分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
RN1602(TE85L,F)	0.3800	询价	75	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74、SOT-457	RN1602			300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	100毫安							100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	10k欧姆	10k欧姆
RN2909,LF(CT	0.2800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2909			200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	3,000																						50V	100毫安							500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	47k欧姆	22k欧姆
TK4A65DA(STA4,Q,M)	-	询价	7758	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK4A65		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		650伏	3.5A（塔）	10V	1.9欧姆@1.8A，10V	4.4V@1mA	12nC@10V	±30V	600pF@25V	-	35W（温度）
TRS6E65H,S1Q	2.3200	询价	400	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		通孔	TO-220-2			SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2L	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		264-TRS6E65H，S1Q	EAR99	8541.10.0080	50	无恢复T>500mA(Io)													650伏	1.35V@6A	0纳秒	650V时为70μA	175℃	6A	392pF@1V、1MHz
2SK879-Y(TE85L,F)	0.4200	询价	24	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SK879			100毫W	USM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道									8.2pF@10V																	1.2毫安@10伏	400毫伏@100纳安
RN1113MFV，L3F	0.1800	询价	7550	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1113			150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	8,000																						50V	100毫安							100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	120@1mA，5V		47欧姆
RN2907FE,LXHF(CT	0.3800	询价	7	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN2907			100毫W	ES6	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	4,000																						50V	100毫安							500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	10k欧姆	47k欧姆
SSM3K302T(TE85L,F)	-	询价	9175	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SSM3K302		MOSFET（金属O化物）		TSM	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道		30V	3A（塔）	1.8V、4V	71毫欧@2A、4V	-	4.3nC@4V	±12V	270pF@10V	-	700毫W（塔）
TK6R7A10PL,S4X	1.5200	询价	2989	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	175℃	通孔	TO-220-3全包	TK6R7A10		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		100伏	56A（温度）	4.5V、10V	6.7毫欧@28A，10V	2.5V@500μA	58nC@10V	±20V	50V时为3455pF	-	42W（温度）
HN3A51F(TE85L,F)	-	询价	2214	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	HN3A51			300毫W	SM6	-		1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	3,000																						120V	100毫安							100nA（ICBO）	2 PNP（双）	300mV@1mA、10mA	200@2mA，6V	100兆赫兹
TK110P10PL,RQ	0.9600	询价	8728	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK110P10		MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		100伏	40A（温度）	4.5V、10V	10.6毫欧@20A，10V	2.5V@300μA	33nC@10V	±20V	2040pF@50V	-	75W（温度）
2SJ168TE85LF	0.9000	询价	17号	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SJ168		MOSFET（金属O化物）		SC-59	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道		60V	200mA（塔）	10V	2欧姆@50mA，10V	-		±20V	10V时为85pF	-	200毫W（塔）
RN1904FE,LF(CT	0.2500	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN1904			100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	4,000																						50V	100毫安							100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	47k欧姆	47k欧姆
XPH4R714MC,L1XHQ	1.7700	询价	53	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-SOIC（0.197英寸，5.00毫米宽）	XPH4R714		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	5,000		P沟道		40V	60A（塔）	4.5V、10V	4.7毫欧@30A，10V	2.1V@1mA	160nC@10V	+10V，-20V	5640pF@10V	-	960mW（Ta）、132W（Tc）
TTC011B,Q(S	-	询价	1962年	东芝半导体和存储	*	管子	的积极				TTC011					下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	250
2SA1832-GR，LF	0.2000	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416	2SA1832			100毫W	SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	150毫安							100nA（ICBO）	国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	80兆赫
TPH1R204PL,L1Q	1.5500	询价	4	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH1R204		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		40V	150A（温度）	4.5V、10V	1.24毫欧@50A，10V	2.4V@500μA	74nC@10V	±20V	7200pF@20V	-	960mW（Ta）、132W（Tc）
2SA1428-O,T2CLAF(M	-	询价	3673	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SA1428			900毫W	MSTM	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0075	1																						50V	2A							1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
GT15J341,S4X	1.8100	询价	50	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包		标准		30W	TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50			300V，15A，33欧姆，15V													80纳秒					-	600伏	15A	60A	2V@15V，15A	300μJ（开），300μJ（关）	60纳秒/170纳秒
RN1902,LF(CT	0.3500	询价	3188	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1902			200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	100毫安							500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	10k欧姆	10k欧姆
TK31V60W5,LVQ	4.3000	询价	18	东芝半导体和存储	DTMOSIV	卷带式 (TR)	的积极	150℃（TA）	表面贴装	4-VSFN 裸露焊盘	TK31V60		MOSFET（金属O化物）		4-DFN-EP (8x8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		600伏	30.8A（塔）	10V	109毫欧@15.4A，10V	4.5V@1.5mA	105nC@10V	±30V	3000 pF @ 300 V	-	240W（温度）
2SK3798(STA4、Q、M)	1.4000	询价	9938	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	150℃	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		900伏	4A（塔）	10V	3.5欧姆@2A，10V	4V@1mA	26nC@10V	±30V	800pF@25V	-	40W（温度）
TPW1R104PB,L1XHQ	2.2600	询价	10	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerVDFN	TPW1R104		MOSFET（金属O化物）		8-DSOP 高级	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		40V	120A（塔）	6V、10V	1.14毫欧@60A，10V	3V@500μA	55nC@10V	±20V	4560pF@10V	-	960mW（Ta）、132W（Tc）
TK60S06K3L(T6L1,NQ	0.8108	询价	2326	东芝半导体和存储	U-MOSIV	卷带式 (TR)	的积极	175°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK60S06		MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道		60V	60A（塔）	6V、10V	8毫欧@30A，10V	3V@1mA	60nC@10V	±20V	2900pF@10V	-	88W（温度）
2SK2883(TE24L,Q)	-	询价	9932	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	2SK2883		MOSFET（金属O化物）		TO-220SM	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		800V	3A（塔）	10V	3.6欧姆@1.5A，10V	4V@1mA	25nC@10V	±30V	750pF@25V	-	75W（温度）
SSM3K7002BS，LF	-	询价	5298	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SSM3K7002		MOSFET（金属O化物）		S-迷你型	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道		60V	200mA（塔）	4.5V、10V	2.1欧姆@500mA，10V	2.5V@250μA		±20V	17pF@25V	-	200毫W（塔）
RN1103MFV，L3F	0.1700	询价	第254章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1103			150毫W	VESM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	8,000																						50V	100毫安							500纳安	NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	70@10mA，5V		22欧姆	22欧姆
TK8P60W5,RVQ	1.5900	询价	15	东芝半导体和存储	DTMOSIV	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK8P60		MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道		600伏	8A（塔）	10V	560毫欧@4A，10V	4.5V@400μA	22nC@10V	±30V	590 pF @ 300 V	-	80W（温度）
RN2105,LXHF(CT	0.3300	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2105			100毫W	SSM	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	100毫安							500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	2.2欧姆	47欧姆
RN1103,LXHF(CT	0.3300	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1103			100毫W	SSM	下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	100毫安							500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	22欧姆	22欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²