分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	测试条件	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
CMS11(TE12L,Q,M)	0.6000	询价	13	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOD-128	CMS11		肖特基		M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）															40V		550毫伏@2安		40V时为500μA	-40℃～150℃	2A	95pF@10V，1MHz
2SC4116-O(TE85L,F)	0.0403	询价	8189	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SC4116			100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																										50V	150毫安					100nA（ICBO）	NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	70@2mA，6V	80兆赫
TK2R9E10PL,S1X	2.9000	询价	9020	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	管子	的积极	175℃	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道			100伏	100A（塔）	4.5V、10V	2.9毫欧@50A，10V	2.5V@1mA	161nC@10V	±20V	9500pF@50V	-	306W（温度）
2SC2712-BL,LF	0.2000	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SC2712			150毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																										50V	150毫安					100nA（ICBO）	NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	70@2mA，6V	80兆赫
2SA1428-Y(T2TR,A,F	-	询价	4372	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SA1428			900毫W	MSTM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																										50V	2A					1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
TPC6006-H(TE85L,F)	-	询价	4684	东芝半导体和存储	U-MOSIII-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	TPC6006		MOSFET（金属O化物）		VS-6 (2.9x2.8)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道			40V	3.9A（塔）	4.5V、10V	75毫欧@1.9A，10V	2.3V@1mA	4.4nC@10V	±20V	251pF@10V	-	700毫W（塔）
TK17V65W,LQ	3.4300	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	4-VSFN 裸露焊盘	TK17V65		MOSFET（金属O化物）		4-DFN-EP (8x8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,500人			N沟道			650伏	17.3A（塔）	10V	210毫欧@8.7A，10V	3.5V@900μA	45nC@10V	±30V	1800 pF @ 300 V	-	156W（温度）
2SC6026MFVGR，L3F	0.2000	询价	29	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-723	2SC6026			150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000																										50V	150毫安					100nA（ICBO）	NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	60兆赫
RN4902,LXHF(CT	0.4400	询价	1969年	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4902			200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																										50V	100毫安					500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫、250兆赫	10k欧姆	10k欧姆
TK7Q60W,S1VQ	2.1200	询价	4963	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	TK7Q60		MOSFET（金属O化物）		爱帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	75			N沟道			600伏	7A（塔）	10V	600毫欧@3.5A，10V	3.7V@350μA	15nC@10V	±30V	490 pF @ 300 V	-	60W（温度）
RN1109CT(TPL3)	-	询价	8001	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN1109			50毫W	CST3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000																										20V	50毫安					500纳安	NPN - 预偏置	150mV@250μA，5mA	100@10mA，5V		47欧姆	22欧姆
GT10J312(Q)	-	询价	7639	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	GT10J312	标准		60W	TO-220SM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50				300V，10A，100欧姆，15V																200纳秒					-	600伏	10A	20A	2.7V@15V，10A	-	400纳秒/400纳秒
SSM6L820R，LF	0.5300	询价	2581	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6L820		MOSFET（金属O化物）	1.4W（塔）	6-TSOP-F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000	N 和 P 沟道					30V、20V	4A（塔）		39.1毫欧@2A、4.5V、45毫欧@3.5A、10V	1V@1mA，1.2V@1mA	4.5V时为3.2nC，4.5V时为6.7nC		15V时为310pF，10V时为480pF	-
SSM6P15FU,LF	0.3800	询价	4	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SSM6P15		MOSFET（金属O化物）	200毫W（塔）	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）					30V	100毫安		12欧姆@10mA，4V	1.7V@100μA	-		9.1pF@3V	-
CRS15(TE85L,Q,M)	0.1462	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOD-123F	CRS15		肖特基		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）															30V		520毫伏 @ 3安		30V时为50μA	-40℃～150℃	3A	90pF@10V，1MHz
TK5A50D(STA4,Q,M)	1.2500	询价	48	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK5A50		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道			500V	5A（塔）	10V	1.5欧姆@2.5A，10V	4.4V@1mA	11nC@10V	±30V	490pF@25V	-	35W（温度）
RN1119MFV，L3F	0.1800	询价	6434	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1119			150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000																										50V	100毫安					100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	120@1mA，5V		1欧姆
RN1412，LF	0.1900	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1412			200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																										50V	100毫安					100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	22欧姆
HN2S02JE(TE85L,F)	0.4800	询价	3286	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-553	HN2S02		肖特基		ESV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	4,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度														2 独立	40V	100毫安	600 毫伏 @ 100 毫安		5μA@40V	125℃（最高）
TW070J120B,S1Q	32.4200	询价	104	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	-55℃～175℃	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	TW070J120		SiCFET（碳化硅）		TO-3P(N)	下载		1（无限制）	264-TW070J120BS1Q	EAR99	8541.29.0095	25			N沟道			1200伏	36A（温度）	20V	90毫欧@18A，20V	5.8V@20mA	67nC@20V	±25V、-10V	800V时为1680pF	标准	272W（温度）
RN4990FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4990			100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																										50V	100毫安					100nA（ICBO）	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫、200兆赫	4.7k欧姆	-
SSM3J321T(TE85L,F)	-	询价	4337	东芝半导体和存储	U-MOSV	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SSM3J321		MOSFET（金属O化物）		TSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			P沟道			20V	5.2A（塔）	1.5V、4.5V	46毫欧@3A，4.5V	1V@1mA	8.1nC@4.5V	±8V	640pF@10V	-	700毫W（塔）
RN1315，LF	0.2200	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1315			100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																										50V	100毫安					500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	2.2欧姆	10欧姆
SSM5G10TU(TE85L,F)	0.3600	询价	40	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	6-SMD（5 英尺），浅浅	SSM5G10		MOSFET（金属O化物）		超短波病毒	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			P沟道			20V	1.5A（塔）	1.8V、4V	213毫欧@1A，4V	1V@1mA	6.4nC@4V	±8V	250pF@10V	肖特基分散（隔离）	500毫W（塔）
SSM6N48FU，LF	0.4500	询价	3	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SSM6N48		MOSFET（金属O化物）	300毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）					30V	100mA（塔）		3.2欧姆@10mA，4V	1.5V@100μA	-		15.1pF@3V	-
TPCA8056-H,LQ(M	-	询价	5127	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8056		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道			30V	48A（塔）	4.5V、10V	2.2毫欧@24A，10V	2.3V@1mA	74nC@10V	±20V	6200pF@10V	-	1.6W（Ta）、63W（Tc）
TK25A60X,S5X	4.0100	询价	3	东芝半导体和存储	DTMOSIV-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK25A60		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道			600伏	25A（塔）	10V	125mOhm@7.5A，10V	3.5V@1.2mA	40nC@10V	±30V	2400 pF @ 300 V	-	45W（温度）
2SA1483-Y(TE12L,F)	-	询价	6130	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	2SA1483				PW-MINI	-			264-2SA1483-Y(TE12LF)TR			2,500人					-																					45V	200毫安						国民党		120@10mA，1V	200兆赫			-
TK3A60DA(STA4,Q,M)	1.2100	询价	50	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK3A60		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道			600伏	2.5A（塔）	10V	2.8欧姆@1.3A，10V	4.4V@1mA	9nC@10V	±30V	380pF@25V	-	30W（温度）
TK4A55DA(STA4,Q,M)	-	询价	7445	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK4A55		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道			550伏	3.5A（塔）	10V	2.45欧姆@1.8A，10V	4.4V@1mA	9nC@10V	±30V	380pF@25V	-	30W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²