分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
RN1111,LF(CT	0.0355	询价	4214	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1111			100毫W	SSM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																									50V	100毫安					100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	10欧姆
2SC4604,F(J	-	询价	8562	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC4604			900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1																									50V	3A					100nA（ICBO）	NPN	500mV@75mA，1.5A	120@100mA，2V	100兆赫兹
RN1106MFV,L3F(CT	0.1800	询价	8	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1106			150毫W	VESM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	8,000																									50V	100毫安					500纳安	NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	80@1mA，5V		4.7欧姆	47欧姆
CLH06(TE16R,Q)	-	询价	7267	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		表面贴装	L-薄™	CLH06		标准		L-FLAT™ (4x5.5)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														300伏			35纳秒		-	5A	-
TMBT3904,LM	0.1800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TMBT3904			320毫W	SOT-23-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																									50V	150毫安					100nA（ICBO）	NPN	300毫伏@5毫安，50毫安	100@10mA，1V	300兆赫
RN2309,LXHF	0.3900	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2309			100毫W	SC-70	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																									50V	100毫安					500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	47欧姆	22欧姆
1SS393，LF	0.3800	询价	第347章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	1SS393		肖特基		SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0070	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													1对共轴线	40V	100毫安	600 毫伏 @ 100 毫安		5μA@40V	-40℃～100℃
RN1905,LXHF(CT	0.3600	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1905			200毫W	美国6号	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																									50V	100毫安					500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
RN1415，LF	0.1800	询价	7792	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1415			200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																									50V	100毫安					500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	2.2欧姆	10欧姆
RN1316,LXHF	0.3900	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1316			100毫W	SC-70	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																									50V	100毫安					500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	10欧姆
SSM6N35FE,LM	0.4000	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6N35		MOSFET（金属O化物）	150毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000	2 个 N 沟道（双）				20V	180毫安		3欧姆@50mA，4V	1V@1mA	-		9.5pF@3V	逻辑电平门
2SA949-Y(TE6,F,M)	-	询价	6398	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA949			800毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1																									150伏	50毫安					100nA（ICBO）	国民党	800mV@1mA，10A	70@10mA，5V	120兆赫
RN1910,LXHF(CT	0.3600	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1910			200毫W	美国6号	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																									50V	100毫安					100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	-
2SA965-O(TE6,F,M)	-	询价	2634	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA965			900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1																									120V	800毫安					100nA（ICBO）	国民党	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
RN2909(T5L,F,T)	-	询价	9209	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2909			200毫W	美国6号	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																									50V	100毫安					100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	47k欧姆	22k欧姆
SSM3K56CT，L3F	0.4600	询价	16	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极	150℃（TA）	表面贴装	SC-101、SOT-883	SSM3K56		MOSFET（金属O化物）		CST3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	10,000			N沟道		20V	800mA（塔）	1.5V、4.5V	235毫欧@800mA，4.5V	1V@1mA	1nC@4.5V	±8V	55pF@10V	-	500毫W（塔）
SSM3K122TU，LF	0.3800	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	3-SMD，写入	SSM3K122		MOSFET（金属O化物）		UFM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道		20V	2A（塔）	1.5V、4V	123mOhm@1A，4V	1V@1mA	3.4nC@4V	±10V	195pF@10V	-	500毫W（塔）
TPCL4203(TE85L,F)	-	询价	2304	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	4-XFLGA	TPCL4203		MOSFET（金属O化物）	500毫W	4 芯片 LGA (1.59x1.59)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000	2个N沟道（半桥）				-	-		-	1.2V@200μA	-		685pF@10V	-
2SC4738-BL(TE85L,F	-	询价	6573	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416	2SC4738			100毫W	SSM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																									50V	150毫安					100nA（ICBO）	NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	350@2mA，6V	80兆赫
SSM3K36TU，LF	0.3600	询价	2021年	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	3-SMD，写入	SSM3K36		MOSFET（金属O化物）		UFM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道		20V	500mA（塔）	1.5V、5V	630mOhm@200mA，5V	1V@1mA	1.23nC@4V	±10V	10V时为46pF	-	800毫W（塔）
TPC8038-H(TE12L,Q)	-	询价	2841	东芝半导体和存储	U-MOSV-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	TPC8038		MOSFET（金属O化物）		8-SOP (5.5x6.0)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道		30V	12A（塔）		11.4毫欧@6A，10V	2.5V@1mA	21nC@10V		2150pF@10V	-	-
2SC4116SU-Y，LF	-	询价	1862年	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	SIC停产	125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SC4116			100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																									50V	150毫安					100nA（ICBO）	NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	70@2mA，6V	80兆赫
GT20J341,S4X(S	2.0600	询价	7000	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包		标准		45W	TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50				300V，20A，33欧姆，15V															90纳秒					-	600伏	20A	80A	2V@15V，20A	500μJ（开），400μJ（关）	60纳秒/240纳秒
TPC8032-H(TE12LQM)	-	询价	9260	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	TPC8032		MOSFET（金属O化物）		8-SOP (5.5x6.0)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道		30V	15A（塔）		6.5毫欧@7.5A，10V	2.5V@1mA	33nC@10V		2846pF@10V	-	-
TPN3R704PL,L1Q	0.7800	询价	4021	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN3R704		MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	5,000			N沟道		40V	80A（温度）	4.5V、10V	3.7毫欧@40A，10V	2.4V@200μA	27nC@10V	±20V	2500pF@20V	-	630mW（Ta）、86W（Tc）
TPC8018-H(TE12LQM)	-	询价	5235	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	TPC8018		MOSFET（金属O化物）		8-SOP (5.5x6.0)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道		30V	18A（塔）	4.5V、10V	4.6毫欧@9A，10V	2.3V@1mA	38nC@10V	±20V	2265pF@10V	-	1W（塔）
SSM3K15AFU，LF	0.2300	询价	102	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	SSM3K15		MOSFET（金属O化物）		USM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道		30V	100mA（塔）	2.5V、4V	3.6欧姆@10mA，4V	1.5V@100μA		±20V	13.5pF@3V	-	150毫W（塔）
TK8S06K3L(T6L1,NQ)	1.2600	询价	4739	东芝半导体和存储	U-MOSIV	卷带式 (TR)	的积极	175°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK8S06		MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,000			N沟道		60V	8A（塔）	6V、10V	54mOhm@4A，10V	3V@1mA	10nC@10V	±20V	400pF@10V	-	25W（温度）
SSM6N43FU,LF	0.4500	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SSM6N43		MOSFET（金属O化物）	200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）				20V	500毫安		630mOhm@200mA，5V	1V@1mA	1.23nC@4V		46pF@10V	逻辑电平门，1.5V驱动
TK46E08N1,S1X	1.2400	询价	6212	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK46E08		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		80V	80A（温度）	10V	8.4毫欧@23A，10V	4V@500μA	37nC@10V	±20V	2500pF@40V	-	103W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²