分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
CRS15I40A(TE85L,QM	0.4500	询价	8628	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOD-123F	CRS15I40	肖特基		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														40V		550毫伏@1.5安	60μA@40V	150℃（最高）	1.5A	35pF@10V，1MHz
2SA1837,HFEYHF(米	-	询价	6958	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1837		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																						230伏	1A	1μA（ICBO）	国民党	1.5V@50mA、500mA	100@100mA，5V	70兆赫
TK8A45D(STA4,Q,M)	1.6000	询价	第1532章	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK8A45	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		450伏	8A（塔）	10V	900毫欧@4A，10V	4.4V@1mA	16nC@10V	±30V	700pF@25V	-	35W（温度）
RN2414(TE85L,F)	0.2800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2414		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																						50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	1欧姆	10欧姆
RN2106CT(TPL3)	-	询价	9972	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN2106		50毫W	CST3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000																						20V	50毫安	500纳安	PNP - 预偏置	150mV@250μA，5mA	120@10mA，5V		4.7欧姆	47欧姆
RN1110,LF(CT	0.2000	询价	1031	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1110		100毫W	SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																						50V	100毫安	100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	4.7欧姆
RN2901(T5L,F,T)	-	询价	3843	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2901		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	200兆赫	4.7k欧姆	4.7k欧姆
2SA2070(TE12L,F)	0.5400	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	2SA2070		1W	PW-MINI	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1,000																						50V	1A	100nA（ICBO）	国民党	200毫伏@10毫安、300毫安	200@100mA，2V	-
TPCA8012-H(TE12LQM	-	询价	9067	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8012	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	40A（塔）	4.5V、10V	4.9毫欧@20A，10V	2.5V@1mA	42nC@10V	±20V	3713pF@10V	-	-
2SA1837,HFEMBJF(J	-	询价	3388	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1837		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																						230伏	1A	1μA（ICBO）	国民党	1.5V@50mA、500mA	100@100mA，5V	70兆赫
RN2911，LF	0.2800	询价	9669	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2911		200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	10k欧姆	-
SSM3J112TU，LF	0.4500	询价	9931	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	3-SMD，写入	SSM3J112	MOSFET（金属O化物）		UFM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道		30V	1.1A（塔）	4V、10V	390毫欧@500毫安，10伏	1.8V@100μA		±20V	15V时为86pF	-	800毫W（塔）
U1GWJ49(TE12L,F)	-	询价	1338	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	TO-243AA	U1GWJ49	肖特基		PW-MINI	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														40V		550毫伏@1安	40V时为500μA	-40℃～125℃	1A	-
MT3S113TU,LF	0.6400	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，写入	MT3S113		900毫W	UFM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000			12.5分贝																			5.3V	100毫安		NPN		200@30mA，5V	11.2GHz			1.45dB@1GHz
CLS01(T6L索尼,Q)	-	询价	6695	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		表面贴装	L-薄™	CLS01	肖特基		L-FLAT™ (4x5.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														30V		470毫伏@10安	1毫安@30伏	-40℃～125℃	10A	530pF@10V、1MHz
TK065U65Z,RQ	6.3200	询价	7	东芝半导体和存储	DTMOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	8-PowerSFN		MOSFET（金属O化物）		收费	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道		650伏	38A（塔）	10V	65毫欧@19A，10V	4V@1.69mA	62nC@10V	±30V	3650 pF @ 300 V	-	270W（温度）
2SC3325-O(TE85L,F)	0.3900	询价	9502	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SC3325		200毫W	S-迷你型	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																						50V	500毫安	100nA（ICBO）	NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	70@100mA，1V	300兆赫
2SA1162S-Y, LF(D	-	询价	5535	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SA1162		150毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	150毫安	100nA（ICBO）	国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
TPC6503(TE85L,F,M)	-	询价	1614	东芝半导体和存储	U-MOSVII	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	TPC6503		1.6W	VS-6 (2.9x2.8)	-	符合RoHS标准		TPC6503(TE85LFM)	EAR99	8541.29.0095	3,000																						30V	1.5安	100nA（ICBO）	NPN	120mV@10mA、500mA	400@150mA，2V	-
RN1906,LF	-	询价	4453	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1906		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	100毫安	500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	47k欧姆
TRS16N65D,S1F	-	询价	6491	东芝半导体和存储	-	管子	过时的		通孔	TO-247-3	TRS16N	肖特基		TO-247	-	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	30	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													1对共轴线	650伏	8A（室外）	1.7V@8A	650V时为90μA	175℃（最高）
RN4985,LF(CT	0.2700	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4985		200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	100毫安	100μA（ICBO）	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
ULN2004APG,C,N	-	询价	9779	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	通孔	16-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	ULN2004		1.47W	16-DIP	-		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	25																						50V	500毫安	50微安	7 NPN 达林顿	1.6V@500μA，350mA	1000@350mA，2V	-
HN1B04FE-GR,LF	0.3000	询价	8	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	HN1B04		100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																						50V	150毫安	100nA（ICBO）	NPN、PNP	250毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	80兆赫
RN1109MFV，L3F	-	询价	2875	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1109		150毫W	VESM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000																						50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	70@10mA，5V		47欧姆	22欧姆
TBAS16,LM	0.2100	询价	30	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-23-3 读写	TBAS16	标准		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)														80V				-	215毫安	-
2SA1586SU-Y,LF	-	询价	4878	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	SIC停产	125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SA1586		100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	150毫安	100nA（ICBO）	国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	70@2mA，6V	80兆赫
2SC4117-GR，LF	0.2300	询价	7	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SC4117		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																						120V	100毫安	100nA（ICBO）	NPN	300mV@1mA、10mA	200@2mA，6V	100兆赫兹
TPC6110(TE85L,F,M)	-	询价	4645	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	TPC6110	MOSFET（金属O化物）		VS-6 (2.9x2.8)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道		30V	4.5A（塔）		56毫欧@2.2A，10V	2V@100μA	14nC@10V		510pF@10V	-	700毫W（塔）
SSM3K337R，LF	0.4600	询价	8818	东芝半导体和存储	U-MOSIV	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3K337	MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		38V	2A（塔）	4V、10V	150mOhm@2A，10V	1.7V@1mA	3nC@10V	±20V	120pF@10V	-	1W（塔）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²