RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（2909）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	电流 -最大	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
TK28N65W5，S1F	6.6700	RFQ	1	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-247-3	TK28N65	MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	30			n通道		650 v	27.6a（ta）	10V	130MOHM @ 13.8A，10V	4.5V @ 1.6mA	90 NC @ 10 V	±30V	3000 PF @ 300 V	-	230W（TC）
TPH1R405PL，L1Q	1.5800	RFQ	9110	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	8-Powervdfn	TPH1R405	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道		45 v	120A（TC）	4.5V，10V	1.4mohm @ 50a，10v	2.4V @ 500µA	74 NC @ 10 V	±20V	6300 PF @ 22.5 V	-	（960MW）（TA），132W（tc）
TPWR6003PL，L1Q	3.0600	RFQ	458	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	8-Powerwdfn	TPWR6003	MOSFET （金属 o化物）		8-dsop提前	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道		30 V	150a（TC）	4.5V，10V	0.6MOHM @ 50a，10v	2.1V @ 1mA	110 NC @ 10 V	±20V	10000 PF @ 15 V	-	960MW（TA），170W（tc）
TK28V65W，LQ	5.2600	RFQ	4	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	4-VSFN暴露垫	TK28V65	MOSFET （金属 o化物）		4-DFN-EP（8x8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		650 v	27.6a（ta）	10V	120MOHM @ 13.8A，10V	3.5V @ 1.6mA	75 NC @ 10 V	±30V	3000 PF @ 300 V	-	240W（TC）
TPH3R70APL，L1Q	1.6400	RFQ	1	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	8-Powervdfn	TPH3R70	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道		100 v	90A（TC）	4.5V，10V	3.7MOHM @ 45A，10V	2.5V @ 1mA	67 NC @ 10 V	±20V	6300 PF @ 50 V	-	960MW（TA），170W（tc）
TPH1R306PL，L1Q	2.0800	RFQ	4	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	8-Powervdfn	TPH1R306	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道		60 V	100A（TC）	4.5V，10V	1.34mohm @ 50a，10v	2.5V @ 1mA	91 NC @ 10 V	±20V	8100 PF @ 30 V	-	960MW（TA），170W（tc）
TPH1500CNH，L1Q	1.9800	RFQ	7	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	8-Powervdfn	TPH1500	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道		150 v	38A（TC）	10V	15.4mohm @ 19a，10v	4V @ 1mA	22 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 75 V	-	1.6W（TA），78W（tc）
TK10A50W，S5X	1.9200	RFQ	144	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包	TK10A50	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		500 v	9.7A（ta）	10V	380MOHM @ 4.9A，10V	3.7V @ 500µA	20 nc @ 10 V	±30V	700 pf @ 300 V	-	30W（TC）
TK28V65W5，LQ	5.5700	RFQ	4	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	4-VSFN暴露垫	TK28V65	MOSFET （金属 o化物）		4-DFN-EP（8x8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		650 v	27.6a（ta）	10V	140MOHM @ 13.8A，10V	4.5V @ 1.6mA	90 NC @ 10 V	±30V	3000 PF @ 300 V	-	240W（TC）
RN2708，LF	0.3100	RFQ	1502	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353	RN2708		200MW	USV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																					50V	100mA			500NA		2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz	22KOHMS	47kohms
RN2418，LF	0.1800	RFQ	7742	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN2418		200兆	S-Mini	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																					50 V	100 ma			500NA		pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	200 MHz	47科姆斯	10 kohms
2SA2154MFVGR，L3F	0.1900	RFQ	7	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	2SA2154		150兆	VESM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	8,000																					50 V	150 ma			100NA（ICBO）		PNP	300mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	80MHz
2SC6100，LF	0.5300	RFQ	42	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，平坦的铅	2SC6100		500兆	UFM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																					50 V	2.5 a			100NA（ICBO）		NPN	140mv @ 20mA，1a	400 @ 300mA，2V	-
SSM6P40TU，LF	0.4800	RFQ	3853	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6P40	MOSFET （金属 o化物）	500MW（TA）	UF6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）				30V	1.4a（ta）		226mohm @ 1A，10V	2V @ 1mA	2.9nc @ 10V		120pf @ 15V	逻辑水平门，4V驱动器
SSM6P54TU，LF	0.4100	RFQ	1	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6P54	MOSFET （金属 o化物）	500MW（TA）	UF6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）				20V	1.2A（TA）		228mohm @ 600mA，2.5V	1V @ 1mA	7.7nc @ 4V		331pf @ 10V	逻辑级别门，1.5V
