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离散半导体产品（（2909）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	（ID） - 最大	电容比	电容比条件	q @ vr，f
SSM6J214FE（TE85L，f	0.3900	RFQ	30	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	SOT-563，SOT-666	SSM6J214	MOSFET （金属 o化物）		ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000			P通道	30 V	3.6a（ta）	1.8V，10V	50mohm @ 3a，10v	1.2V @ 1mA	7.9 NC @ 4.5 V	±12V	560 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
2SC2655-y t6nd3，AF	-	RFQ	8423	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2655		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																							50 V	2 a						1µA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
RN2104CT（TPL3）	-	RFQ	9555	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-101，SOT-883	RN2104		50兆	CST3	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	10,000																							20 v	50 mA						500NA	pnp-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	120 @ 10mA，5V		47科姆斯	47科姆斯
U1GWJ49（TE12L，F）	-	RFQ	1338	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-243AA	U1GWJ49	肖特基		PW-Mini	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													40 V		550 mv @ 1 a		500 µA @ 40 V	-40°C〜125°C	1a	-
2SC2235-O （T6FJT，FM	-	RFQ	6710	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2235		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																							120 v	800 MA						100NA（ICBO）	NPN	1V @ 50mA，500mA	80 @ 100mA，5V	120MHz
CRS20I40A （TE85L，QM	0.5000	RFQ	1	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOD-123F	CRS20I40	肖特基		S-Flat（1.6x3.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													40 V		600 mv @ 2 a		60 µA @ 40 V	150°C （最大）	2a	35pf @ 10V，1MHz
2SA1869-y（Q，m）	-	RFQ	1659年	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SA1869		10 W	TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1																							50 V	3 a						1µA（ICBO）	PNP	600mv @ 200mA，2a	70 @ 500mA，2V	100MHz
RN2106CT（tpl3）	-	RFQ	9972	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-101，SOT-883	RN2106		50兆	CST3	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	10,000																							20 v	50 mA						500NA	pnp-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	120 @ 10mA，5V		4.7科姆斯	47科姆斯
RN2909 （T5L，F，T）	-	RFQ	9209	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN2909		200MW	US6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																							50V	100mA						100NA（ICBO）	2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	200MHz	47kohms	22KOHMS
RN1904FE，LF（ct	0.2500	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	RN1904		100MW	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000																							50V	100mA						100NA（ICBO）	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz	47kohms	47kohms
TPC6503（TE85L，F，M）	-	RFQ	1614年	东芝半导体和存储	U-Mosvii	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	TPC6503		1.6 w	VS-6（2.9x2.8）	-	Rohs符合条件		TPC6503（TE85LFM）	Ear99	8541.29.0095	3,000																							30 V	1.5 a						100NA（ICBO）	NPN	120mv @ 10mA，500mA	400 @ 150mA，2V	-
RN1969FE（TE85L，F）	-	RFQ	8601	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SOT-563，SOT-666	RN1969		100MW	ES6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000																							50V	100mA						100NA（ICBO）	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	250MHz	47kohms	22KOHMS
TPH3300CNH，L1Q	1.6100	RFQ	8	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPH3300	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道	150 v	18A（18A）	10V	33mohm @ 9a，10v	4V @ 300µA	10.6 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 75 V	-	1.6W（TA），57W（tc）
2SC22235-y dnso，AF）	-	RFQ	8875	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2235		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																							120 v	800 MA						100NA（ICBO）	NPN	1V @ 50mA，500mA	80 @ 100mA，5V	120MHz
CRS08 （TE85L，Q，M）	0.5200	RFQ	29	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOD-123F	CRS08	肖特基		S-Flat（1.6x3.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													30 V		360 mV @ 1.5 A		1 ma @ 30 V	-40°C〜125°C	1.5a	90pf @ 10V，1MHz
TBAV99，LM	0.2000	RFQ	25	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TBAV99	标准		SOT-23-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												1对系列连接	80 V	100mA	1.25 V @ 150 mA	4 ns	500 NA @ 80 V	125°c （最大）
DSR01S30SL，L3F	0.3500	RFQ	49	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	2-SMD，没有铅	DSR01S30	肖特基		SL2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	10,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度													30 V		620 MV @ 100 mA		700 NA @ 30 V	125°c （最大）	100mA	8.2pf @ 0v，1MHz
2SC4116-BL，LF	0.1800	RFQ	982	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	2SC4116		100兆	SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																							50 V	150 ma						100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	350 @ 2mA，6v	80MHz
TRS8E65C，S1Q	-	RFQ	9767	东芝半导体和存储	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-2	TRS8E65	SIC （碳化硅）		TO-220-2L	-	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	50		没有恢复t> 500mA（IO）													650 v		1.7 V @ 8 A	0 ns	90 µA @ 650 V	175°c （最大）	8a	44pf @ 650V，1MHz
tpc8407，lq（s	-	RFQ	5590	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPC8407	MOSFET （金属 o化物）	450MW	8-sop	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	2,500	n和p通道			30V	9a，7.4a		17mohm @ 4.5A，10V	2.3V @ 100µA	17NC @ 10V		1190pf @ 10V	逻辑级别门
2SA1837，HFEMBJF（j	-	RFQ	3388	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SA1837		2 w	TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1																							230 v	1 a						1µA（ICBO）	PNP	1.5V @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，5V	70MHz
2SC3328-O，T6KeHF（m	-	RFQ	3158	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC3328		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																							80 V	2 a						1µA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
HN1B04FE-GR，LF	0.3000	RFQ	8	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	HN1B04		100MW	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000																							50V	150mA						100NA（ICBO）	NPN，PNP	250mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	80MHz
2SC4604，T6F （M	-	RFQ	4358	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC4604		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																							50 V	3 a						100NA（ICBO）	NPN	500MV @ 75mA，1.5a	120 @ 100mA，2V	100MHz
1SV325，H3F	0.3800	RFQ	7628	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	1SV325			ESC键	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.30.0080	4,000																						12pf @ 4V，1MHz			单身的	10 v												4.3	C1/C4	-
2SA965-O te6，f，m）	-	RFQ	2634	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA965		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																							120 v	800 MA						100NA（ICBO）	PNP	1V @ 50mA，500mA	80 @ 100mA，5V	120MHz
RN1110CT（tpl3）	-	RFQ	2591	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-101，SOT-883	RN1110		50兆	CST3	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	10,000																							20 v	50 mA						100NA（ICBO）	npn-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	300 @ 1mA，5v		4.7科姆斯
2SA1680，f（j	-	RFQ	4997	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA1680		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																							50 V	2 a						1µA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，1a	120 @ 100mA，2V	100MHz
2SK208-R（TE85L，F）	0.4900	RFQ	36	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SK208		100兆	S-Mini	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道								8.2pf @ 10V																50 V	300 µA @ 10 V	400 mv @ 100 na								6.5 MA
RN2906，LF	0.2800	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN2906		200MW	US6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																							50V	100mA						500NA	2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz	4.7kohms	47kohms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2909）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²