分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
SSM5N15FE(TE85L,F)	0.4500	询价	3	东芝半导体和存储	π-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SOT-553	SSM5N15		MOSFET（金属O化物）		ESV	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	4,000			N沟道					30V	100mA（塔）	2.5V、4V	4欧姆@10mA，4V	1.5V@100μA		±20V	7.8pF@3V	-	150毫W（塔）
SSM3J112TU，LF	0.4500	询价	9931	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	3-SMD，写入	SSM3J112		MOSFET（金属O化物）		UFM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000			P沟道					30V	1.1A（塔）	4V、10V	390毫欧@500毫安，10伏	1.8V@100μA		±20V	15V时为86pF	-	800毫W（塔）
TK7J90E,S1E	2.7000	询价	25	东芝半导体和存储	π-MOSVIII	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	TK7J90		MOSFET（金属O化物）		TO-3P(N)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	25			N沟道					900伏	7A（塔）	10V	2欧姆@3.5A，10V	4V@700μA	32nC@10V	±30V	1350pF@25V	-	200W（温度）
TK16A60W,S4VX	2.9700	询价	50	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK16A60		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50			N沟道					600伏	15.8A（塔）	10V	190毫欧@7.9A，10V	3.7V@790μA	38nC@10V	±30V	1350 pF @ 300 V	-	40W（温度）
TK5Q60W,S1VQ	1.8600	询价	2135	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	TK5Q60		MOSFET（金属O化物）		爱帕克	-	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	75			N沟道					600伏	5.4A（塔）	10V	900毫欧@2.7A，10V	3.7V@270μA	10V时为10.5nC	±30V	380 pF @ 300 V	-	60W（温度）
SSM3J118TU，LF	0.4800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	3-SMD，写入			MOSFET（金属O化物）		UFM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000			P沟道					30V	1.4A（塔）	4V、10V	240毫欧@650mA，10V	2.6V@1mA		±20V	137pF@15V	-	500毫W（塔）
TPC8026(TE12L,Q,M)	-	询价	6957	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	TPC8026		MOSFET（金属O化物）		8-SOP (5.5x6.0)	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道					30V	13A（塔）	4.5V、10V	6.6毫欧@6.5A，10V	2.5V@1mA	42nC@10V	±20V	1800pF@10V	-	1W（塔）
2SC2235-Y,USNHF(M	-	询价	6441	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2235			900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	1																									120V	800毫安		100nA（ICBO）	NPN	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
SSM5N15FU，LF	0.4300	询价	2	东芝半导体和存储	π-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	SSM5N15		MOSFET（金属O化物）		5-SSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道					30V	100mA（塔）	2.5V、4V	4欧姆@10mA，4V	-		±20V	7.8pF@3V	-	200毫W（塔）
RN1103,LXHF(CT	0.3300	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1103			100毫W	SSM	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000																									50V	100毫安		500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	22欧姆	22欧姆
TPH8R008NH,L1Q	1.6400	询价	5756	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH8R008		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000			N沟道					80V	34A（温度）	10V	8毫欧@17A，10V	4V@500μA	35nC@10V	±20V	3000pF@40V	-	1.6W（Ta）、61W（Tc）
CUS15S40、H3F	0.3900	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-76、SOD-323	CUS15S40		肖特基		南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）																	40V	450毫伏@1安	40V时为200μA	125℃（最高）	1.5A	170pF @ 0V、1MHz
TW107Z65C,S1F	8.7500	询价	110	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		175℃	通孔	TO-247-4			SiC（碳化硅结晶体管）		TO-247-4L(X)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	30			N沟道					650伏	20A（温度）	18V	152mOhm@10A，18V	5V@1.2mA	21nC@18V	+25V，-10V	600 pF @ 400 V	-	76W（温度）
TK12A55D(STA4,Q,M)	2.8400	询价	5060	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK12A55		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50			N沟道					550伏	12A（塔）	10V	570毫欧@6A，10V	4V@1mA	28nC@10V	±30V	1550pF@25V	-	45W（温度）
TK11A55D(STA4,Q,M)	2.5900	询价	5991	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK11A55		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50			N沟道					550伏	11A（塔）	10V	630毫欧@5.5A，10V	4V@1mA	25nC@10V	±30V	1350pF@25V	-	45W（温度）