1SS385，lf（Ct	0.3500	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	1SS385	肖特基		SSM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度													10 v	500 mv @ 100 ma	20 µA @ 10 V	125°c （最大）	100mA	20pf @ 0v，1MHz
TPCC8105，L1Q（cm	-	RFQ	1963年	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	8-vdfn暴露垫	TPCC8105	MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.3x3.3）	-		（1 （无限）	264-TPCC8105L1Q （CMTR	Ear99	8541.29.0095	5,000			P通道		30 V	23a（23A）	4.5V，10V	7.8mohm @ 11.5a，10v	2V @ 500µA	76 NC @ 10 V	+20V，-25V	3240 pf @ 10 V	-	700MW（TA），30W（TC）
XPH6R30ANB，L1XHQ	1.8400	RFQ	9	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	8-SOIC （0.197英寸，5.00mm宽度）	XPH6R30	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道		100 v	45A（TA）	6V，10V	6.3MOHM @ 22.5A，10V	3.5V @ 500µA	52 NC @ 10 V	±20V	3240 pf @ 10 V	-	（960MW）（TA），132W（tc）
CuHS15S40，H3F	0.4800	RFQ	5	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	2-SMD，平坦的铅	CUHS15	肖特基		US2H	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													40 V	510 MV @ 1.5 A	200 µA @ 40 V	150°C （最大）	1.5a	170pf @ 0v，1MHz
TK110A65Z，S4X	4.2300	RFQ	51	东芝半导体和存储	dtmosvi	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包	TK110A65	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		650 v	24A（24A）	10V	110mohm @ 12a，10v	4V @ 1.02mA	40 NC @ 10 V	±30V	2250 pf @ 300 V	-	45W（TC）
TK090U65Z，RQ	5.5000	RFQ	3	东芝半导体和存储	dtmosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	8-Powersfn		MOSFET （金属 o化物）		收费	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道		650 v	30a（TA）	10V	90mohm @ 15a，10v	4V @ 1.27mA	47 NC @ 10 V	±30V	2780 pf @ 300 V	-	230W（TC）
SSM3J140TU，LXHF	0.5500	RFQ	126	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101，U-MOSVI	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	3-SMD，平坦的铅		MOSFET （金属 o化物）		UFM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道		20 v	4.4a（ta）	1.5V，4.5V	25.8mohm @ 4A，4.5V	1V @ 1mA	24.8 NC @ 4.5 V	+6V，-8V	1800 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
TPH1R306PL1，LQ	2.4200	RFQ	9668	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8 SOP Advance（5x5.75）	-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道		60 V	100A（TC）	4.5V，10V	1.34mohm @ 50a，10v	2.5V @ 1mA	91 NC @ 10 V	±20V	8100 PF @ 30 V	-	960MW（TA），210W （TC）
TK3R3E08QM，S1X	2.3500	RFQ	82	东芝半导体和存储	U-MOSX-H	管子	积极的	175°C	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		80 V	120A（TC）	6V，10V	3.3mohm @ 50a，10v	3.5V @ 1.3mA	110 NC @ 10 V	±20V	7670 pf @ 40 V	-	230W（TC）
TK6R8A08QM，S4X	1.2100	RFQ	40	东芝半导体和存储	U-MOSX-H	管子	积极的	175°C	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		80 V	58A（TC）	6V，10V	6.8mohm @ 29a，10v	3.5V @ 500µA	39 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 40 V	-	41W（TC）
RN1909，LXHF（ct	0.3500	RFQ	6	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN1909		200MW	US6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																					50V	100mA			500NA		2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	250MHz	47kohms	22KOHMS
RN2908，LXHF（ct	0.4400	RFQ	6	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN2908		200MW	US6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																					50V	100mA			500NA		2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz	22KOHMS	47kohms
RN1908，LXHF（ct	0.3600	RFQ	6	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN1908		200MW	US6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																					50V	100mA			500NA		2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz	22KOHMS	47kohms
1SS315 [U/D]	-	RFQ	3369	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）		SC-76，SOD-323				南加州大学	下载		（1 （无限）	264-1SS315 [u/d] tr	Ear99	8541.10.0070	3,000				30 ma																0.06pf @ 200mv，1MHz			肖特基 -单身	5V		-
RN2911，LXHF（ct	0.4400	RFQ	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN2911		200MW	US6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																					50V	100mA			100NA（ICBO）		2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	200MHz	10KOHMS	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2909）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²