分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
RN4987,LF(CT	0.3500	询价	4365	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4987			200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	100毫安					500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	10k欧姆	47k欧姆
TK10P50W,RQ	1.7600	询价	2	东芝半导体和存储	DTMOSIV	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道		500V	9.7A（塔）	10V	430毫欧@4.9A，10V	3.7V@500μA	20nC@10V	±30V	700 pF @ 300 V	-	80W（温度）
RN1907,LF(CT	0.2800	询价	9444	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1907			200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	100毫安					500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	10k欧姆	47k欧姆
TPC8109(TE12L)	-	询价	2232	东芝半导体和存储	-	切带 (CT)	过时的		表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	TPC8109		MOSFET（金属O化物）		8-SOP (5.5x6.0)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	10A（塔）		20毫欧@5A，10V	2V@1mA	45nC@10V		2260pF@10V	-
U1GWJ49(TE12L,F)	-	询价	1338	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	TO-243AA	U1GWJ49		肖特基		PW-MINI	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														40V		550毫伏@1安		40V时为500μA	-40℃～125℃	1A	-
TPH4R008NH,L1Q	2.7900	询价	5	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH4R008		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		80V	60A（温度）	10V	4mOhm@30A，10V	4V@1mA	59nC@10V	±20V	5300pF@40V	-	1.6W（Ta）、78W（Tc）
2SC4793，TOA1F（J）	-	询价	2036	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SC4793			2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																								230伏	1A					1μA（ICBO）	NPN	1.5V@50mA、500mA	100@100mA，5V	100兆赫兹
2SC4116-BL,LF	0.1800	询价	第982章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SC4116			100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	150毫安					100nA（ICBO）	NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	350@2mA，6V	80兆赫
1SS184S，LF（D	-	询价	3056	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	1SS184		标准		S-迷你型	下载		1（无限制）	1SS184SLF(D	EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度													1对共轴线	80V	100毫安	1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	125℃（最高）
TRS16N65FB,S1F(S	-	询价	5763	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		通孔	TO-247-3	TRS16N65		SiC（碳化硅）肖特基		TO-247	-	符合RoHS标准	1（无限制）	TRS16N65FBS1F(S	EAR99	8541.10.0080	30	无恢复T>500mA(Io)													1对共轴线	650伏	8A（室外）	1.7V@8A	0纳秒	650V时为90μA	175℃（最高）
TRS6E65C、S1AQ	-	询价	2406	东芝半导体和存储	-	管子	过时的		通孔	TO-220-2	TRS6E65		SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2L	-	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	50	无恢复T>500mA(Io)														650伏		1.7V@6A	0纳秒	650V时为90μA	175℃（最高）	6A	35pF@650V，1MHz
2SK3313(Q)	-	询价	1994年	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SK3313		MOSFET（金属O化物）		TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		500V	12A（塔）	10V	620毫欧@6A，10V	4V@1mA	45nC@10V	±30V	2040pF@10V	-	40W（温度）
TPC8126,LQ(CM	-	询价	6338	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	TPC8126		MOSFET（金属O化物）		8-SOP (5.5x6.0)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	11A（塔）	4.5V、10V	10毫欧@5.5A，10V	2V@500μA	56nC@10V	+20V，-25V	2400pF@10V	-	1W（塔）
2SC2655-Y,T6SWFF(M	-	询价	8656	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2655			900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																								50V	2A					1μA（ICBO）	NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
2SC5200N(S1,E,S)	2.2100	询价	3081	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	2SC5200			150W	TO-3P(N)	下载	符合ROHS3标准	不适用	2SC5200N(S1ES)	EAR99	8541.29.0075	25																								230伏	15A					5μA（ICBO）	NPN	3V@800mA，8A	80@1A，5V	30兆赫兹
RN1310,LF	0.1800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1310			100毫W	SC-70	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																								50V	100毫安					100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	4.7欧姆
DSR01S30SL,L3F	0.3500	询价	49	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	2-SMD，无铅	DSR01S30		肖特基		SL2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	10,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度														30V		620 毫伏 @ 100 毫安		700nA@30V	125℃（最高）	100毫安	8.2pF @ 0V、1MHz
2SC6040(TPF2,Q,M)	-	询价	6660	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SC6040			1W	MSTM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1																								800V	1A					100μA（ICBO）	NPN	1V@100mA、800mA	60@100mA，5V	-
CUHS15S60,H3F	0.4900	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	2-SMD，写入			肖特基		US2H	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														60V		670毫伏@1.5安		60V时为450μA	150℃	1.5A	130pF @ 0V、1MHz
GT50N322A	4.7800	询价	76	东芝半导体和存储	-	托盘	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3		标准		156W	TO-3P(N)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	264-GT50N322A	EAR99	8541.29.0095	50			-															800纳秒					-	1000伏	50A	120A	2.8V@15V，60A	-	-
CTS521,L3F	0.2000	询价	191	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOD-882	CTS521		肖特基		CST2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	10,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														30V		500毫伏@200毫安		30V@30μA	125℃（最高）	200毫安	25pF @ 0V、1MHz
CRS08(TE85L,Q,M)	0.5200	询价	29	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOD-123F	CRS08		肖特基		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														30V		360毫伏@1.5安		1毫安@30伏	-40℃～125℃	1.5A	90pF@10V，1MHz
CLH03(TE16L,Q)	-	询价	2672	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		表面贴装	L-薄™	CLH03		标准		L-FLAT™ (4x5.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														400V			35纳秒		-	3A	-
RN1303(TE85L,F)	-	询价	4362	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1303			100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																								50V	100毫安					500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	22欧姆	22欧姆
2SK2507(女)	-	询价	5339	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SK2507		MOSFET（金属O化物）		TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		50V	25A（塔）	4V、10V	46毫欧@12A，10V	2V@1mA	25nC@10V	±20V	900pF@10V	-	30W（温度）
RN2402,LXHF	0.3400	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2402			200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	100毫安					500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	10欧姆	10欧姆
TPN1R603PL,L1Q	0.8900	询价	63	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN1R603		MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	80A（温度）	4.5V、10V	1.6毫欧@40A，10V	2.1V@300μA	41nC@10V	±20V	15V时为3900pF	-	104W（温度）
TK40S06N1L,LQ	0.9100	询价	7800	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK40S06		MOSFET（金属O化物）		DPAK+	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道		60V	40A（塔）	4.5V、10V	10.5毫欧@20A，10V	2.5V@200μA	26nC@10V	±20V	1650pF@10V	-	88.2W（温度）
ULN2004AFWG，N，E	-	询价	8323	东芝半导体和存储	-	切带 (CT)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	ULN2004			1.25W	16-溶胶	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	2,000																								50V	500毫安					-	7 NPN 达林顿	1.6V@500μA，350mA	1000@350mA，2V	-
2SD2257(CANO、Q、M)	-	询价	9887	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SD2257			2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1																								100伏	3A					10μA（ICBO）	NPN	1.5V@1.5mA，1.5A	2000 @ 2A、2V	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²