2SA1680,F(J	-	询价	4997	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1680			900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	1																									50V	2A		1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	120@100mA，2V	100兆赫兹
TK14G65W5,RQ	1.5362	询价	7882	东芝半导体和存储	DTMOSIV	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	TK14G65		MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	1,000			N沟道					650伏	13.7A（塔）	10V	300毫欧@6.9A，10V	4.5V@690μA	40nC@10V	±30V	1300 pF @ 300 V	-	130W（温度）
RN2101MFV,L3XHF(CT	0.3400	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-723	RN2101			150毫W	VESM	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	8,000																									50V	100毫安		500纳安	PNP - 预偏置	300mV@500μA，5mA	30@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	4.7欧姆
TPCA8A04-H(TE12L,Q	-	询价	9760	东芝半导体和存储	U-MOSV-H	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8A04		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道					30V	44A（塔）	4.5V、10V	3.2毫欧@22A，10V	2.3V@1mA	59nC@10V	±20V	5700pF@10V	-	-
TK10E80W,S1X	3.6500	询价	50	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极		150℃	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50			N沟道					800V	9.5A（塔）	10V	550mOhm@4.8A，10V	4V@450μA	19nC@10V	±20V	1150 pF @ 300 V	-	130W（温度）
2SC2235-Y(T6KMATFM	-	询价	9620	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2235			900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		2SC2235YT6KMATFM	EAR99	8541.21.0075	1																									120V	800毫安		100nA（ICBO）	NPN	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
TK72E12N1,S1X	2.5300	询价	42	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK72E12		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50			N沟道					120V	72A（塔）	10V	4.4毫欧@36A，10V	4V@1mA	130nC@10V	±20V	8100pF@60V	-	255W（温度）
TK7S10N1Z,LQ	1.4900	询价	77	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极		175°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK7S10		MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,000			N沟道					100伏	7A（塔）	10V	48毫欧@3.5A，10V	4V@100μA	10V时为7.1nC	±20V	470pF@10V	-	50W（温度）
TK16A55D(STA4,Q,M)	-	询价	3760	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK16A55		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50			N沟道					550伏	16A（塔）		330mOhm@8A，10V	4V@1mA	45nC@10V		2600pF@25V	-	-
CBS10S40,L3F	0.4300	询价	10	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	2-SMD，无铅	CBS10S40		肖特基		CST2B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	10,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）																	40V	550毫伏@1安	40V时为150μA	125℃（最高）	1A	120pF @ 0V、1MHz
TTC014，L1NV	0.9900	询价	8196	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63				1W	PW-模具	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,000																									800V	1A		100nA（ICBO）	NPN	1V@50mA、500mA	100@100mA，5V	-
1SS321，低频	0.3200	询价	41	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	1SS321		肖特基		S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0070	3,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度																	10V	1V@50mA	10V时为500nA	125℃（最高）	50毫安	3.2pF @ 0V、1MHz
2SC1627A-O，PASF(M	-	询价	7005	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC1627			800毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	1																									80V	400毫安		100nA（ICBO）	NPN	400mV@20mA，200A	70@50mA，2V	100兆赫兹
3SK292(TE85R,F)	-	询价	9325	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	12.5V		表面贴装	SC-61AA	3SK292	500兆赫	场效应管		小型MQ	-	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应			30毫安	10毫安	-	26分贝											1.4分贝									6V
TK40P03M1(T6RSS-Q)	-	询价	4208	东芝半导体和存储	U-MOSVI-H	卷带式 (TR)	过时的		-	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK40P03		MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,000			N沟道					30V	40A（塔）	4.5V、10V	10.8毫欧@20A，10V	2.3V@100μA	17.5nC@10V	±20V	1150pF@10V	-	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²