ 10mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
TJ15S06M3L （T6L1，NQ	1.3300	RFQ	2224	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TJ15S06	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道		60 V	15A（TA）	6V，10V	50MOHM @ 7.5A，10V	3V @ 1mA	36 NC @ 10 V	+10V，-20V	1770 pf @ 10 V	-	41W（TC）
TK55S10N1，LXHQ	1.6800	RFQ	9	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK55S10	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		100 v	55A（ta）	10V	6.5MOHM @ 27.5A，10V	4V @ 500µA	49 NC @ 10 V	±20V	3280 pf @ 10 V	-	157W（TC）
SSM3K72CFS，LF	0.2000	RFQ	133	东芝半导体和存储	U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	SSM3K72	MOSFET （金属 o化物）		SSM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		60 V	170mA（TA）	4.5V，10V	3.9ohm @ 100mA，10v	2.1V @ 250µA	0.35 NC @ 4.5 V	±20V	17 pf @ 10 V	-	150MW（TA）
SSM6J50TU，LF	0.3900	RFQ	2	东芝半导体和存储	U-Mosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6J50	MOSFET （金属 o化物）		UF6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		20 v	2.5a（ta）	2V，4.5V	64mohm @ 1.5A，4.5V	1.2V @ 200µA		±10V	800 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
SSM3J14TTE85LF	-	RFQ	8348	东芝半导体和存储	U-MOSII	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SSM3J14	MOSFET （金属 o化物）		TSM	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		30 V	2.7a（ta）	4V，10V	85mohm @ 1.35a，10v	-		±20V	413 PF @ 15 V	-	700MW（TA）
TK7A65D（sta4，Q，m）	2.2100	RFQ	50	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK7A65	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	7a（ta）	10V	980MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 1mA	24 NC @ 10 V	±30V	1200 pf @ 25 V	-	45W（TC）
SSM3J66MFV，L3F	0.3800	RFQ	7	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	SOT-723	SSM3J66	MOSFET （金属 o化物）		VESM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	8,000		P通道		20 v	800mA（ta）	1.2V，4.5V	390MOHM @ 800mA，4.5V	1V @ 1mA	1.6 NC @ 4.5 V	+6V，-8V	100 pf @ 10 V	-	150MW（TA）
1SS295（te85l，f）	-	RFQ	8878	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）		TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	1S295			SC-59-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.10.0070	3,000			30 ma											0.9pf @ 0.2V，1MHz			肖特基 -1对普通阴极	4V		-
TK39N60W，S1VF	5.5100	RFQ	7989	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	TK39N60	MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	38.8A（TA）	10V	65mohm @ 19.4a，10v	3.7V @ 1.9mA	110 NC @ 10 V	±30V	4100 PF @ 300 V	-	270W（TC）
TPH2R608NH，L1Q	1.5400	RFQ	14	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPH2R608	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		75 v	150a（TC）	10V	2.6mohm @ 50a，10v	4V @ 1mA	72 NC @ 10 V	±20V	6000 PF @ 37.5 V	-	142W（TC）
RN1901FE，LXHF（ct	0.3800	RFQ	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	RN1901		100MW	ES6	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	4,000															50V	100mA			500NA		2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	30 @ 10mA，5V	250MHz	4.7kohms	4.7kohms
TK11S10N1L，LXHQ	0.9700	RFQ	1392	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK1110	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		100 v	11a（11a）	4.5V，10V	28mohm @ 5.5a，10v	2.5V @ 100µA	15 NC @ 10 V	±20V	850 pf @ 10 V	-	65W（TC）
1SV228TPH3F	0.4400	RFQ	20	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	1SV228			S-Mini	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.10.0080	3,000														13.7pf @ 8v，1MHz			1对普通阴极	15 v									2.6	C3/C8	-
XPN12006NC，L1XHQ	1.2300	RFQ	10	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜175°C	表面安装	8-Powervdfn	XPN12006	MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance-WF （3.1x3.1）	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		60 V	20a	4.5V，10V	12mohm @ 10a，10v	2.5V @ 200µA	23 NC @ 10 V	±20V	1100 pf @ 10 V		65W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2909）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²