分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
HN2S02JE(TE85L,F)	0.4800	询价	3286	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-553	HN2S02	肖特基		ESV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0070	4,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度												2 独立	40V	100毫安	600 毫伏 @ 100 毫安		5μA@40V	125℃（最高）
SSM5G10TU(TE85L,F)	0.3600	询价	40	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	6-SMD（5 英尺），浅浅	SSM5G10	MOSFET（金属O化物）		超短波病毒	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000			P沟道	20V	1.5A（塔）	1.8V、4V	213毫欧@1A，4V	1V@1mA	6.4nC@4V	±8V	250pF@10V	肖特基分散（隔离）	500毫W（塔）
RN4990FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4990		100毫W	ES6	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000																							50V	100毫安	100nA（ICBO）			1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫、200兆赫	4.7k欧姆	-
RN1315，LF	0.2200	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1315		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																							50V	100毫安	500纳安			NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	2.2欧姆	10欧姆
RN1412，LF	0.1900	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1412		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																							50V	100毫安	100nA（ICBO）			NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	22欧姆
SSM3J321T(TE85L,F)	-	询价	4337	东芝半导体和存储	U-MOSV	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SSM3J321	MOSFET（金属O化物）		TSM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000			P沟道	20V	5.2A（塔）	1.5V、4.5V	46毫欧@3A，4.5V	1V@1mA	8.1nC@4.5V	±8V	640pF@10V	-	700毫W（塔）
SSM6L820R，LF	0.5300	询价	2581	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6L820	MOSFET（金属O化物）	1.4W（塔）	6-TSOP-F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000	N 和 P 沟道			30V、20V	4A（塔）		39.1毫欧@2A、4.5V、45毫欧@3.5A、10V	1V@1mA，1.2V@1mA	4.5V时为3.2nC，4.5V时为6.7nC		15V时为310pF，10V时为480pF	-
SSM6N48FU，LF	0.4500	询价	3	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SSM6N48	MOSFET（金属O化物）	300毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）			30V	100mA（塔）		3.2欧姆@10mA，4V	1.5V@100μA	-		15.1pF@3V	-
SSM3K341R，LF	0.4500	询价	112	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3K341	MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道	60V	6A（塔）	4V、10V	36毫欧@5A，10V	2.5V@100μA	9.3nC@10V	±20V	550pF@10V	-	1.2W（塔）
TPH3300CNH,L1Q	1.6100	询价	8	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH3300	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	5,000			N沟道	150伏	18A（塔）	10V	33mOhm@9A，10V	4V@300μA	10.6nC@10V	±20V	1100pF@75V	-	1.6W（Ta）、57W（Tc）
2SC2859-GR(TE85L,F	-	询价	5513	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SC2859		150毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																							30V	500毫安	100nA（ICBO）			NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	200@100mA，1V	300兆赫
SSM3K56FS,LF	0.3700	询价	5	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416	SSM3K56	MOSFET（金属O化物）		SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道	20V	800mA（塔）	1.5V、4.5V	235毫欧@800mA，4.5V	1V@1mA	1nC@4.5V	±8V	55pF@10V	-	150毫W（塔）
TPH2R104PL,LQ	1.1600	询价	8	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极		175℃	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH2R104	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道	40V	100A（温度）	4.5V、10V	2.1毫欧@50A，10V	2.4V@500μA	78nC@10V	±20V	6230pF@20V	-	830mW（Ta）、116W（Tc）
CMZ13(TE12L,Q,M)	0.5400	询价	4806	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	±10%	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SOD-128	CMZ13		2W	M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0050	3,000																	1.2V@200mA		9V时为10μA							13V	30欧姆
