分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
2SK2962,F(J	-	询价	4731	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SK2962			TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	1					1A（Tj）
TTB1067B,Q(S	-	询价	8529	东芝半导体和存储	*	管子	的积极				TTB1067				下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	250
CBS10S40,L3F	0.4300	询价	10	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	2-SMD，无铅	CBS10S40	肖特基		CST2B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	10,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												40V	550毫伏@1安		40V时为150μA	125℃（最高）	1A	120pF @ 0V、1MHz
SSM6J801R，LF	0.4300	询价	124	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6J801	MOSFET（金属O化物）		6-TSOP-F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			P沟道	20V	6A（塔）	1.5V、4.5V	32.5毫欧@3A，4.5V	1V@1mA	12.8nC@4.5V	+6V、-8V	10V时为840pF	-	1.5W（塔）
RN2907,LXHF(CT	0.4400	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2907		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																					50V	100毫安			500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	10k欧姆	47k欧姆
TK20G60W,RVQ	2.5000	询价	5025	东芝半导体和存储	DTMOSIV	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	TK20G60	MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1,000			N沟道	600伏	20A（塔）	10V	155mOhm@10A，10V	3.7V@1mA	48nC@10V	±30V	1680 pF @ 300 V	-	165W（温度）
2SA965-Y(T6CANO,FM	-	询价	3779	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA965		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																					120V	800毫安			100nA（ICBO）	国民党	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
TPC8211(TE12L、Q、M)	-	询价	1656	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	TPC8211	MOSFET（金属O化物）	450毫W	8-SOP (5.5x6.0)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）			30V	5.5A		36mOhm@3A，10V	2.5V@1mA	25nC@10V		1250pF@10V	逻辑电平门
RN1426TE85LF	0.4200	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1426		200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																					50V	800毫安			500纳安	NPN - 预偏置	250mV@1mA、50mA	90@100mA，1V	300兆赫	1欧姆	10欧姆
SSM3J374R，LXHF	0.4000	询价	9279	东芝半导体和存储	汽车、AEC-Q101、U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SOT-23-3 读写		MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			P沟道	30V	4A（塔）	4V、10V	71毫欧@3A，10V	2V@100μA	5.9nC@10V	+10V，-20V	280pF@15V	-	1W（塔）
TK35A08N1,S4X	1.0500	询价	24	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK35A08	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	80V	35A（温度）	10V	12.2毫欧@17.5A，10V	4V@300μA	25nC@10V	±20V	1700 pF @ 40 V	-	30W（温度）
SSM6N37CTD(TPL3)	-	询价	2918	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6N37	MOSFET（金属O化物）	140毫W	CST6D	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000	2 个 N 沟道（双）			20V	250毫安		2.2欧姆@100mA，4.5V	1V@1mA	-		12pF@10V	逻辑电平门
TPC6503(TE85L,F,M)	-	询价	1614	东芝半导体和存储	U-MOSVII	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	TPC6503		1.6W	VS-6 (2.9x2.8)	-	符合RoHS标准		TPC6503(TE85LFM)	EAR99	8541.29.0095	3,000																					30V	1.5A			100nA（ICBO）	NPN	120mV@10mA、500mA	400@150mA，2V	-
RN1711,LF	0.3100	询价	1202	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	RN1711		200毫W	无人艇	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																					50V	100毫安			100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	10k欧姆	-
CMS01(TE12L)	-	询价	6249	东芝半导体和存储	-	切带 (CT)	过时的		表面贴装	SOD-128	CMS01	肖特基		M-平 (2.4x3.8)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												30V	370毫伏 @ 3安		5毫安@30伏	-40℃～125℃	3A	-
2SK1828TE85LF	0.3800	询价	10	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SK1828	MOSFET（金属O化物）		SC-59	-	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道	20V	50mA（塔）	2.5V	40欧姆@10mA，2.5V	1.5V@100μA		10V	5.5pF@3V	-	200毫W（塔）
RN1606(TE85L,F)	0.4200	询价	390	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74、SOT-457	RN1606		300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																					50V	100毫安			100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	47k欧姆
RN2306,LXHF	0.3900	询价	2	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2306		100毫W	SC-70	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																					50V	100毫安			500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	4.7欧姆	47欧姆
SSM3K335R，LF	0.4700	询价	95	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3K335	MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道	30V	6A（塔）	4.5V、10V	38毫欧@4A，10V	2.5V@100μA	2.7nC@4.5V	±20V	15V时为340pF	-	1W（塔）
TDTA123J,LM	0.1800	询价	7429	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TDTA123		320毫W	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																					50V	100毫安			500纳安	PNP - 预偏置	300mV@500μA，10mA	80@10mA，5V	250兆赫	2.2欧姆
2SC2655-Y,T6SWFF(M	-	询价	8656	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2655		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																					50V	2A			1μA（ICBO）	NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
TRS10E65H,S1Q	2.8900	询价	340	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		通孔	TO-220-2		SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2L	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	264-TRS10E65H，S1Q	EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)												650伏	1.35V@10A	0纳秒	650V时为100μA	175℃	10A	649pF @ 1V、1MHz
RN2315TE85LF	0.3000	询价	15	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2315		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																					50V	100毫安			500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	2.2欧姆	10欧姆
TK100E10N1,S1X	3.9800	询价	147	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK100E10	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	不适用		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	100伏	100A（塔）	10V	3.4毫欧@50A，10V	4V@1mA	140nC@10V	±20V	8800pF@50V	-	255W（温度）
TPC8022-H(TE12LQ,M	-	询价	4030	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	TPC8022	MOSFET（金属O化物）		8-SOP (5.5x6.0)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道	40V	7.5A（塔）	4.5V、10V	27毫欧@3.8A，10V	2.3V@1mA	11nC@10V	±20V	650pF@10V	-	1W（塔）
RN1602(TE85L,F)	0.3800	询价	75	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74、SOT-457	RN1602		300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																					50V	100毫安			100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	10k欧姆	10k欧姆
RN2909,LF(CT	0.2800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2909		200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																					50V	100毫安			500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	47k欧姆	22k欧姆
TK4A65DA(STA4,Q,M)	-	询价	7758	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK4A65	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	650伏	3.5A（塔）	10V	1.9欧姆@1.8A，10V	4.4V@1mA	12nC@10V	±30V	600pF@25V	-	35W（温度）
TRS6E65H,S1Q	2.3200	询价	400	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		通孔	TO-220-2		SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2L	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	264-TRS6E65H，S1Q	EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)												650伏	1.35V@6A	0纳秒	650V时为70μA	175℃	6A	392pF@1V、1MHz
2SK879-Y(TE85L,F)	0.4200	询价	24	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SK879		100毫W	USM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道								8.2pF@10V												1.2毫安@10伏	400毫伏@100纳安

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²