分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电压 - 击穿 (V(BR)GSS)	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电流 - 电极电极电流（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）	电流消耗 (Id) - 最大
TPC8032-H(TE12LQM)	-	询价	9260	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	TPC8032	MOSFET（金属O化物）		8-SOP (5.5x6.0)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道		30V	15A（塔）		6.5毫欧@7.5A，10V	2.5V@1mA	33nC@10V		2846pF@10V	-	-
1SS402TE85LF	0.3800	询价	25	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-82	1SS402	肖特基		南昆士兰大学	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度													2 独立	20V	50毫安	550 毫伏 @ 50 毫安		20V时为500nA	125℃（最高）
TRS12E65H,S1Q	3.2700	询价	400	东芝半导体和存储	-	管子	的积极			通孔	TO-220-2		SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2L	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	264-TRS12E65H，S1Q	EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)														650伏		1.35V@12A	0纳秒	650V时为120μA	175℃	12A	778pF @ 1V、1MHz
2SC5085-O(TE85L,F)	-	询价	7025	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SC5085		100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000				-																				12V	80毫安							NPN		80@20mA，10V	7GHz			1dB@500MHz
2SC5086-Y,LF	-	询价	9674	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		125°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416	2SC5086		100毫W	SSM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000				-																				12V	80毫安							NPN		120@20mA，10V	7GHz			1dB@500MHz
CLS03(TE16L,PSD,Q)	-	询价	6614	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			表面贴装	L-薄™	CLS03	肖特基		L-FLAT™ (4x5.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														60V		580毫伏@10安		1毫安@60伏	-40℃～125℃	10A	345pF@10V、1MHz
TPCL4202(TE85L,F)	-	询价	3500	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	4-XFLGA	TPCL4202	MOSFET（金属O化物）	500毫W	4 芯片 LGA (1.59x1.59)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000	2个N沟道（半桥）				-	-		-	1.2V@200μA	-		780pF@10V	-
2SK2962(TE6,F,M)	-	询价	1303	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SK2962			TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	1						1A（Tj）
2SA1162-Y,LXHF	0.3900	询价	5	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	150毫安				100nA（ICBO）			国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
2SC4944-GR(TE85L,F	0.3500	询价	11	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）	表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	2SC4944		200毫W	无人艇	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	150毫安				100nA（ICBO）			NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	80兆赫
RN4903,LXHF(CT	0.4400	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4903		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																								50V	100毫安				500纳安			1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫、250兆赫	22k欧姆	22k欧姆
RN2502(TE85L,F)	0.4700	询价	670	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-74A、SOT-753	RN2502		300毫W	SMV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	100毫安				100nA（ICBO）			2 PNP - 预偏置（双）（发射极耦合）	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	10k欧姆	10k欧姆
RN2903,LXHF(CT	0.4400	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2903		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	100毫安				500纳安			2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	22k欧姆	22k欧姆
RN1107ACT(TPL3)	0.3400	询价	9	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-101、SOT-883	RN1107		100毫W	CST3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000																								50V	80毫安				500纳安			NPN - 预偏置	150mV@250μA，5mA	80@10mA，5V		10欧姆	47欧姆
2SA1428-Y,T2F(M	-	询价	5045	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SA1428		900毫W	MSTM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																								50V	2A				1μA（ICBO）			国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
TK25E60X,S1X	4.4100	询价	13	东芝半导体和存储	DTMOSIV-H	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK25E60	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		600伏	25A（塔）	10V	125mOhm@7.5A，10V	3.5V@1.2mA	40nC@10V	±30V	2400 pF @ 300 V	-	180W（温度）
CRZ11(TE85L,Q,M)	-	询价	2159	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	±10%	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SOD-123F	CRZ11		700毫W	S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合RoHS标准		CRZ11(TE85LQM)	EAR99	8541.10.0050	3,000																		1V@200mA		7V时为10μA										11伏	30欧姆
RN2705JE(TE85L,F)	0.4700	询价	3113	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-553	RN2705		100毫W	ESV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																								50V	100毫安				100nA（ICBO）			2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
2SK880-Y(TE85L,F)	0.5600	询价	42	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SK880		100毫W	USM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道									13pF@10V														50V	1.2毫安@10伏	1.5V@100nA
2SK209-BL(TE85L,F)	0.4400	询价	1670	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SK209		150毫W	SC-59	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道									13pF@10V														50V	14毫安@10伏	1.5V@100nA											14毫安
1SS396，LF	0.3900	询价	13	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	1SS396	肖特基		S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度													1对中央	40V	70毫安	360毫伏@10毫安		5μA@40V	125℃（最高）
SSM3J145TU,LXHF	0.3700	询价	2	东芝半导体和存储	汽车、AEC-Q101、U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	3-SMD，写入		MOSFET（金属O化物）		UFM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			P沟道		20V	3A（塔）	1.5V、4.5V	103mOhm@1A，4.5V	1V@1mA	4.5V时为4.6nC	+6V、-8V	270pF@10V	-	500毫W（塔）
SSM6N61NU，LF	0.4200	询价	8347	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	SSM6N61	MOSFET（金属O化物）	2W	6-UDFNB (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）				20V	4A		33mOhm@4A，4.5V	1V@1mA	3.6nC@4.5V		410pF@10V	逻辑电平门，1.5V驱动
RN2118MFV(TPL3)	0.2700	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-723	RN2118		150毫W	VESM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000																								50V	100毫安				500纳安			PNP - 预偏置	300mV@500μA，5mA	50@10mA，5V		47欧姆	10欧姆
TPCP8901(TE85L,F,M	-	询价	7302	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	TPCP8901		1.48W	PS-8	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	TPCP8901(TE85LFM	EAR99	8541.29.0075	3,000																								50V	1A、800mA				100nA（ICBO）			NPN、PNP	170mV @ 6mA、300mA / 200mV @ 10mA、300mA	400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V	-
SSM6K514NU，LF	0.4700	询价	47	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	SSM6K514	MOSFET（金属O化物）		6-UDFNB (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道		40V	12A（塔）	4.5V、10V	11.6毫欧@4A，10V	2.4V@100μA	7.5nC@4.5V	±20V	1110pF@20V	-	2.5W（塔）
RN1906(T5L,F,T)	-	询价	8467	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1906		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	100毫安				100nA（ICBO）			2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	47k欧姆
SSM6N68NU，LF	0.4600	询价	15	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	SSM6N68	MOSFET（金属O化物）	2W（塔）	6μDFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）				30V	4A（塔）		84毫欧@2A，4.5V	1V@1mA	1.8nC@4.5V		129pF@15V	逻辑电平门，1.8V驱动
2SC2712-GR，LF	0.2000	询价	115	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SC2712		150毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	150毫安				100nA（ICBO）			NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	70@2mA，6V	80兆赫
SSM3K01T(TE85L,F)	-	询价	7187	东芝半导体和存储	π-MOSVI	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SSM3K01	MOSFET（金属O化物）		TSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道		30V	3.2A（塔）	2.5V、4V	120mOhm@1.6A，4V	-		±10V	152pF@10V	-	1.25W（塔）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²