分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
2SA1013-O,T6MIBF(J	-	询价	1634	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1013			900毫W	TO-92L	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	1																							160伏	1A					1μA（ICBO）	国民党	1.5V@50mA、500mA	60@200mA，5V	50兆赫
TK49N65W,S1F	11.1100	询价	83	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	150℃	通孔	TO-247-3	TK49N65		MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30			N沟道		650伏	49.2A（塔）	10V	55毫欧@24.6A，10V	3.5V@2.5mA	160nC@10V	±30V	6500 pF @ 300 V	-	400W（温度）
TK11A60D(STA4,Q,M)	-	询价	6517	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK11A60		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		600伏	11A（塔）	10V	650mOhm@5.5A，10V	4V@1mA	28nC@10V	±30V	1550pF@25V	-	45W（温度）
TK8A50D(STA4,Q,M)	1.6800	询价	14	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK8A50		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		500V	8A（塔）	10V	850mOhm@4A，10V	4V@1mA	16nC@10V	±30V	800pF@25V	-	40W（温度）
TPC8126,LQ(CM	-	询价	6338	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	TPC8126		MOSFET（金属O化物）		8-SOP (5.5x6.0)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			P沟道		30V	11A（塔）	4.5V、10V	10毫欧@5.5A，10V	2V@500μA	56nC@10V	+20V，-25V	2400pF@10V	-	1W（塔）
RN1105CT(TPL3)	-	询价	8471	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN1105			50毫W	CST3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000																							20V	50毫安					500纳安	NPN - 预偏置	150mV@250μA，5mA	120@10mA，5V		2.2欧姆	47欧姆
TPN3R704PL,L1Q	0.7800	询价	4021	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN3R704		MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000			N沟道		40V	80A（温度）	4.5V、10V	3.7毫欧@40A，10V	2.4V@200μA	27nC@10V	±20V	2500pF@20V	-	630mW（Ta）、86W（Tc）
TPCF8102(TE85L,F,M	-	询价	8048	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	TPCF8102		MOSFET（金属O化物）		VS-8 (2.9x1.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000			P沟道		20V	6A（塔）	1.8V、4.5V	30mOhm@3A，4.5V	1.2V@200μA	19nC@5V	±8V	1550pF@10V	-	700毫W（塔）
RN1908(T5L,F,T)	0.3400	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1908			200毫W	美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																							50V	100毫安					100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	22k欧姆	47k欧姆
TPCA8102(TE12L,Q,M	-	询价	9323	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8102		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			P沟道		30V	40A（塔）	4V、10V	6毫欧@20A，10V	2V@1mA	109nC@10V	±20V	4600pF@10V	-	1.6W（Ta）、45W（Tc）
2SA1869-Y,MTSAQ(J	-	询价	6264	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1869			10W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																							50V	3A					1μA（ICBO）	国民党	600mV@200mA，2A	70@500mA，2V	100兆赫兹
RN1410，LF	0.1900	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1410			200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																							50V	100毫安					100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	4.7欧姆
RN2904,LXHF(CT	0.4400	询价	2	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2904			200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																							50V	100毫安					500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	47k欧姆	47k欧姆
TK12A55D(STA4,Q,M)	2.8400	询价	5060	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK12A55		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		550伏	12A（塔）	10V	570毫欧@6A，10V	4V@1mA	28nC@10V	±30V	1550pF@25V	-	45W（温度）
SSM3J143TU，LF	0.4500	询价	4	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	3-SMD，写入	SSM3J143		MOSFET（金属O化物）		UFM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			P沟道		20V	5.5A（塔）	1.5V、4.5V	29.8毫欧@3A，4.5V	1V@1mA	12.8nC@4.5V	+6V、-8V	10V时为840pF	-	500毫W（塔）
TPCC8008(TE12L,QM)	-	询价	3585	东芝半导体和存储	U-MOSIV	切带 (CT)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TPCC8008		MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.3x3.3)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道		30V	25A（塔）	4.5V、10V	6.8毫欧@12.5A，10V	2.5V@1A	30nC@10V	±25V	1600pF@10V	-	700mW（Ta）、30W（Tc）
CUS15S30、H3F	0.3500	询价	9	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-76、SOD-323	CUS15S30		肖特基		南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													30V	400毫伏@1安		30V时为500μA	125℃（最高）	1.5A	200pF @ 0V、1MHz
RN2107ACT(TPL3)	-	询价	7491	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN2107			100毫W	CST3	-		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000																							50V	80毫安					500纳安	PNP - 预偏置	150mV@250μA，5mA	80@10mA，5V		10欧姆	47欧姆
HN1C01FU-GR,LXHF	0.4100	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	-	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	HN1C01			200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																							50V	150毫安					100nA（ICBO）	2 NPN（双）	250毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	80兆赫
TPN1R603PL,L1Q	0.8900	询价	63	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN1R603		MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000			N沟道		30V	80A（温度）	4.5V、10V	1.6毫欧@40A，10V	2.1V@300μA	41nC@10V	±20V	15V时为3900pF	-	104W（温度）
RN1107MFV,L3XHF(CT	0.3400	询价	2	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1107			150毫W	VESM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000																							50V	100毫安					500纳安	NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	80@10mA，5V		10欧姆	47欧姆
TK5Q60W,S1VQ	1.8600	询价	2135	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	TK5Q60		MOSFET（金属O化物）		爱帕克	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	75			N沟道		600伏	5.4A（塔）	10V	900毫欧@2.7A，10V	3.7V@270μA	10V时为10.5nC	±30V	380 pF @ 300 V	-	60W（温度）
HN1A01FE-Y,LXHF	0.4500	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	HN1A01			100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																							50V	150毫安					100nA（ICBO）	2 PNP（双）	300毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
RN1906FE,LXHF(CT	0.3800	询价	7	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN1906			100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																							50V	100毫安					500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	47k欧姆
SSM6L36FE,LM	0.4500	询价	108	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6L36		MOSFET（金属O化物）	150毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000	N 和 P 沟道				20V	500毫安、330毫安		630mOhm@200mA，5V	1V@1mA	1.23nC@4V		46pF@10V	逻辑电平门
SSM6J422TU,LXHF	0.4100	询价	2	东芝半导体和存储	汽车、AEC-Q101、U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD，写入			MOSFET（金属O化物）		六氯化铀	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			P沟道		20V	4A（塔）	1.5V、4.5V	42.7毫欧@3A，4.5V	1V@1mA	12.8nC@4.5V	+6V、-8V	10V时为840pF	-	1W（塔）
RN2108CT(TPL3)	-	询价	4145	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN2108			50毫W	CST3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000																							20V	50毫安					500纳安	PNP - 预偏置	150mV@250μA，5mA	120@10mA，5V		22欧姆	47欧姆
HN1B04FU-GR,LXHF	0.4200	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	HN1B04			200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																							50V	150毫安					100nA（ICBO）	NPN、PNP	250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA	200@2mA，6V	150兆赫、120兆赫
GT40QR21(STA1,E,D	3.6200	询价	18	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	175°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	GT40QR21	标准		230W	TO-3P(N)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	264-GT40QR21(STA1ED	EAR99	8541.29.0095	25				280V，40A，10欧姆，20V													600纳秒					-	1200伏	40A	80A	2.7V@15V，40A	-, 290μJ（关闭）	-
2SC4604,T6F(J	-	询价	8219	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC4604			900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																							50V	3A					100nA（ICBO）	NPN	500mV@75mA，1.5A	120@100mA，2V	100兆赫兹

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²