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离散半导体产品（（2909）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
RN1602（TE85L，F）	0.3800	RFQ	75	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-74，SOT-457	RN1602		300MW	SM6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																				50V	100mA	100NA（ICBO）			2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	250MHz	10KOHMS	10KOHMS
TPN2R304PL，L1Q	0.9600	RFQ	27	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C	表面安装	8-Powervdfn	TPN2R304	MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.1x3.1）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	40 V	80A（TC）	4.5V，10V	2.3MOHM @ 40a，10v	2.4V @ 300µA	41 NC @ 10 V	±20V	3600 PF @ 20 V	-	630MW（ta），104W（tc）
RN2414（TE85L，F）	0.2800	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN2414		200兆	S-Mini	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	100 ma	500NA			pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	200 MHz	1 kohms	10 kohms
2SA1588-Y，LF	0.2300	RFQ	4	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		125°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SA1588		100兆	SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																				30 V	500 MA	100NA（ICBO）			PNP	250mv @ 10mA，100mA	120 @ 100mA，1V	200MHz
TK7P50D（t6rss-Q）	1.4300	RFQ	9717	东芝半导体和存储	π-mosvii	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK7P50	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	500 v	7a（ta）	10V	1.22OHM @ 3.5A，10V	4.4V @ 1mA	12 nc @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	100W（TC）
SSM3J36TU，LF	0.3800	RFQ	12	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	3-SMD，平坦的铅	SSM3J36	MOSFET （金属 o化物）		UFM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	330ma（ta）	1.5V，4.5V	1.31OHM @ 100mA，4.5V	1V @ 1mA	1.2 NC @ 4 V	±8V	43 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
2SD2257，kehinq（j（	-	RFQ	4854	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SD2257		2 w	TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1																				100 v	3 a	10µA（ICBO）			NPN	1.5V @ 1.5mA，1.5a	2000 @ 2a，2v	-
TK16G60W，RVQ	6.0900	RFQ	6936	东芝半导体和存储	dtmosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	TK16G60	MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	15.8A（TA）	10V	190mohm @ 7.9a，10v	3.7V @ 790µA	38 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 300 V	-	130W（TC）
2SA1020-y，f（j	-	RFQ	8744	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA1020		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																				50 V	2 a	1µA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
RN4989，LXHF（ct	0.4400	RFQ	5	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN4989		200MW	US6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																				50V	100mA	500NA			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	250MHz，200MHz	47kohms	22KOHMS
RN2510（TE85L，F）	0.4700	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-74A，SOT-753	RN2510		300MW	SMV	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																				50V	100mA	100NA（ICBO）			2（PNP- 预偏（双重）（）	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	200MHz	4.7kohms	-
SSM3J16CT（TPL3）	-	RFQ	2106	东芝半导体和存储	π-mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	SSM3J16	MOSFET （金属 o化物）		CST3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	10,000		P通道	20 v	（100mA）（TA）	1.5V，4V	8ohm @ 10mA，4V	1.1V @ 100µA		±10V	11 pf @ 3 V	-	100mW（TA）
2SC4604，T6F（j	-	RFQ	8219	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC4604		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																				50 V	3 a	100NA（ICBO）			NPN	500MV @ 75mA，1.5a	120 @ 100mA，2V	100MHz
CMS11（TE12L，Q，m）	0.6000	RFQ	13	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-128	CMS11	肖特基		M-Flat（2.4x3.8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												40 V	550 mv @ 2 a		500 µA @ 40 V	-40°C〜150°C	2a	95pf @ 10V，1MHz
RN1103MFV（TPL3）	0.0433	RFQ	6128	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-723	RN1103		150兆	VESM	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	8,000																				50 V	100 ma	500NA			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，5mA	70 @ 10mA，5V		22 KOHMS	22 KOHMS
CMS03 （TE12L，Q，M）	0.6600	RFQ	17	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOD-128	CMS03	肖特基		M-Flat（2.4x3.8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												30 V	450 mv @ 3 a		500 µA @ 30 V	-40°C〜150°C	3a	-
CMF01A，LQ （M	-	RFQ	5318	东芝半导体和存储	-	盒子	积极的			表面安装	SOD-128		标准		M-Flat（2.4x3.8）	下载				Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												600 v	2 V @ 2 A	100 ns	50 µA @ 600 V	150°C	2a	-
RN1107ACT（TPL3）	0.3400	RFQ	9	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-101，SOT-883	RN1107		100兆	CST3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	10,000																				50 V	80 ma	500NA			npn-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V		10 kohms	47科姆斯
RN4988（TE85L，F）	0.3400	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN4988		200MW	US6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																				50V	100mA	500NA			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz，200MHz	22KOHMS	47kohms
RN1406S，LF（d	-	RFQ	5653	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN1406		200兆	S-Mini	下载		（1 （无限）	RN1406SLF（d	Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	100 ma	500NA			npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
TK50E06K3A，S1X（s	-	RFQ	5024	东芝半导体和存储	U-Mosiv	管子	过时的		-	通过洞	TO-220-3	TK50E06	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	50A（TC）		8.5mohm @ 25a，10v	-	54 NC @ 10 V			-	-
CRZ11 （TE85L，Q，M）	-	RFQ	2159	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±10％	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-123F	CRZ11		700兆	S-Flat（1.6x3.5）	下载	Rohs符合条件		CRZ11（TE85LQM）	Ear99	8541.10.0050	3,000														1 V @ 200 MA		10 µA @ 7 V							11 V	30欧姆
RN1904FE，LF（ct	0.2500	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666	RN1904		100MW	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000																				50V	100mA	100NA（ICBO）			2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz	47kohms	47kohms
HN2C01FEYTE85LF	0.1000	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	HN2C01		100MW	ES6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000																				50V	150mA	100NA（ICBO）			2 NPN （双）	250mv @ 10mA，100mA	120 @ 2mA，6v	60MHz
2SB906-y te16l1，nq	1.2100	RFQ	5609	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SB906		1 w	PW-MOLD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000																				60 V	3 a	100µA（ICBO）			PNP	1.7V @ 300mA，3a	100 @ 500mA，5V	9MHz
2SA1020-y t6nd3，AF	-	RFQ	3760	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA1020		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																				50 V	2 a	1µA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
RN1315，LF	0.2200	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	RN1315		100兆	SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	100 ma	500NA			npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	10 kohms
RN1102，LF（ct	0.2000	RFQ	1398	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-75，SOT-416	RN1102		100兆	SSM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																				50 V	100 ma	500NA			npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	250 MHz	10 kohms	10 kohms
2SC2859-gr （TE85L，f	-	RFQ	5513	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		125°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SC2859		150兆	S-Mini	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																				30 V	500 MA	100NA（ICBO）			NPN	250mv @ 10mA，100mA	200 @ 100mA，1V	300MHz
2SC5200N （S1，E，S）	2.2100	RFQ	3081	东芝半导体和存储	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	2SC5200		150 w	to-3p n（n）	下载	rohs3符合条件	不适用	2SC5200N（S1ES）	Ear99	8541.29.0075	25																				230 v	15 a	5µA（ICBO）			NPN	3V @ 800mA，8a	80 @ 1A，5V	30MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2909）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²