分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
TK3P50D,RQ(S	1.1700	询价	6966	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK3P50	MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000			N沟道		500V	3A（塔）	10V	3欧姆@1.5A，10V	4.4V@1mA	7nC@10V	±30V	280pF@25V	-	60W（温度）
HN2D01FTE85LF	0.4700	询价	201	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74、SOT-457	HN2D01	标准		SC-74	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度													3 独立	80V	80毫安	1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	125℃（最高）
TK60E08K3,S1X(S	-	询价	6639	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	-	通孔	TO-220-3	TK60E08	MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	-	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		75V	60A		9毫欧@30A，10V	-	75nC@10V			-	128W
2SC5095-O(TE85L,F)	-	询价	3191	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SC5095		100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000				13分贝～7分贝																		10V	15毫安		NPN		80@7mA，6V	10GHz			1.8dB@2GHz
RN2902FE,LF(CT	0.2600	询价	9652	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN2902		200毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																						50V	100毫安	500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	10k欧姆	10k欧姆
HN2A01FU-Y(TE85L,F	0.4500	询价	2	东芝半导体和存储	-	切带 (CT)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	HN2A01		200毫W	美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	150毫安	100nA（ICBO）	2 PNP（双）	300毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
RN2608(TE85L,F)	0.4700	询价	8298	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74、SOT-457	RN2608		300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	22k欧姆	47k欧姆
TK5R1A08QM,S4X	1.5900	询价	66	东芝半导体和存储	U-MOSX-H	管子	的积极	175℃	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		80V	70A（温度）	6V、10V	5.1毫欧@35A，10V	3.5V@700μA	54nC@10V	±20V	3980pF@40V	-	45W（温度）
TK50E08K3,S1X(S	-	询价	8993	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	-	通孔	TO-220-3	TK50E08	MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		75V	50A（温度）		12毫欧@25A，10V	-	55nC@10V			-	-
SSM3J129TU(TE85L)	-	询价	8685	东芝半导体和存储	U-MOSV	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，写入	SSM3J129	MOSFET（金属O化物）		UFM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			P沟道		20V	4.6A（塔）	1.5V、4.5V	46毫欧@3A，4.5V	1V@1mA	8.1nC@4.5V	±8V	640pF@10V	-	500毫W（塔）
TK16V60W5,LVQ	3.4800	询价	3143	东芝半导体和存储	DTMOSIV	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	4-VSFN 裸露焊盘		MOSFET（金属O化物）		4-DFN-EP (8x8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,500人			N沟道		600伏	15.8A（塔）	10V	245毫欧@7.9A，10V	4.5V@790μA	43nC@10V	±30V	1350 pF @ 300 V	-	139W（温度）
RN1710JE(TE85L,F)	0.4000	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-553	RN1710		100毫W	ESV	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	4,000																						50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）（发射极耦合）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	-
TPC8038-H(TE12L,Q)	-	询价	2841	东芝半导体和存储	U-MOSV-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	TPC8038	MOSFET（金属O化物）		8-SOP (5.5x6.0)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道		30V	12A（塔）		11.4毫欧@6A，10V	2.5V@1mA	21nC@10V		2150pF@10V	-	-
SSM3K15AFU，LF	0.2300	询价	102	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	SSM3K15	MOSFET（金属O化物）		USM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道		30V	100mA（塔）	2.5V、4V	3.6欧姆@10mA，4V	1.5V@100μA		±20V	13.5pF@3V	-	150毫W（塔）
SSM3J340R，LF	0.4700	询价	15	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3J340	MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			P沟道		30V	4A（塔）	4V、10V	45mOhm@4A，10V	2.2V@250μA	6.2nC@4.5V	+20V，-25V	492pF@10V	-	1W（塔）
2SA949-Y(JVC1,F,M)	-	询价	8449	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA949		800毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																						150伏	50毫安	100nA（ICBO）	国民党	800mV@1mA，10A	70@10mA，5V	120兆赫
RN2510(TE85L,F)	0.4700	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74A、SOT-753	RN2510		300毫W	SMV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）（发射极耦合）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	4.7k欧姆	-
TK40S06N1L,LQ	0.9100	询价	7800	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK40S06	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000			N沟道		60V	40A（塔）	4.5V、10V	10.5毫欧@20A，10V	2.5V@200μA	26nC@10V	±20V	1650pF@10V	-	88.2W（温度）
TK7A65W,S5X	1.6700	询价	2976	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK7A65	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		650伏	6.8A（塔）	10V	780毫欧@3.4A，10V	3.5V@250μA	15nC@10V	±30V	490 pF @ 300 V	-	30W（温度）
TK46E08N1,S1X	1.2400	询价	6212	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK46E08	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		80V	80A（温度）	10V	8.4毫欧@23A，10V	4V@500μA	37nC@10V	±20V	2500pF@40V	-	103W（温度）
TPC8405(TE12L,Q,M)	-	询价	3778	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	TPC8405	MOSFET（金属O化物）	450毫W	8-SOP (5.5x6.0)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 和 P 沟道				30V	6A、4.5A		26毫欧@3A，10V	2V@1mA	27nC@10V		1240pF@10V	逻辑电平门
RN2117MFV，L3F	0.2000	询价	8	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN2117		150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000																						50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@500μA，5mA	30@10mA，5V		10欧姆	4.7欧姆
TPH11003NL,LQ	0.8000	询价	2	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH11003	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道		30V	32A（塔）	4.5V、10V	11毫欧@5.5A，10V	2.3V@100μA	10V时为7.5nC	±20V	660pF@15V	-	1.6W（Ta）、21W（Tc）
RN2412，LF	0.0309	询价	8990	东芝半导体和存储	*	卷带式 (TR)	的积极								-	符合ROHS3标准		264-RN2412，LFTR			3,000
TPCA8018-H(TE12LQM	-	询价	8893	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8018	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道		30V	30A（塔）	4.5V、10V	6.2毫欧@15A，10V	2.5V@1mA	34nC@10V	±20V	2846pF@10V	-	1.6W（Ta）、45W（Tc）
TK110E65Z,S1X	4.3100	询价	129	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	150℃	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		650伏	24A（塔）	10V	110毫欧@12A，10V	4V@1.02mA	40nC@10V	±30V	2250 pF @ 300 V	-	190W（温度）
2SA1020-Y(T6ND1,AF	-	询价	8322	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1020		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																						50V	2A	1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
SSM3J64CTC，L3F	0.3900	询价	39	东芝半导体和存储	U-MOSVII	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SC-101、SOT-883	SSM3J64	MOSFET（金属O化物）		CST3C	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000			P沟道		12V	1A（塔）	1.2V、4.5V	370毫欧@600mA，4.5V	1V@1mA		±10V	50pF@10V	-	500毫W（塔）
TPCA8128,L1Q	-	询价	9059	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8128	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	-		1（无限制）	264-TPCA8128L1QTR	EAR99	8541.29.0095	5,000			P沟道		30V	34A（塔）	4.5V、10V	4.8毫欧@17A，10V	2V@500μA	115nC@10V	+20V，-25V	4800pF@10V	-	1.6W（Ta）、45W（Tc）
SSM3J09FU,LF	0.4100	询价	9	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SC-70、SOT-323	SSM3J09	MOSFET（金属O化物）		USM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			P沟道		30V	200mA（塔）	3.3V、10V	2.7欧姆@100mA，10V	1.8V@100μA		±20V	22pF@5V	-	150毫W（塔）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²