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离散半导体产品（（2909）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | ECCN | htsus | 标准包 | fet | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | VGS（VGS） | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet | （（（） | 电压 -收集器发射器故障（最大） | 电流 -ic（IC）（最大） | 电压 -故障（ v br（br）GSS） | 电流 -idss） @ vds（vgs = 0） | 电压 -截止（ -vgs Off） @ ID | 当前 -收集器截止（最大） | 晶体管类型 | vce 饱和度（最大） @ ib，ic | （HFE）（最小） @ ic，vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座（ -r1） | 电阻 -发射极底座（ r2） | （ID） - 最大 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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 | rn4984fe，lf（Ct | 0.2800 | | 70 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | RN4984 | 100MW | ES6 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100mA | 100NA（ICBO） | 1 npn，1 pnp- 预偏（二） | 300mv @ 250µA，5mA | 80 @ 10mA，5V | 250MHz | 47kohms | 47kohms | ||||||||||||||||||
| RN1908FE（TE85L，F） | 0.0639 | | 7284 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | RN1908 | 100MW | ES6 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100mA | 100NA（ICBO） | 2 NPN- 预偏（双重） | 300mv @ 250µA，5mA | 80 @ 10mA，5V | 250MHz | 22KOHMS | 47kohms | ||||||||||||||||||
| RN1971FE（TE85L，F） | - | | 2787 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | RN1971 | 100MW | ES6 | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100mA | 100NA（ICBO） | 2 NPN- 预偏（双重） | 300mv @ 250µA，5mA | 120 @ 1mA，5V | 250MHz | 10KOHMS | - | |||||||||||||||||||
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| RN1911 （T5L，F，T） | - | | 2298 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | RN1911 | 100MW | US6 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 100NA（ICBO） | 2 NPN- 预偏（双重） | 300mv @ 250µA，5mA | 120 @ 1mA，5V | 250MHz | 4.7kohms | - | ||||||||||||||||||
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| rn2911fe（te85l，f） | 0.3500 | | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | RN2911 | 100MW | ES6 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100mA | 100NA（ICBO） | 2 PNP-） | 300mv @ 250µA，5mA | 120 @ 1mA，5V | 200MHz | 10KOHMS | - | ||||||||||||||||||
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| rn2966fe（te85l，f） | - | | 3228 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | RN2966 | 100MW | ES6 | - | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100mA | 100NA（ICBO） | 2 PNP-） | 300mv @ 250µA，5mA | 80 @ 10mA，5V | 200MHz | 4.7kohms | 47kohms | |||||||||||||||||||
| RN2970FE（TE85L，F） | - | | 8747 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | SOT-563，SOT-666 | RN2970 | 100MW | ES6 | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100mA | 100NA（ICBO） | 2 PNP-） | 300mv @ 250µA，5mA | 120 @ 1mA，5V | 200MHz | 4.7kohms | 10KOHMS | |||||||||||||||||||
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| RN2965（TE85L，F） | 0.4800 | | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | RN2965 | 200MW | US6 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 100NA（ICBO） | 2 PNP-） | 300mv @ 250µA，5mA | 80 @ 10mA，5V | 200MHz | 2.2kohms | 47kohms | ||||||||||||||||||
| RN4901 （T5L，F，T） | - | | 4562 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | RN4901 | 200MW | US6 | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 500NA | 1 npn，1 pnp- 预偏（二） | 300mv @ 250µA，5mA | 30 @ 10mA，5V | 200MHz，250MHz | 4.7kohms | 4.7kohms | |||||||||||||||||||
 | RN1101CT（tpl3） | - | | 2343 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | SC-101，SOT-883 | RN1101 | 50兆 | CST3 | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 20 v | 50 mA | 500NA | npn-预先偏见 | 150mv @ 250µA，5mA | 30 @ 10mA，5V | 4.7科姆斯 | 4.7科姆斯 | ||||||||||||||||||||
