分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
TDTA124E,LM	0.1800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TDTA124			320毫W	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																							50V	100毫安					500纳安	PNP - 预偏置	300mV@500μA，10mA	56@5mA，5V	250兆赫	22欧姆
SSM6N36TU，LF	0.3800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6N36		MOSFET（金属O化物）	500毫W（塔）	六氯化铀	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）				20V	500mA（塔）		630mOhm@200mA，5V	1V@1mA	1.23nC@4V		46pF@10V	逻辑电平门，1.5V驱动
TPCC8009,LQ(O	-	询价	6494	东芝半导体和存储	U-MOSIV	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCC8009		MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道		30V	24A（塔）		7毫欧@12A，10V	3V@200μA	26nC@10V		1270pF@10V	-	-
2SC2712-OTE85LF	0.2000	询价	23	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SC2712			150毫W	TO-236	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																							50V	150毫安					100nA（ICBO）	NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	70@2mA，6V	80兆赫
CES388，L3F	0.2000	询价	52	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-79、SOD-523	CES388		肖特基		ESC键	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	8,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度													40V	600 毫伏 @ 100 毫安		5μA@40V	125℃（最高）	100毫安	25pF @ 0V、1MHz
SSM5N16FUTE85LF	-	询价	5880	东芝半导体和存储	π-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	SSM5N16		MOSFET（金属O化物）		5-SSOP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道		20V	100mA（塔）	1.5V、4V	3欧姆@10mA，4V	-		±10V	9.3pF@3V	-	200毫W（塔）
RN1104MFV,L3F(CT	0.1800	询价	7	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1104			150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000																							50V	100毫安					500纳安	NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	80@10mA，5V		47欧姆	47欧姆
RN4987,LF(CT	0.3500	询价	4365	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4987			200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																							50V	100毫安					500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	10k欧姆	47k欧姆
2SA1020-Y(T6ND3,AF	-	询价	3760	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1020			900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																							50V	2A					1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
TK2A65D(STA4,Q,M)	1.4400	询价	6893	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK2A65		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		650伏	2A（塔）	10V	3.26欧姆@1A，10V	4.4V@1mA	9nC@10V	±30V	380pF@25V	-	30W（温度）
TMBT3904,LM	0.1800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TMBT3904			320毫W	SOT-23-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																							50V	150毫安					100nA（ICBO）	NPN	300毫伏@5毫安，50毫安	100@10mA，1V	300兆赫
RN1910FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN1910			100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																							50V	100毫安					100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	-
RN2510(TE85L,F)	0.4700	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74A、SOT-753	RN2510			300毫W	SMV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																							50V	100毫安					100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）（发射极耦合）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	4.7k欧姆	-
SSM3K15AFU，LF	0.2300	询价	102	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	SSM3K15		MOSFET（金属O化物）		USM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道		30V	100mA（塔）	2.5V、4V	3.6欧姆@10mA，4V	1.5V@100μA		±20V	13.5pF@3V	-	150毫W（塔）
TK16V60W5,LVQ	3.4800	询价	3143	东芝半导体和存储	DTMOSIV	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	4-VSFN 裸露焊盘			MOSFET（金属O化物）		4-DFN-EP (8x8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,500人			N沟道		600伏	15.8A（塔）	10V	245毫欧@7.9A，10V	4.5V@790μA	43nC@10V	±30V	1350 pF @ 300 V	-	139W（温度）
2SA1020-Y(天气预报,F,M)	-	询价	3530	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1020			900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																							50V	2A					1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
RN2709JE(TE85L,F)	0.4700	询价	4	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-553	RN2709			100毫W	ESV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																							50V	100毫安					100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）（发射极耦合）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	47k欧姆	22k欧姆
CRG03(TE85L,Q,M)	-	询价	5772	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SOD-123F	CRG03		标准		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	CRG03(TE85L,Q)	EAR99	8541.10.0080	3,000		标准恢复 >500ns，>200mA (Io)													400V	1V@1A		400V时为10μA	-40℃～150℃	1A	-
TPC8038-H(TE12L,Q)	-	询价	2841	东芝半导体和存储	U-MOSV-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	TPC8038		MOSFET（金属O化物）		8-SOP (5.5x6.0)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道		30V	12A（塔）		11.4毫欧@6A，10V	2.5V@1mA	21nC@10V		2150pF@10V	-	-
2SA949-Y(JVC1,F,M)	-	询价	8449	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA949			800毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																							150伏	50毫安					100nA（ICBO）	国民党	800mV@1mA，10A	70@10mA，5V	120兆赫
RN2414(TE85L,F)	0.2800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2414			200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																							50V	100毫安					500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	1欧姆	10欧姆
GT50J341,Q	3.5900	询价	3865	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	175°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3		标准		200W	TO-3P(N)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50				-																		-	600伏	50A	100A	2.2V@15V，50A	-	-
2SC5886A(T6L1,NQ)	0.7000	询价	8546	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63				1W	PW-模具	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000																							50V	5A					100nA（ICBO）	NPN	220mV@32mA，1.6A	400@500mA，2V	-
TK46E08N1,S1X	1.2400	询价	6212	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK46E08		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		80V	80A（温度）	10V	8.4毫欧@23A，10V	4V@500μA	37nC@10V	±20V	2500pF@40V	-	103W（温度）
SSM6N37FU，LF	0.3800	询价	第391章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SSM6N37		MOSFET（金属O化物）	300毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）				20V	250mA（塔）		2.2欧姆@100mA，4.5V	1V@1mA	-		12pF@10V	逻辑电平门，1.5V驱动
TPC8133,LQ(S	1.2800	询价	2	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TPC8133		MOSFET（金属O化物）		8-SOP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,500人			P沟道		40V	9A（塔）	4.5V、10V	15毫欧@4.5A，10V	2V@500μA	64nC@10V	+20V，-25V	2900pF@10V	-	1W（塔）
2SD2257,NIKKIQ(J	-	询价	2832	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SD2257			2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1																							100V	3A					10μA（ICBO）	NPN	1.5V@1.5mA，1.5A	2000 @ 2A、2V	-
RN1710JE(TE85L,F)	0.4000	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-553	RN1710			100毫W	ESV	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	4,000																							50V	100毫安					100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）（发射极耦合）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	-
TK40S06N1L,LQ	0.9100	询价	7800	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK40S06		MOSFET（金属O化物）		DPAK+	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000			N沟道		60V	40A（塔）	4.5V、10V	10.5毫欧@20A，10V	2.5V@200μA	26nC@10V	±20V	1650pF@10V	-	88.2W（温度）
TRS8E65C,S1Q	-	询价	9767	东芝半导体和存储	-	管子	过时的		通孔	TO-220-2	TRS8E65		SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2L	-	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)													650伏	1.7V@8A	0纳秒	650V时为90μA	175℃（最高）	8A	44pF@650V，1MHz

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²