分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	当前 - 最大	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	电阻@If,F	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	电容比	电容比条件	Q@Vr，F
TPCC8105,L1Q	0.8200	询价	3350	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘		MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.3x3.3)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000			P沟道		30V	23A（塔）	4.5V、10V	7.8毫欧@11.5A，10V	2V@500μA	76nC@10V	+20V，-25V	10V时为3240pF	-	700mW（Ta）、30W（Tc）
RN1315,LXHF	0.3900	询价	8527	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1315		100毫W	SC-70	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	100毫安			500纳安		NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	2.2欧姆	10欧姆
RN4982FE,LXHF(CT	0.3800	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4982		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																						50V	100毫安			500纳安		1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	10k欧姆	10k欧姆
TK4K1A60F,S4X	0.8300	询价	8560	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	150℃	通孔	TO-220-3全包	TK4K1A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		600伏	2A（塔）	10V	4.1欧姆@1A，10V	4V@190μA	8nC@10V	±30V	270 pF @ 300 V	-	30W（温度）
1SS394TE85LF	0.3900	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	1SS394	肖特基		SC-59	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度													10V	500 毫伏 @ 100 毫安		10V时为20μA	125℃（最高）	100毫安	40pF @ 0V、1MHz
TJ60S06M3L,LXHQ	1.6500	询价	3	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TJ60S06	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000			P沟道		60V	60A（塔）	6V、10V	11.2毫欧@30A，10V	3V@1mA	156nC@10V	+10V，-20V	7760pF@10V	-	100W（温度）
TK560A65Y,S4X	1.5700	询价	12	东芝半导体和存储	DTMOSV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK560A65	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	不适用		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		650伏	7A（温度）	10V	560毫欧@3.5A，10V	4V@240μA	10V时为14.5nC	±30V	380 pF @ 300 V	-	30W
RN2904FE(T5L,F,T)	-	询价	8069	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN2904		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																						50V	100毫安			100nA（ICBO）		2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	47k欧姆	47k欧姆
2SC4793，HFEF(M	-	询价	4903	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SC4793		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																						230伏	1A			1μA（ICBO）		NPN	1.5V@50mA、500mA	100@100mA，5V	100兆赫兹
DSF07S30U(TPH3,F)	-	询价	5138	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-76、SOD-323	DSF07	肖特基		南加州大学	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													30V	450 毫伏 @ 700 毫安		30V时为50μA	125℃（最高）	700毫安	170pF @ 0V、1MHz
RN1905FE,LF(CT	0.2700	询价	第458章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN1905		100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																						50V	100毫安			500纳安		2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
TPCA8A01-H(TE12L,Q	-	询价	3926	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8A01	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道		30V	36A（塔）	4.5V、10V	5.6毫欧@18A，10V	2.3V@1mA	35nC@10V	±20V	1970pF@10V	-	1.6W（Ta）、45W（Tc）
SSM3J15CT，L3F	0.3100	询价	9	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SC-101、SOT-883		MOSFET（金属O化物）		CST3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000			P沟道		30V	100mA（塔）	2.5V、4V	12欧姆@10mA，4V	1.7V@100μA		±20V	9.1pF@3V	-	100毫W（塔）
SSM3K7002KFU,LXH	0.4000	询价	5	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SC-70、SOT-323		MOSFET（金属O化物）		USM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道		60V	400mA（塔）	4.5V、10V	1.5欧姆@100mA，10V	2.1V@250μA	0.6nC@4.5V	±20V	40pF@10V	-	150毫W（塔）
TPH1R306PL,L1Q	2.0800	询价	4	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH1R306	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000			N沟道		60V	100A（温度）	4.5V、10V	1.34mOhm@50A，10V	2.5V@1mA	91nC@10V	±20V	8100pF@30V	-	960mW（Ta）、170W（Tc）
TK40E10N1,S1X	1.9900	询价	3520	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK40E10	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		100V	90A（温度）	10V	8.2毫欧@20A，10V	4V@500μA	49nC@10V	±20V	3000pF@50V	-	126W（温度）
RN2313，LF	0.1800	询价	4580	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2313		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																						50V	100毫安			100nA（ICBO）		PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	47欧姆
2SA2154CT-GR，L3F	0.3200	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-101、SOT-883	2SA2154		100毫W	CST3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000																						50V	100毫安			100nA（ICBO）		国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	80兆赫
2SK2544(女)	-	询价	7521	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	2SK2544	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		600伏	6A（塔）	10V	1.25欧姆@3A，10V	4V@1mA	30nC@10V	±30V	1300pF@10V	-	80W（温度）
JDV2S09FSTPL3	0.0766	询价	7473	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	150°C（太焦）	表面贴装	2-SMD，写入	JDV2S09			森林管理委员会	-	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	10,000																					11.1pF@1V、1MHz			单身的	10V									2.1	C1/C4	-
SSM6K518NU，LF	0.4100	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	SSM6K518	MOSFET（金属O化物）		6-UDFNB (2x2)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道		20V	6A（塔）	1.5V、4.5V	33毫欧@4A，4.5V	1V@1mA	3.6nC@4.5V	±8V	10V时为410pF	-	1.25W（塔）
1SV239TPH3F	0.4300	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-76、SOD-323	1SV239			南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000																					2pF@10V，1MHz			单身的	15V									2.4	C2/C10	-
SSM6N7002KFU,LXH	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车、AEC-Q101、U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SSM6N7002	MOSFET（金属O化物）	285毫W（塔）	美国6号	下载		1（无限制）	264-SSM6N7002KFULXHCT	EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）				60V	300mA（塔）		1.5欧姆@100mA，10V	2.1V@250μA	0.6nC@4.5V		40pF@10V	-
JDH3D01STE85LF	-	询价	3604	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）		SC-75、SOT-416	JDH3D01			SSM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000				25毫安																	0.6pF@0.2V，1MHz			肖特基	4V		-
XPW6R30ANB,L1XHQ	1.9800	询价	2	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerVDFN	XPW6R30	MOSFET（金属O化物）		8-DSOP 高级	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000			N沟道		100V	45A（塔）	6V、10V	6.3毫欧@22.5A，10V	3.5V@500μA	52nC@10V	±20V	10V时为3240pF	-	960mW（Ta）、132W（Tc）
CLH05,LMBJQ(O	-	询价	5120	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		表面贴装	L-薄™	CLH05	标准		L-FLAT™ (4x5.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													200V	980毫伏@5安	35纳秒	10μA@200V	-40℃～150℃	5A	-
TK1R4F04PB,LXGQ	2.7300	询价	第885章	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	TK1R4F04	MOSFET（金属O化物）		TO-220SM(W)	下载		3（168小时）		EAR99	8541.29.0095	1,000			N沟道		40V	160A（塔）	6V、10V	1.9毫欧@80A，6V	3V@500μA	10V时为103nC	±20V	5500pF@10V	-	205W（温度）
TK72A12N1,S4X	3.0100	询价	20	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK72A12	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		120V	72A（温度）	10V	4.5毫欧@36A，10V	4V@1mA	130nC@10V	±20V	8100pF@60V	-	45W（温度）
RN2109,LF(CT	0.2000	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2109		100毫W	SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																						50V	100毫安			500纳安		PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	47欧姆	22欧姆
TK16N60W,S1VF	4.1900	询价	7281	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	TK16N60	MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30			N沟道		600伏	15.8A（塔）	10V	190毫欧@7.9A，10V	3.7V@790μA	38nC@10V	±30V	1350 pF @ 300 V	-	130W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²