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离散半导体产品（（2909）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
2SC2859-y te85l，f）	-	RFQ	8762	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		125°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SC2859			150兆	S-Mini	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																		30 V	500 MA		100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	120 @ 100mA，1V	300MHz
RN2904，LXHF（ct	0.4400	RFQ	2	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN2904			200MW	US6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																		50V	100mA		500NA	2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz	47kohms	47kohms
TK3R1A04PL，S4X	1.2700	RFQ	3177	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	管子	积极的		175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK3R1A04		MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	不适用		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	82A（TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 30a，4.5V	2.4V @ 500µA	63.4 NC @ 10 V	±20V	4670 pf @ 20 V	-	36W（TC）
TDTA124E，LM	0.1800	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TDTA124			320兆W	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																		50 V	100 ma		500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	250 MHz	22 KOHMS
2SA1931，Q（j	-	RFQ	8362	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SA1931			2 w	TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1																		50 V	5 a		1µA（ICBO）	PNP	400mv @ 200mA，2a	100 @ 1A，1V	60MHz
SSM3J321T（TE85L，f）	-	RFQ	4337	东芝半导体和存储	U-MOSV	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SSM3J321		MOSFET （金属 o化物）		TSM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道					20 v	5.2a（ta）	1.5V，4.5V	46mohm @ 3A，4.5V	1V @ 1mA	8.1 NC @ 4.5 V	±8V	640 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
2SK2507（f）	-	RFQ	5339	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SK2507		MOSFET （金属 o化物）		TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					50 V	25A（TA）	4V，10V	46mohm @ 12a，10v	2V @ 1mA	25 NC @ 10 V	±20V	900 pf @ 10 V	-	30W（TC）
2SK3313（Q）	-	RFQ	1994	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SK3313		MOSFET （金属 o化物）		TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					500 v	12a（12a）	10V	620Mohm @ 6a，10v	4V @ 1mA	45 NC @ 10 V	±30V	2040 pf @ 10 V	-	40W（TC）
TPCA8047-H （T2L1，VM	-	RFQ	4456	东芝半导体和存储	U-Mosvi-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C	表面安装	8-Powervdfn	TPCA8047		MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					40 V	32a（ta）	4.5V，10V	7.3mohm @ 16a，10v	2.3V @ 500µA	43 NC @ 10 V	±20V	3365 pf @ 10 V	-	1.6W（ta），45W（tc）
2SA2061（TE85L，F）	0.5000	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				625兆	TSM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	264-2SA2061（TE85L，F）DKR	Ear99	8541.21.0095	3,000																		20 v	2.5 a		100NA（ICBO）	PNP	190MV @ 53mA，1.6a	200 @ 500mA，2V	-
RN1709JE（TE85L，F）	0.4000	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-553	RN1709			100MW	ESV	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	4,000																		50V	100mA		500NA	2（NPN- 预偏（双重）（）（）	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	250MHz	47kohms	22KOHMS
HN1B04FU-gr，LF	0.3300	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		125°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	HN1B04			200MW	US6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																		50V	150mA		100NA（ICBO）	NPN，PNP	250mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	150MHz
RN1314（TE85L，F）	0.0474	RFQ	7121	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	RN1314			100兆	SC-70	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																		50 V	100 ma		500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	250 MHz	1 kohms	10 kohms
TK4R3E06PL，S1X	1.5200	RFQ	400	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	管子	积极的		175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TK4R3E06		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					60 V	80A（TC）	4.5V，10V	7.2MOHM @ 15A，4.5V	2.5V @ 500µA	48.2 NC @ 10 V	±20V	3280 pf @ 30 V	-	87W（TC）
RN1604（TE85L，F）	0.0618	RFQ	1849年	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-74，SOT-457	RN1604			300MW	SM6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																		50V	100mA		100NA（ICBO）	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz	47kohms	47kohms
HN4B04J（TE85L，F）	-	RFQ	8248	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-74A，SOT-753	HN4B04			300MW	SMV	-		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																		30V	500mA		100µA（ICBO）	NPN，PNP	250mv @ 10mA，100mA	70 @ 100mA，1V	200MHz
RN1905，LF	-	RFQ	6546	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN1905			200MW	US6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																		50V	100mA		500NA	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz	2.2kohms	47kohms
ttb1067b，q（s	-	RFQ	8529	东芝半导体和存储	*	管子	积极的					TTB1067					下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	250
RN1908 （T5L，F，T）	0.3400	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN1908			200MW	US6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																		50V	100mA		100NA（ICBO）	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz	22KOHMS	47kohms
TK2Q60D Q）	0.9400	RFQ	6036	东芝半导体和存储	π-mosvii	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	TK2Q60		MOSFET （金属 o化物）		PW-mold2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	TK2Q60DQ	Ear99	8541.29.0095	200		n通道					600 v	2A（TA）	10V	4.3OHM @ 1A，10V	4.4V @ 1mA	7 NC @ 10 V	±30V	280 pf @ 25 V	-	60W（TC）
rn1911fe，lf（Ct	0.2400	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666	RN1911			100MW	ES6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	4,000																		50V	100mA		100NA（ICBO）	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	250MHz	10KOHMS	-
RN2305，LF	0.1800	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	RN2305			100兆	SC-70	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																		50 V	100 ma		500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
SSM3K15AFU，LF	0.2300	RFQ	102	东芝半导体和存储	U-Mosiii	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	SSM3K15		MOSFET （金属 o化物）		USM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					30 V	（100mA）（TA）	2.5V，4V	3.6OHM @ 10mA，4V	1.5V @ 100µA		±20V	13.5 pf @ 3 V	-	150MW（TA）
3SK293（TE85L，F）	0.5200	RFQ	6	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	12.5 v		表面安装	SC-82A，SOT-343	3SK293	800MHz	MOSFET		USQ	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门		30mA	10 MA	-	22DB											2.5dB			6 V
TK16E60W，S1VX	2.8600	RFQ	4631	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TK16E60		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	15.8A（TA）	10V	190mohm @ 7.9a，10v	3.7V @ 790µA	38 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 300 V	-	130W（TC）
RN2405，LXHF	0.3500	RFQ	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN2405			200兆	S-Mini	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																		50 V	100 ma		500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
RN2909FE，LXHF（ct	0.3800	RFQ	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666	RN2909			100MW	ES6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000																		50V	100mA		500NA	2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	200MHz	47kohms	22KOHMS
2SC4604，f（j	-	RFQ	8562	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC4604			900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																		50 V	3 a		100NA（ICBO）	NPN	500MV @ 75mA，1.5a	120 @ 100mA，2V	100MHz
TK20E60W5，S1VX	3.5500	RFQ	6535	东芝半导体和存储	-	管子	积极的		150°C	通过洞	TO-220-3	TK20E60		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	20A（TA）	10V	175mohm @ 10a，10v	4.5V @ 1mA	55 NC @ 10 V	±30V	1800 PF @ 300 V	-	165W（TC）
2SC5232BTE85LF	0.1300	RFQ	1	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		125°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2SC5232			150兆	SC-59	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																		12 v	500 MA		100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，200mA	500 @ 10mA，2V	130MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2909）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²