分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电压 - 击穿 (V(BR)GSS)	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	电流消耗 (Id) - 最大
TK50E08K3,S1X(S	-	询价	8993	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	-	通孔	TO-220-3	TK50E08	MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	75V	50A（温度）		12毫欧@25A，10V	-	55nC@10V			-	-
2SC6040,T2Q(J	-	询价	6156	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SC6040		1W	MSTM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1																							800V	1A				100μA（ICBO）	NPN	1V@100mA、800mA	60@100mA，5V	-
RN1106CT(TPL3)	-	询价	3304	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN1106		50毫W	CST3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000																							20V	50毫安				500纳安	NPN - 预偏置	150mV@250μA，5mA	120@10mA，5V		4.7欧姆	47欧姆
SSM3K347R，LF	0.4700	询价	10	东芝半导体和存储	U-MOSIV	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3K347	MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道	38V	2A（塔）	4V、10V	340毫欧@1A，10V	2.4V@1mA	10V时为2.5nC	±20V	10V时为86pF	-	2W（塔）
2SA2060(TE12L,ZF)	-	询价	9451	东芝半导体和存储	-	盒子	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA			1W	PW-MINI	下载				EAR99	8541.29.0095	1																							50V	2A				100nA（ICBO）	国民党	200mV@33mA，1A	200@300mA，2V	-
2SA1837,HFEMBJF(J	-	询价	3388	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1837		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																							230伏	1A				1μA（ICBO）	国民党	1.5V@50mA、500mA	100@100mA，5V	70兆赫兹
SSM3K37MFV，L3F	0.2900	询价	25	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-723	SSM3K37	MOSFET（金属O化物）		VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000			N沟道	20V	250mA（塔）	1.5V、4.5V	2.2欧姆@100mA，4.5V	1V@1mA		±10V	12pF@10V	-	150毫W（塔）
2SK2034TE85LF	-	询价	5859	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SK2034	MOSFET（金属O化物）		SC-70	-		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道	20V	100mA（塔）	2.5V	12欧姆@10mA，2.5V	-		10V	8.5pF@3V	-	100毫W（塔）
RN2909,LXHF(CT	0.4400	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2909		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																							50V	100毫安				500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	47k欧姆	22k欧姆
CMS04(TE12L,Q,M)	0.7800	询价	34	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOD-128	CMS04	肖特基		M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													30V		370毫伏@5安		8毫安@30伏	-40℃～125℃	5A	330pF@10V、1MHz
SSM6N15AFE，LM	0.3500	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6N15	MOSFET（金属O化物）	150毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000	2 个 N 沟道（双）			30V	100毫安		4欧姆@10mA，4V	1.5V@100μA	-		13.5pF@3V	逻辑电平门
RN1107MFV,L3F(CT	0.1800	询价	4060	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1107		150毫W	VESM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000																							50V	100毫安				500纳安	NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	80@10mA，5V		10欧姆	47欧姆
TK20E60W5,S1VX	3.5500	询价	6535	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	150℃	通孔	TO-220-3	TK20E60	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	600伏	20A（塔）	10V	175mOhm@10A，10V	4.5V@1mA	55nC@10V	±30V	1800 pF @ 300 V	-	165W（温度）
2SC2235-Y,USNHF(M	-	询价	6441	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2235		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																							120V	800毫安				100nA（ICBO）	NPN	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
TPCA8056-H,LQ(M	-	询价	5127	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8056	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道	30V	48A（塔）	4.5V、10V	2.2毫欧@24A，10V	2.3V@1mA	74nC@10V	±20V	6200pF@10V	-	1.6W（Ta）、63W（Tc）
CMF01A,LQ(M	-	询价	5318	东芝半导体和存储	-	盒子	的积极		表面贴装	SOD-128		标准		M-平 (2.4x3.8)	下载				EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													600伏		2V@2A	100纳秒	50μA@600V	150℃	2A	-
TK25A60X,S5X	4.0100	询价	3	东芝半导体和存储	DTMOSIV-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK25A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	600伏	25A（塔）	10V	125mOhm@7.5A，10V	3.5V@1.2mA	40nC@10V	±30V	2400 pF @ 300 V	-	45W（温度）
TW070J120B,S1Q	32.4200	询价	104	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	-55℃～175℃	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	TW070J120	SiCFET（碳化硅）		TO-3P(N)	下载		1（无限制）	264-TW070J120BS1Q	EAR99	8541.29.0095	25			N沟道	1200伏	36A（温度）	20V	90毫欧@18A，20V	5.8V@20mA	67nC@20V	±25V、-10V	800V时为1680pF	标准	272W（温度）
RN1119MFV，L3F	0.1800	询价	6434	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1119		150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000																							50V	100毫安				100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	120@1mA，5V		1欧姆
SSM5N15FE(TE85L,F)	0.4500	询价	3	东芝半导体和存储	π-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-553	SSM5N15	MOSFET（金属O化物）		ESV	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000			N沟道	30V	100mA（塔）	2.5V、4V	4欧姆@10mA，4V	1.5V@100μA		±20V	7.8pF@3V	-	150毫W（塔）
2SJ304(女)	-	询价	2391	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SJ304	MOSFET（金属O化物）		TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			P沟道	60V	14A（塔）	4V、10V	120毫欧@7A，10V	2V@1mA	45nC@10V	±20V	1200pF@10V	-	40W（温度）
2SC3325-O(TE85L,F)	0.3900	询价	9502	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SC3325		200毫W	S-迷你型	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																							50V	500毫安				100nA（ICBO）	NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	70@100mA，1V	300兆赫
SSM3J46CTB(TPL3)	0.4000	询价	29	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，无铅	SSM3J46	MOSFET（金属O化物）		CST3B	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	10,000			P沟道	20V	2A（塔）	1.5V、4.5V	103毫欧@1.5A，4.5V	1V@1mA	4.7nC@4.5V	±8V	290pF@10V	-	-
TTA1713-Y,LF	0.3100	询价	12	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TTA1713		200毫W	S-迷你型	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																							45V	500毫安				100nA（ICBO）	国民党	400毫伏@50毫安，500毫安	120@100mA，1V	80兆赫
2SK209-Y(TE85L,F)	0.4700	询价	19	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SK209		150毫W	SC-59	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道								13pF@10V														50V	14毫安@10伏	1.5V@100nA								14毫安
2SK3670(女、男)	-	询价	3769	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SK3670			TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	1					670毫安（Tj）
RN2103,LF(CT	0.2100	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2103		100毫W	SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																							50V	100毫安				500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	22欧姆	22欧姆
RN2105MFV,L3F	-	询价	8823	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN2105		150毫W	VESM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	RN2105MFVL3F	EAR99	8541.21.0095	8,000																							50V	100毫安				100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@500μA，5mA	80@10mA，5V		2.2欧姆	47欧姆
CRS30I40A(TE85L,QM	0.4400	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOD-123F	CRS30I40	肖特基		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													40V		550毫伏 @ 3安		40V时为100μA	150℃（最高）	3A	62pF@10V，1MHz
TRS20N65D,S1F	-	询价	9963	东芝半导体和存储	-	管子	过时的		通孔	TO-247-3	TRS20N	肖特基		TO-247	-	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	30		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共轴线	650伏	10A（直流）	1.7V@10A		650V时为90μA	175℃（最高）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²