分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）	电压 - 击穿 (V(BR)GSS)	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	电流消耗 (Id) - 最大	电容比	电容比条件	Q@Vr，F
TK50E06K3(S1SS-Q)	-	询价	5965	东芝半导体和存储	U-MOSIV	管子	过时的	-	通孔	TO-220-3	TK50E06	-		TO-220-3	-	符合RoHS标准	1（无限制）	TK50E06K3S1SSQ	EAR99	8541.29.0095	50			-		-		-	-				-	-
RN1969FE(TE85L,F)	-	询价	8601	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN1969		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																						50V	100毫安						100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	47k欧姆	22k欧姆
1SS392，LF	0.3600	询价	13	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	1SS392	肖特基		SC-59	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度												1对共轴线	40V	100毫安	600 毫伏 @ 100 毫安		5μA@40V	125℃（最高）
2SK3313(Q)	-	询价	1994年	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SK3313	MOSFET（金属O化物）		TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	500V	12A（塔）	10V	620毫欧@6A，10V	4V@1mA	45nC@10V	±30V	2040pF@10V	-	40W（温度）
2SA1680,F(J	-	询价	4997	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1680		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																						50V	2A						1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	120@100mA，2V	100兆赫兹
RN4601(TE85L,F)	0.4800	询价	第548章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74、SOT-457	RN4601		300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	100毫安						100nA（ICBO）	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	4.7k欧姆
1SV281(TPH3,F)	0.3800	询价	7	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-79、SOD-523	1SV281			ESC键	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	4,000																					8.7pF @ 4V、1MHz			单身的	10V												2	C1/C4	-
RN2102MFV,L3F(CT	0.1800	询价	15	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN2102		150毫W	VESM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	8,000																						50V	100毫安						500纳安	PNP - 预偏置	300mV@500μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	10欧姆	10欧姆
2SC6040,T2Q(J	-	询价	6156	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SC6040		1W	MSTM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1																						800V	1A						100μA（ICBO）	NPN	1V@100mA、800mA	60@100mA，5V	-
SSM5H90ATU，LF	0.3700	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	5-SMD，写入	SSM5H90	MOSFET（金属O化物）		超短波病毒	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道	20V	2.4A（塔）	2.5V、4V	65mOhm@1.5A，4V	1.2V@1mA	2.2nC@4V	±10V	200pF@10V	-	500毫W（塔）
TRS20N65D,S1F	-	询价	9963	东芝半导体和存储	-	管子	过时的		通孔	TO-247-3	TRS20N	肖特基		TO-247	-	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	30		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对共轴线	650伏	10A（直流）	1.7V@10A		650V时为90μA	175℃（最高）
TPN22006NH,LQ	0.9600	询价	3455	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN22006	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.3x3.3)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道	60V	9A（塔）	6.5V、10V	22毫欧@4.5A，10V	4V@100μA	12nC@10V	±20V	710pF@30V	-	700mW（Ta）、18W（Tc）
SSM6N36TU，LF	0.3800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6N36	MOSFET（金属O化物）	500毫W（塔）	六氯化铀	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）			20V	500mA（塔）		630mOhm@200mA，5V	1V@1mA	1.23nC@4V		46pF@10V	逻辑电平门，1.5V驱动
TBAV99,LM	0.2000	询价	25	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TBAV99	标准		SOT-23-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度												1对中央	80V	100毫安	1.25V@150mA	4纳秒	80V时为500nA	125℃（最高）
TDTA124E,LM	0.1800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TDTA124		320毫W	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																						50V	100毫安						500纳安	PNP - 预偏置	300mV@500μA，10mA	56@5mA，5V	250兆赫	22欧姆
RN4988FE,LF(CT	0.2500	询价	8319	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4988		100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	4,000																						50V	100毫安						500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	22k欧姆	47k欧姆
2SC2712-OTE85LF	0.2000	询价	23	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SC2712		150毫W	TO-236	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	150毫安						100nA（ICBO）	NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	70@2mA，6V	80兆赫
TPCC8009,LQ(O	-	询价	6494	东芝半导体和存储	U-MOSIV	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCC8009	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道	30V	24A（塔）		7毫欧@12A，10V	3V@200μA	26nC@10V		1270pF@10V	-	-
2SC3325-O(TE85L,F)	0.3900	询价	9502	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SC3325		200毫W	S-迷你型	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																						50V	500毫安						100nA（ICBO）	NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	70@100mA，1V	300兆赫
SSM3J46CTB(TPL3)	0.4000	询价	29	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，无铅	SSM3J46	MOSFET（金属O化物）		CST3B	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	10,000			P沟道	20V	2A（塔）	1.5V、4.5V	103毫欧@1.5A，4.5V	1V@1mA	4.7nC@4.5V	±8V	290pF@10V	-	-
2SJ304(女)	-	询价	2391	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SJ304	MOSFET（金属O化物）		TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			P沟道	60V	14A（塔）	4V、10V	120毫欧@7A，10V	2V@1mA	45nC@10V	±20V	1200pF@10V	-	40W（温度）
TTA1713-Y,LF	0.3100	询价	12	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TTA1713		200毫W	S-迷你型	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																						45V	500毫安						100nA（ICBO）	国民党	400毫伏@50毫安，500毫安	120@100mA，1V	80兆赫
2SK209-Y(TE85L,F)	0.4700	询价	19	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SK209		150毫W	SC-59	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道								13pF@10V															50V	14毫安@10伏	1.5V@100nA								14毫安
SSM5N15FE(TE85L,F)	0.4500	询价	3	东芝半导体和存储	π-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-553	SSM5N15	MOSFET（金属O化物）		ESV	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000			N沟道	30V	100mA（塔）	2.5V、4V	4欧姆@10mA，4V	1.5V@100μA		±20V	7.8pF@3V	-	150毫W（塔）
2SA1201-Y(TE12L,ZC	0.5200	询价	3081	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA			500毫W	PW-MINI	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	1,000																						120V	800毫安						100nA（ICBO）	国民党	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
RN1114,LF	0.2000	询价	7018	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1114		100毫W	SSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																						50V	100毫安						500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	1欧姆	10欧姆
RN1910FE(T5L,F,T)	-	询价	8332	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN1910		100毫W	ES6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																						50V	100毫安						100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	-
SSM3K341R，LF	0.4500	询价	112	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3K341	MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道	60V	6A（塔）	4V、10V	36毫欧@5A，10V	2.5V@100μA	9.3nC@10V	±20V	550pF@10V	-	1.2W（塔）
2SC2859-GR(TE85L,F	-	询价	5513	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SC2859		150毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																						30V	500毫安						100nA（ICBO）	NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	200@100mA，1V	300兆赫
RN2104CT(TPL3)	-	询价	9555	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN2104		50毫W	CST3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000																						20V	50毫安						500纳安	PNP - 预偏置	150mV@250μA，5mA	120@10mA，5V		47欧姆	47欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²