分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电压 - 击穿 (V(BR)GSS)	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	电流消耗 (Id) - 最大
TK25A60X,S5X	4.0100	询价	3	东芝半导体和存储	DTMOSIV-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK25A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	600伏	25A（塔）	10V	125mOhm@7.5A，10V	3.5V@1.2mA	40nC@10V	±30V	2400 pF @ 300 V	-	45W（温度）
TW070J120B,S1Q	32.4200	询价	104	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	-55℃～175℃	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	TW070J120	SiCFET（碳化硅）		TO-3P(N)	下载		1（无限制）	264-TW070J120BS1Q	EAR99	8541.29.0095	25			N沟道	1200伏	36A（温度）	20V	90毫欧@18A，20V	5.8V@20mA	67nC@20V	±25V、-10V	800V时为1680pF	标准	272W（温度）
RN1119MFV，L3F	0.1800	询价	6434	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1119		150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000																						50V	100毫安				100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	120@1mA，5V		1欧姆
SSM5N15FE(TE85L,F)	0.4500	询价	3	东芝半导体和存储	π-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-553	SSM5N15	MOSFET（金属O化物）		ESV	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000			N沟道	30V	100mA（塔）	2.5V、4V	4欧姆@10mA，4V	1.5V@100μA		±20V	7.8pF@3V	-	150毫W（塔）
2SJ304(女)	-	询价	2391	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SJ304	MOSFET（金属O化物）		TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			P沟道	60V	14A（塔）	4V、10V	120毫欧@7A，10V	2V@1mA	45nC@10V	±20V	1200pF@10V	-	40W（温度）
TTA1713-Y,LF	0.3100	询价	12	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TTA1713		200毫W	S-迷你型	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																						45V	500毫安				100nA（ICBO）	国民党	400毫伏@50毫安，500毫安	120@100mA，1V	80兆赫
2SK209-Y(TE85L,F)	0.4700	询价	19	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SK209		150毫W	SC-59	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道								13pF@10V													50V	14毫安@10伏	1.5V@100nA								14毫安
2SK3670(女、男)	-	询价	3769	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SK3670			TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	1					670毫安（Tj）
RN2103,LF(CT	0.2100	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2103		100毫W	SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																						50V	100毫安				500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	22欧姆	22欧姆
RN2105MFV,L3F	-	询价	8823	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN2105		150毫W	VESM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	RN2105MFVL3F	EAR99	8541.21.0095	8,000																						50V	100毫安				100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@500μA，5mA	80@10mA，5V		2.2欧姆	47欧姆
CRS30I40A(TE85L,QM	0.4400	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOD-123F	CRS30I40	肖特基		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													40V		550毫伏 @ 3安	40V时为100μA	150℃（最高）	3A	62pF@10V，1MHz
RN4988FE,LF(CT	0.2500	询价	8319	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4988		100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	4,000																						50V	100毫安				500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	22k欧姆	47k欧姆
TDTA124E,LM	0.1800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TDTA124		320毫W	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																						50V	100毫安				500纳安	PNP - 预偏置	300mV@500μA，10mA	56@5mA，5V	250兆赫	22欧姆
SSM6N36TU，LF	0.3800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6N36	MOSFET（金属O化物）	500毫W（塔）	六氯化铀	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）			20V	500mA（塔）		630mOhm@200mA，5V	1V@1mA	1.23nC@4V		46pF@10V	逻辑电平门，1.5V驱动
TPCC8009,LQ(O	-	询价	6494	东芝半导体和存储	U-MOSIV	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCC8009	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道	30V	24A（塔）		7毫欧@12A，10V	3V@200μA	26nC@10V		1270pF@10V	-	-
2SC2712-OTE85LF	0.2000	询价	23	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SC2712		150毫W	TO-236	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	150毫安				100nA（ICBO）	NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	70@2mA，6V	80兆赫
CES388，L3F	0.2000	询价	52	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-79、SOD-523	CES388	肖特基		ESC键	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	8,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度													40V		600 毫伏 @ 100 毫安	5μA@40V	125℃（最高）	100毫安	25pF @ 0V、1MHz
SSM5N16FUTE85LF	-	询价	5880	东芝半导体和存储	π-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	SSM5N16	MOSFET（金属O化物）		5-SSOP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道	20V	100mA（塔）	1.5V、4V	3欧姆@10mA，4V	-		±10V	9.3pF@3V	-	200毫W（塔）
2SA1020-Y(T6ND3,AF	-	询价	3760	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1020		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																						50V	2A				1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
TK2A65D(STA4,Q,M)	1.4400	询价	6893	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK2A65	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	650伏	2A（塔）	10V	3.26欧姆@1A，10V	4.4V@1mA	9nC@10V	±30V	380pF@25V	-	30W（温度）
1SS402TE85LF	0.3800	询价	25	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-82	1SS402	肖特基		南昆士兰大学	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度												2 独立	20V	50毫安	550 毫伏 @ 50 毫安	20V时为500nA	125℃（最高）
TPCL4202(TE85L,F)	-	询价	3500	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	4-XFLGA	TPCL4202	MOSFET（金属O化物）	500毫W	4 芯片 LGA (1.59x1.59)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000	2个N沟道（半桥）			-	-		-	1.2V@200μA	-		780pF@10V	-
CLS03(TE16L,PSD,Q)	-	询价	6614	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		表面贴装	L-薄™	CLS03	肖特基		L-FLAT™ (4x5.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													60V		580毫伏@10安	1毫安@60伏	-40℃～125℃	10A	345pF@10V、1MHz
2SC4944-GR(TE85L,F	0.3500	询价	11	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	2SC4944		200毫W	无人艇	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	150毫安				100nA（ICBO）	NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	80兆赫
RN1107CT(TPL3)	-	询价	1269	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN1107		50毫W	CST3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000																						20V	50毫安				500纳安	NPN - 预偏置	150mV@250μA，5mA	120@10mA，5V		10欧姆	47欧姆
RN2502(TE85L,F)	0.4700	询价	670	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74A、SOT-753	RN2502		300毫W	SMV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	100毫安				100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）（发射极耦合）	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	10k欧姆	10k欧姆
RN4903,LXHF(CT	0.4400	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4903		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																						50V	100毫安				500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫、250兆赫	22k欧姆	22k欧姆
RN1107ACT(TPL3)	0.3400	询价	9	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN1107		100毫W	CST3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000																						50V	80毫安				500纳安	NPN - 预偏置	150mV@250μA，5mA	80@10mA，5V		10欧姆	47欧姆
RN2903,LXHF(CT	0.4400	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2903		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	100毫安				500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	22k欧姆	22k欧姆
TK25E60X,S1X	4.4100	询价	13	东芝半导体和存储	DTMOSIV-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK25E60	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	600伏	25A（塔）	10V	125mOhm@7.5A，10V	3.5V@1.2mA	40nC@10V	±30V	2400 pF @ 300 V	-	180W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²