分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
RN2909(T5L,F,T)	-	询价	9209	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2909		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	47k欧姆	22k欧姆
TDTA143Z,LM	0.1800	询价	7848	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TDTA143		320毫W	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																						50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@500μA，10mA	80@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆
TJ90S04M3L,LXHQ	1.6300	询价	3061	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TJ90S04	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,000			P沟道		40V	90A（塔）	4.5V、10V	4.3毫欧@45A，10V	2V@1mA	172nC@10V	+10V，-20V	7700pF@10V	-	180W（温度）
RN2119MFV，L3F	0.1800	询价	7	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN2119		150毫W	VESM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	8,000																						50V	100毫安	100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@500μA，5mA	120@1mA，5V		1欧姆
SSM10N961L，ELF	0.8700	询价	9155	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	10-XFLGA，CSP		MOSFET（金属O化物）	880毫W（塔）	TCSPAG-341501	-	符合ROHS3标准	1（无限制）			10,000	2个N沟道（半桥）				30V	9A（塔）			2.3V@250μA	17.3nC@10V		-	-
SSM6J214FE(TE85L,F	0.3900	询价	30	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6J214	MOSFET（金属O化物）		ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000			P沟道		30V	3.6A（塔）	1.8V、10V	50mOhm@3A，10V	1.2V@1mA	7.9nC@4.5V	±12V	560pF@15V	-	500毫W（塔）
TRS12V65H,LQ	3.2800	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	4-VSFN 裸露焊盘		SiC（碳化硅）肖特基		4-DFN-EP (8x8)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0080	2,500人		无恢复T>500mA(Io)													650伏	1.35V@12A	0纳秒	650V时为120μA	175℃	12A	778pF @ 1V、1MHz
RN2103MFV,L3F(CT	0.1800	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN2103		150毫W	VESM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	8,000																						50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@500μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	22欧姆	22欧姆
SSM3J114TU(TE85L)	0.4400	询价	193	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，写入	SSM3J114	MOSFET（金属O化物）		UFM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000			P沟道		20V	1.8A（塔）	1.5V、4V	149毫欧@600mA，4V	1V@1mA	7.7nC@4V	±8V	10V时为331pF	-	500毫W（塔）
SSM6N7002KFU，LF	0.2500	询价	703	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SSM6N7002	MOSFET（金属O化物）	285毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）				60V	300毫安		1.5欧姆@100mA，10V	2.1V@250μA	0.6nC@4.5V		40pF@10V	-
RN1112(TE85L,F)	0.2200	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1112		100毫W	SSM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																						50V	100毫安	100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	22欧姆
RN1110ACT(TPL3)	0.3400	询价	9	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN1110		100毫W	CST3	-	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	10,000																						50V	80毫安	100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	150mV@250μA，5mA	120@1mA，5V		47欧姆
2SJ438(爱信、Q、M)	-	询价	2864	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		通孔	TO-220-3全包	2SJ438			TO-220NIS	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	1						5A（Tj）
TPH2R306NH,L1Q	1.5700	询价	3872	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH2R306	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	5,000			N沟道		60V	60A（温度）	6.5V、10V	2.3毫欧@30A，10V	4V@1mA	72nC@10V	±20V	6100pF@30V	-	1.6W（Ta）、78W（Tc）
TPC6009-H(TE85L,FM	-	询价	2245	东芝半导体和存储	U-MOSVI-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	TPC6009	MOSFET（金属O化物）		VS-6 (2.9x2.8)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道		40V	5.3A（塔）	4.5V、10V	81毫欧@2.7A，10V	2.3V@100μA	10V时为4.7nC	±20V	290pF@10V	-	700毫W（塔）
2SA2070(TE12L,F)	0.5400	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	2SA2070		1W	PW-MINI	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	1,000																						50V	1A	100nA（ICBO）	国民党	200毫伏@10毫安、300毫安	200@100mA，2V	-
TPCA8A04-H(TE12L,Q	-	询价	9760	东芝半导体和存储	U-MOSV-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8A04	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道		30V	44A（塔）	4.5V、10V	3.2毫欧@22A，10V	2.3V@1mA	59nC@10V	±20V	5700pF@10V	-	-
CLS02(T6L,CANO-O,Q	-	询价	4848	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		表面贴装	L-薄™	CLS02	肖特基		L-FLAT™ (4x5.5)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													40V	550毫伏@10安		1毫安@40伏	-40℃～125℃	10A	420pF@10V、1MHz
TK12A50D(STA4,Q,M)	2.4700	询价	40	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK12A50	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		500V	12A（塔）	10V	520毫欧@6A，10V	4V@1mA	25nC@10V	±30V	1350pF@25V	-	45W（温度）
MT3S111TU,LF	0.5800	询价	9	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，写入	MT3S111		800毫W	UFM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000				12.5分贝																		6V	100毫安		NPN		200@30mA，5V	10GHz			0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
SSM3K376R,LXHF	0.4000	询价	5	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SOT-23-3 读写		MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道		30V	4A（塔）	1.8V、4.5V	56mOhm@2A，4.5V	1V@1mA	2.2nC@4.5V	+12V、-8V	200pF@10V	-	1W（塔）
RN2105MFV,L3XHF(CT	0.3400	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN2105		150毫W	VESM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	8,000																						50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@500μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	2.2欧姆	47欧姆
CUHS15F30,H3F	0.4800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	2-SMD，写入	CUHS15	肖特基		US2H	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													30V	520毫伏@1.5安		30V时为50μA	150℃	1.5A	170pF @ 0V、1MHz
RN1604(TE85L,F)	0.0618	询价	1849年	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74、SOT-457	RN1604		300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	47k欧姆	47k欧姆
RN2307，LF	0.1800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2307		100毫W	SC-70	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																						50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	10欧姆	47欧姆
RN4906FE,LF(CT	0.2600	询价	4	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4906		100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000																						50V	100毫安	100nA（ICBO）	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	4.7k欧姆	47k欧姆
2SC1627A-Y，PASF(M	-	询价	4598	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC1627		800毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1																						80V	400毫安	100nA（ICBO）	NPN	400mV@20mA，200A	70@50mA，2V	100兆赫兹
RN2113CT(TPL3)	-	询价	6661	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN2113		50毫W	CST3	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	10,000																						20V	50毫安	100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	150mV@250μA，5mA	300@1mA，5V		47欧姆
SSM3K2615TU，LF	0.5200	询价	12	东芝半导体和存储	π-MOSV	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	3-SMD，写入	SSM3K2615	MOSFET（金属O化物）		UFM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道		60V	2A（塔）	3.3V、10V	300mOhm@1A，10V	2V@1mA	6nC@10V	±20V	150pF@10V	-	800毫W（塔）
TK16E60W,S1VX	2.8600	询价	4631	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK16E60	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		600伏	15.8A（塔）	10V	190毫欧@7.9A，10V	3.7V@790μA	38nC@10V	±30V	1350 pF @ 300 V	-	130W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²