TPN22006NH,LQ	0.9600	询价	3455	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN22006	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.3x3.3)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道	60V	9A（塔）	6.5V、10V	22毫欧@4.5A，10V	4V@100μA	12nC@10V	±20V	710pF@30V	-	700mW（Ta）、18W（Tc）
SSM3J129TU(TE85L)	-	询价	8685	东芝半导体和存储	U-MOSV	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，写入	SSM3J129	MOSFET（金属O化物）		UFM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000			P沟道	20V	4.6A（塔）	1.5V、4.5V	46毫欧@3A，4.5V	1V@1mA	8.1nC@4.5V	±8V	640pF@10V	-	500毫W（塔）
SSM5H90ATU，LF	0.3700	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	5-SMD，写入	SSM5H90	MOSFET（金属O化物）		超短波病毒	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道	20V	2.4A（塔）	2.5V、4V	65mOhm@1.5A，4V	1.2V@1mA	2.2nC@4V	±10V	200pF@10V	-	500毫W（塔）
HN1B01FU-GR,LXHF	0.3700	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	HN1B01		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																							50V	150毫安	100nA（ICBO）			NPN、PNP	300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA	200@2mA，6V	120兆赫、150兆赫
SSM3K62TU,LXHF	0.4000	询价	1	东芝半导体和存储	汽车、AEC-Q101、U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	3-SMD，写入		MOSFET（金属O化物）		UFM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道	20V	800mA（塔）	1.2V、4.5V	57毫欧@800mA，4.5V	1V@1mA	2nC@4.5V	±8V	177pF@10V	-	500毫W（塔）
TBAV99,LM	0.2000	询价	25	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TBAV99	标准		SOT-23-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0070	3,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度												1对中央	80V	100毫安	1.25V@150mA	4纳秒	80V时为500nA	125℃（最高）
TK50E08K3,S1X(S	-	询价	8993	东芝半导体和存储	-	管子	过时的		-	通孔	TO-220-3	TK50E08	MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	75V	50A（温度）		12毫欧@25A，10V	-	55nC@10V			-	-
2SC6040,T2Q(J	-	询价	6156	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SC6040		1W	MSTM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	1																							800V	1A	100μA（ICBO）			NPN	1V@100mA、800mA	60@100mA，5V	-
RN1106CT(TPL3)	-	询价	3304	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SC-101、SOT-883	RN1106		50毫W	CST3	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	10,000																							20V	50毫安	500纳安			NPN - 预偏置	150mV@250μA，5mA	120@10mA，5V		4.7欧姆	47欧姆
SSM3K347R，LF	0.4700	询价	10	东芝半导体和存储	U-MOSIV	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3K347	MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道	38V	2A（塔）	4V、10V	340毫欧@1A，10V	2.4V@1mA	10V时为2.5nC	±20V	10V时为86pF	-	2W（塔）
2SA2060(TE12L,ZF)	-	询价	9451	东芝半导体和存储	-	盒子	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA			1W	PW-MINI	下载			EAR99	8541.29.0095	1																							50V	2A	100nA（ICBO）			国民党	200mV@33mA，1A	200@300mA，2V	-
2SA1837,HFEMBJF(J	-	询价	3388	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1837		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0075	1																							230伏	1A	1μA（ICBO）			国民党	1.5V@50mA、500mA	100@100mA，5V	70兆赫兹
SSM3K37MFV，L3F	0.2900	询价	25	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SOT-723	SSM3K37	MOSFET（金属O化物）		VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	8,000			N沟道	20V	250mA（塔）	1.5V、4.5V	2.2欧姆@100mA，4.5V	1V@1mA		±10V	12pF@10V	-	150毫W（塔）
2SK2034TE85LF	-	询价	5859	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SK2034	MOSFET（金属O化物）		SC-70	-		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道	20V	100mA（塔）	2.5V	12欧姆@10mA，2.5V	-		10V	8.5pF@3V	-	100毫W（塔）
RN2909,LXHF(CT	0.4400	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2909		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																							50V	100毫安	500纳安			2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	47k欧姆	22k欧姆
CMS04(TE12L,Q,M)	0.7800	询价	34	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-128	CMS04	肖特基		M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													30V		370毫伏@5安		8毫安@30伏	-40℃～125℃	5A	330pF@10V、1MHz

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²