分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
TK15A60D(STA4,Q,M)	-	询价	5345	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK15A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	600伏	15A（塔）	10V	370毫欧@7.5A，10V	4V@1mA	45nC@10V	±30V	2600pF@25V	-	50W（温度）
RN1605TE85LF	0.3500	询价	79	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-74、SOT-457	RN1605		300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																					50V	100毫安	100nA（ICBO）			2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
CMF01A,LQ(M	-	询价	5318	东芝半导体和存储	-	盒子	的积极			表面贴装	SOD-128		标准		M-平 (2.4x3.8)	下载				EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												600伏	2V@2A	100纳秒	50μA@600V	150℃	2A	-
TK3A65DA(STA4,QM)	1.5200	询价	4118	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK3A65	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	650伏	2.5A（塔）	10V	2.51欧姆@1.3A，10V	4.4V@1mA	11nC@10V	±30V	490pF@25V	-	35W（温度）
CRH02(TE85L,Q,M)	0.3600	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-123F	CRH02	标准		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												200V	950 毫伏 @ 500 毫安	35纳秒	10μA@200V	150℃（最高）	500毫安	-
CMZ36(TE12L,Q,M)	0.5800	询价	2937	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	±10%	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SOD-128			2W	M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0050	3,000															1.2V@200mA		28.8V时为10μA							36V	30欧姆
TK50P03M1(T6RSS-Q)	-	询价	8706	东芝半导体和存储	U-MOSVI-H	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK50P03	MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000			N沟道	30V	50A（塔）	4.5V、10V	7.5毫欧@25A，10V	2.3V@200μA	10V时为25.3nC	±20V	1700pF@10V	-	47W（温度）
RN1111CT(TPL3)	-	询价	5359	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SC-101、SOT-883	RN1111		50毫W	CST3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000																					20V	50毫安	100nA（ICBO）			NPN - 预偏置	150mV@250μA，5mA	300@1mA，5V		10欧姆
2SK2376(Q)	-	询价	4520	东芝半导体和存储	-	管子	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3，微型	2SK2376	MOSFET（金属O化物）		TO-220FL	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	60V	45A（塔）	4V、10V	17毫欧@25A，10V	2V@1mA	110nC@10V	±20V	3350pF@10V	-	100W（温度）
TK100E10N1,S1X	3.9800	询价	147	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK100E10	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	不适用		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	100伏	100A（塔）	10V	3.4毫欧@50A，10V	4V@1mA	140nC@10V	±20V	8800pF@50V	-	255W（温度）
TK8A50DA(STA4,Q,M)	1.6000	询价	2557	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK8A50	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	500V	7.5A（塔）	10V	1.04欧姆@3.8A，10V	4.4V@1mA	16nC@10V	±30V	700pF@25V	-	35W（温度）
RN1108ACT(TPL3)	-	询价	7969	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SC-101、SOT-883	RN1108		100毫W	CST3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000																					50V	80毫安	500纳安			NPN - 预偏置	150mV@250μA，5mA	80@10mA，5V		22欧姆	47欧姆
TK10A80W,S4X	2.8400	询价	4462	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极		150℃	通孔	TO-220-3全包	TK10A80	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	不适用		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	800V	9.5A（塔）	10V	550mOhm@4.8A，10V	4V@450μA	19nC@10V	±20V	1150 pF @ 300 V	-	40W（温度）
RN2302,LF	0.0379	询价	2065	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2302		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																					50V	100毫安	500纳安			PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	10欧姆	10欧姆
CUS05S30,H3F	0.3100	询价	33	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-76、SOD-323	CUS05S30	肖特基		南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												30V	340毫伏@100毫安		10V时为150μA	125℃（最高）	500毫安	55pF @ 0V、1MHz
SSM6N15AFE，LM	0.3500	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6N15	MOSFET（金属O化物）	150毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000	2 个 N 沟道（双）			30V	100毫安		4欧姆@10mA，4V	1.5V@100μA	-		13.5pF@3V	逻辑电平门
RN2318(TE85L,F)	0.2600	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2318		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																					50V	100毫安	500纳安			PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	47欧姆	10欧姆
2SK2719(女)	-	询价	7516	东芝半导体和存储	-	管子	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	2SK2719	MOSFET（金属O化物）		TO-3P(N)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	900伏	3A（塔）	10V	4.3欧姆@1.5A，10V	4V@1mA	25nC@10V	±30V	750pF@25V	-	125W（温度）
TK5A65D(STA4,Q,M)	1.6200	询价	第1402章	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK5A65	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	TK5A65D(STA4QM)	EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	650伏	5A（塔）	10V	1.43欧姆@2.5A，10V	4V@1mA	16nC@10V	±30V	800pF@25V	-	40W（温度）
TDTA124E,LM	0.1800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TDTA124		320毫W	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																					50V	100毫安	500纳安			PNP - 预偏置	300mV@500μA，10mA	56@5mA，5V	250兆赫	22欧姆
RN2113,LF(CT	0.2100	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2113		100毫W	SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																					50V	100毫安	100nA（ICBO）			PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	47欧姆
RN1114(T5L,F,T)	-	询价	5709	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1114		100毫W	SSM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																					50V	100毫安	500纳安			NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	1欧姆	10欧姆
SSM3K361TU，LF	0.4700	询价	5	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极		175℃	表面贴装	3-SMD，写入	SSM3K361	MOSFET（金属O化物）		UFM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道	100伏	3.5A（塔）	4.5V、10V	69毫欧@2A，10V	2.5V@100μA	3.2nC@4.5V	±20V	15V时为430pF	-	1W（塔）
TK58A06N1,S4X	1.3300	询价	46	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK58A06	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	60V	58A（温度）	10V	5.4毫欧@29A，10V	4V@500μA	46nC@10V	±20V	3400pF@30V	-	35W（温度）
2SJ304(女)	-	询价	2391	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SJ304	MOSFET（金属O化物）		TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			P沟道	60V	14A（塔）	4V、10V	120毫欧@7A，10V	2V@1mA	45nC@10V	±20V	1200pF@10V	-	40W（温度）
RN1910,LXHF(CT	0.3600	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1910		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																					50V	100毫安	100nA（ICBO）			2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	-
CRS03(TE85L,Q,M)	0.3900	询价	31	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-123F	CRS03	肖特基		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												30V	450毫伏@1安		30V时为100μA	-40℃～150℃	1A	40pF@10V、1MHz
CRS20I40A(TE85L,QM	0.5000	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-123F	CRS20I40	肖特基		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												40V	600毫伏@2安		60μA@40V	150℃（最高）	2A	35pF@10V，1MHz
2SK3403(Q)	-	询价	第1637章	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3，微型	2SK3403	MOSFET（金属O化物）		TO-220FL	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	450伏	13A（塔）	10V	400mOhm@6A，10V	5V@1mA	34nC@10V	±30V	1600pF@25V	-	100W（温度）
SSM3K7002BSU，LF	-	询价	7505	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	SIC停产		150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	SSM3K7002	MOSFET（金属O化物）		USM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道	60V	200mA（塔）	4.5V、10V	2.1欧姆@500mA，10V	3.1V@250μA		±20V	17pF@25V	-	150毫W（塔）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²