| RN1113CT（tpl3） | - | | 5999 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | SC-101，SOT-883 | RN1113 | 50兆 | CST3 | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 20 v | 50 mA | 100NA（ICBO） | npn-预先偏见 | 150mv @ 250µA，5mA | 300 @ 1mA，5v | 47科姆斯 | |||||||||||||||||||||
| RN1103ACT（TPL3） | - | | 8929 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | SC-101，SOT-883 | RN1103 | 100兆 | CST3 | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 50 V | 80 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 150mv @ 250µA，5mA | 70 @ 10mA，5V | 22 KOHMS | 22 KOHMS | ||||||||||||||||||||
 | RN1415（TE85L，F） | 0.3400 | | 29 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | RN1415 | 200兆 | S-Mini | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 250µA，5mA | 50 @ 10mA，5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||
| RN1416，LF | 0.2000 | | 5 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | RN1416 | 200兆 | S-Mini | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 250µA，5mA | 50 @ 10mA，5V | 250 MHz | 4.7科姆斯 | 10 kohms | ||||||||||||||||||
| RN1417（TE85L，F） | 0.3500 | | 384 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | RN1417 | 200兆 | S-Mini | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 250µA，5mA | 30 @ 10mA，5V | 250 MHz | 10 kohms | 4.7科姆斯 | ||||||||||||||||||
| RN1418（TE85L，F） | 0.3400 | | 1 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | RN1418 | 200兆 | S-Mini | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 250µA，5mA | 50 @ 10mA，5V | 250 MHz | 47科姆斯 | 10 kohms | ||||||||||||||||||
 | RN1110 （T5L，F，T） | - | | 5975 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | SC-75，SOT-416 | RN1110 | 100兆 | SSM | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 100NA（ICBO） | npn-预先偏见 | 300mv @ 250µA，5mA | 120 @ 1mA，5V | 250 MHz | 4.7科姆斯 | ||||||||||||||||||||
 | 2SK208-y te85l，f） | 0.4900 | | 7 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 125°C（TJ） | 表面安装 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 2SK208 | 100兆 | S-Mini | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 8.2pf @ 10V | 50 V | 1.2 ma @ 10 V | 400 mv @ 100 na | 6.5 MA | ||||||||||||||||||||
 | 2SK3320-BL（TE85L，f | 0.7500 | | 72 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 125°C（TJ） | 表面安装 | 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 | 2SK3320 | 200兆 | USV | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 13pf @ 10V | 6 mA @ 10 V | 200 mv @ 100 na | ||||||||||||||||||||||
 | TK14A65W，S5X | 2.8200 | | 21 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | dtmosiv | 管子 | 积极的 | 150°C（TJ） | 通过洞 | TO-220-3完整包 | TK14A65 | MOSFET （金属 o化物） | TO-220Si | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 650 v | 13.7A（TA） | 10V | 250mohm @ 6.9a，10v | 3.5V @ 690µA | 35 NC @ 10 V | ±30V | 1300 PF @ 300 V | - | 40W（TC） | |||||||||||||||
 | TK14C65W5，S1Q | - | | 2691 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | dtmosiv | 管子 | 过时的 | 150°C（TJ） | 通过洞 | TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA | TK14C65 | MOSFET （金属 o化物） | i2pak | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 650 v | 13.7A（TA） | 10V | 300mohm @ 6.9a，10v | 4.5V @ 690µA | 40 NC @ 10 V | ±30V | 1300 PF @ 300 V | - | 130W（TC） | |||||||||||||||
| TK30A06N1，S4X | 0.9300 | | 4866 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosviii-H | 管子 | 积极的 | 150°C（TJ） | 通过洞 | TO-220-3完整包 | TK30A06 | MOSFET （金属 o化物） | TO-220Si | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 60 V | 30A（TC） | 10V | 15mohm @ 15a，10v | 4V @ 200µA | 16 NC @ 10 V | ±20V | 1050 pf @ 30 V | - | 25W（TC） |
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