分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	Td（开/关）@ 25°C	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	电容比	电容比条件	Q@Vr，F
SSM3J35AMFV，L3F	0.2500	询价	58	东芝半导体和存储	U-MOSVII	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SOT-723	SSM3J35		MOSFET（金属O化物）		VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	8,000			P沟道		20V	250mA（塔）	1.2V、4.5V	1.4欧姆@150mA，4.5V	1V@100μA		±10V	10V时为42pF	-	150毫W（塔）
CMS03(TE12L)	-	询价	2598	东芝半导体和存储	-	切带 (CT)	过时的		表面贴装	SOD-128	CMS03		肖特基		M-平 (2.4x3.8)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													30V	450毫伏 @ 3安	30V时为500μA	-40℃～150℃	3A	-
RN1710，LF	0.3100	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	RN1710			200毫W	无人艇	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	3,000																						50V	100毫安							100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	-
TPC8212-H(TE12LQ,M	-	询价	9667	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	TPC8212		MOSFET（金属O化物）	450毫W	8-SOP (5.5x6.0)	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）				30V	6A		21毫欧@3A，10V	2.3V@1mA	16nC@10V		840pF@10V	逻辑电平门
RN4910,LXHF(CT	0.4400	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4910			200毫W	美国6号	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	100毫安							100nA（ICBO）	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫、250兆赫	4.7k欧姆	-
TDTA123J,LM	0.1800	询价	7429	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TDTA123			320毫W	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	3,000																						50V	100毫安							500纳安	PNP - 预偏置	300mV@500μA，10mA	80@10mA，5V	250兆赫	2.2欧姆
2SC5171,ONKQ(J	-	询价	7689	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SC5171			2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	1																						180伏	2A							5μA（ICBO）	NPN	1V@100mA，1A	100@100mA，5V	200兆赫
TK33S10N1Z,LXHQ	1.4200	询价	8142	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK33S10		MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,000			N沟道		100伏	33A（塔）	10V	9.7毫欧@16.5A，10V	4V@500μA	28nC@10V	±20V	2050pF@10V	-	125W（温度）
RN2104CT(TPL3)	-	询价	9555	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN2104			50毫W	CST3	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	10,000																						20V	50毫安							500纳安	PNP - 预偏置	150mV@250μA，5mA	120@10mA，5V		47欧姆	47欧姆
2SB1481(TOJS,Q,M)	-	询价	3254	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SB1481			2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	1																						100伏	4A							2μA（ICBO）	国民党	1.5V@6mA，3A	2000 @ 3A，2V	-
RN1103MFV(TPL3)	0.0433	询价	6128	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1103			150毫W	VESM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	8,000																						50V	100毫安							500纳安	NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	70@10mA，5V		22欧姆	22欧姆
1SV325、H3F	0.3800	询价	7628	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-79、SOD-523	1SV325				ESC键	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.30.0080	4,000																				12pF@4V，1MHz								单身的	10V								4.3	C1/C4	-
2SC4604,T6F(中	-	询价	4358	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC4604			900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	1																						50V	3A							100nA（ICBO）	NPN	500mV@75mA，1.5A	120@100mA，2V	100兆赫兹
RN2701JE(TE85L,F)	0.4800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-553	RN2701			100毫W	ESV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	4,000																						50V	100毫安							100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）（发射极耦合）	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	200兆赫	4.7k欧姆	4.7k欧姆
RN2106MFV,L3F(CT	0.1800	询价	33	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN2106			150毫W	VESM	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	8,000																						50V	100毫安							500纳安	PNP - 预偏置	300mV@500μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	47欧姆
RN2105MFV,L3F(CT	0.1800	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN2105			150毫W	VESM	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	8,000																						50V	100毫安							500纳安	PNP - 预偏置	300mV@500μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	2.2欧姆	47欧姆
HN1A01FE-GR,LF	0.3300	询价	4	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	HN1A01			100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	4,000																						50V	150毫安							100nA（ICBO）	2 PNP（双）	300毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	80兆赫
CUS05S30,H3F	0.3100	询价	33	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-76、SOD-323	CUS05S30		肖特基		南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0070	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													30V	340毫伏@100毫安	10V时为150μA	125℃（最高）	500毫安	55pF @ 0V、1MHz
TPH1R204PL,L1Q	1.5500	询价	4	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH1R204		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000			N沟道		40V	150A（温度）	4.5V、10V	1.24毫欧@50A，10V	2.4V@500μA	74nC@10V	±20V	7200pF@20V	-	960mW（Ta）、132W（Tc）
CRS03(TE85L,Q,M)	0.3900	询价	31	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOD-123F	CRS03		肖特基		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													30V	450毫伏@1安	30V时为100μA	-40℃～150℃	1A	40pF@10V、1MHz
2SC2229-O(T6SAN2FM	-	询价	1326	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2229			800毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		2SC2229OT6SAN2FM	EAR99	8541.21.0075	1																						150伏	50毫安							100nA（ICBO）	NPN	500mV@1mA、10mA	70@10mA，5V	120兆赫
SSM5N16FU,LF	0.4500	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	SSM5N16		MOSFET（金属O化物）	200毫W（塔）	无人艇	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）				20V	100mA（塔）		3欧姆@10mA，4V	1.1V@100μA	-		9.3pF@3V	-
2SC4604,T6F(J	-	询价	8219	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC4604			900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	1																						50V	3A							100nA（ICBO）	NPN	500mV@75mA，1.5A	120@100mA，2V	100兆赫兹
RN1307,LXHF	0.3900	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1307			100毫W	SC-70	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	100毫安							500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	10欧姆	47欧姆
GT50J341,Q	3.5900	询价	3865	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	175°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3		标准		200W	TO-3P(N)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50				-																	-	600伏	50A	100A	2.2V@15V，50A	-	-
2SD2129，ALPSQ(M	-	询价	9406	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SD2129			2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	1																						100伏	3A							100μA（ICBO）	NPN	2V@12mA，3A	2000@1.5A，3V	-
CLS03(TE16R,Q)	-	询价	7771	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		表面贴装	L-薄™	CLS03		肖特基		L-FLAT™ (4x5.5)	下载		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													60V	580毫伏@10安	1毫安@60伏	-40℃～125℃	10A	345pF@10V、1MHz
SSM3J143TU，LF	0.4500	询价	4	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	3-SMD，写入	SSM3J143		MOSFET（金属O化物）		UFM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000			P沟道		20V	5.5A（塔）	1.5V、4.5V	29.8毫欧@3A，4.5V	1V@1mA	12.8nC@4.5V	+6V、-8V	10V时为840pF	-	500毫W（塔）
RN2110,LXHF(CT	0.3300	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2110			100毫W	SSM	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	100毫安							100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	4.7欧姆
TK5A65D(STA4,Q,M)	1.6200	询价	第1402章	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK5A65		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		TK5A65D(STA4QM)	EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		650伏	5A（塔）	10V	1.43欧姆@2.5A，10V	4V@1mA	16nC@10V	±30V	800pF@25V	-	40W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²