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离散半导体产品（（2909）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	电流 -最大	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
SSM6K518NU，LF	0.4100	RFQ	6	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	6-WDFN暴露垫	SSM6K518	MOSFET （金属 o化物）		6-udfnb（2x2）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		20 v	6a（6a）	1.5V，4.5V	33MOHM @ 4A，4.5V	1V @ 1mA	3.6 NC @ 4.5 V	±8V	410 pf @ 10 V	-	1.25W（TA）
TK17A65W5，S5X	3.1400	RFQ	100	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包	TK17A65	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	17.3a（ta）	10V	230MOHM @ 8.7A，10V	4.5V @ 900µA	50 NC @ 10 V	±30V	1800 PF @ 300 V	-	45W（TC）
2SK3700（f）	2.5200	RFQ	100	东芝半导体和存储	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	2SK3700	MOSFET （金属 o化物）		to-3p n（n）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		900 v	5A（5A）		2.5OHM @ 3A，10V	4V @ 1mA	28 NC @ 10 V		1150 pf @ 25 V	-	150W（TC）
TK12P50W，RQ	2.0000	RFQ	6704	东芝半导体和存储	dtmosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		500 v	11.5A（TA）	10V	340MOHM @ 5.8A，10V	3.7V @ 600µA	25 NC @ 10 V	±30V	890 pf @ 300 V	-	100W（TC）
2SC3665-y t2nsw，FM	-	RFQ	1068	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	SC-71	2SC3665		1 w	MSTM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1																					120 v	800 MA			100NA（ICBO）		NPN	1V @ 50mA，500mA	80 @ 100mA，5V	120MHz
HN1B04FU-Y，LXHF	0.4200	RFQ	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	HN1B04		200MW	US6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																					50V	150mA			100NA（ICBO）		NPN，PNP	250mv @ 10mA，100mA / 300mv @ 10mA，100mA	120 @ 2mA，6v	150MHz，120MHz
TPCA8045-H （T2L1，VM	-	RFQ	3369	东芝半导体和存储	U-Mosvi-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPCA8045	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		40 V	46a（ta）	4.5V，10V	3.6mohm @ 23A，10V	2.3V @ 1mA	90 NC @ 10 V	±20V	7540 pf @ 10 V	-	1.6W（ta），45W（tc）
tpcc8136.lq	-	RFQ	7165	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	8-Powervdfn	TPCC8136	MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.1x3.1）	-		（1 （无限）	264-TPCC8136.LQTR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		20 v	9.4A（TA）	1.8V，4.5V	16mohm @ 9.4a，4.5V	1.2V @ 1mA	36 NC @ 5 V	±12V	2350 pf @ 10 V	-	700MW（TA），18W （TC）
TPN5900CNH，L1Q	1.3400	RFQ	5	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPN5900	MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.1x3.1）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		150 v	9a（9a）	10V	59MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 200µA	7 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 75 V	-	700MW（TA），39W （TC）
TPH1R204PL1，LQ	1.6600	RFQ	16	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8 SOP Advance（5x5.75）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		40 V	150a（TC）	4.5V，10V	1.24mohm @ 50a，10v	2.4V @ 500µA	74 NC @ 10 V	±20V	7200 PF @ 20 V	-	960MW（TA），170W（tc）
RN2106MFV，L3XHF（ct	0.3400	RFQ	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-723	RN2106		150兆	VESM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	8,000																					50 V	100 ma			500NA		pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
RN1131MFV，L3F	0.1800	RFQ	8	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-723	RN1131		150兆	VESM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	8,000																					50 V	100 ma			100NA（ICBO）		npn-预先偏见	300mv @ 500µA，5mA	120 @ 1mA，5V		100 kohms
TPH3R203NL，L1Q	1.2500	RFQ	18	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPH3R203	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		30 V	47A（TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 23.5A，10V	2.3V @ 300µA	21 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 15 V	-	1.6W（TA），44W（tc）
SSM6K405TU，LF	0.3700	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6K405	MOSFET （金属 o化物）		UF6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		20 v	2A（TA）	1.5V，4V	126mohm @ 1A，4V	1V @ 1mA	3.4 NC @ 4 V	±10V	195 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
TK5A60D（sta4，Q，m）	1.5700	RFQ	3980	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK5A60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	5A（5A）	10V	1.43OHM @ 2.5A，10V	4.4V @ 1mA	16 NC @ 10 V	±30V	700 pf @ 25 V	-	35W（TC）
2SA1020-O te6，F，M）	-	RFQ	3483	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA1020		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																					50 V	2 a			1µA（ICBO）		PNP	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
JDP2S02AF（TPL3）	0.4700	RFQ	1	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）		2-SMD，平坦的铅	JDP2S02			FSC	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	10,000			50 mA																	0.4pf @ 1V，1MHz			PIN-单	30V		1.5OHM @ 10mA，100MHz
RN1511（TE85L，F）	0.4700	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-74A，SOT-753	RN1511		300MW	SMV	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																					50V	100mA			100NA（ICBO）		2（NPN- 预偏（双重）（）（）	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	250MHz	10KOHMS	-
TK5R3E08QM，S1X	1.5800	RFQ	98	东芝半导体和存储	U-MOSX-H	管子	积极的	175°C	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		80 V	120A（TC）	6V，10V	5.3MOHM @ 50a，10V	3.5V @ 700µA	55 NC @ 10 V	±20V	3980 pf @ 40 V	-	150W（TC）
TK11P65W，RQ	1.7300	RFQ	2	东芝半导体和存储	dtmosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK11P65	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		650 v	11.1a（ta）	10V	440MOHM @ 5.5A，10V	3.5V @ 450µA	25 NC @ 10 V	±30V	890 pf @ 300 V	-	100W（TC）
TK13E25D，S1X（s	2.2900	RFQ	4902	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TK13E25	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		250 v	13A（TA）	10V	250mohm @ 6.5a，10v	3.5V @ 1mA	25 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 100 V	-	102W（TC）
SSM6J505NU，LF	0.5100	RFQ	19	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	SSM6J505	MOSFET （金属 o化物）		6-udfnb（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		12 v	12a（12a）	1.2V，4.5V	12MOHM @ 4A，4.5V	1V @ 1mA	37.6 NC @ 4.5 V	±6V	2700 PF @ 10 V	-	1.25W（TA）
SSM3J304T（TE85L，F）	-	RFQ	9160	东芝半导体和存储	U-Mosiii	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SSM3J304	MOSFET （金属 o化物）		TSM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		20 v	2.3a（ta）	1.8V，4V	127MOHM @ 1A，4V	-	6.1 NC @ 4 V	±8V	335 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
1SV324TPH3F	0.4200	RFQ	972	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	SC-76，SOD-323	1SV324			南加州大学	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0070	3,000																				12pf @ 4V，1MHz			单身的	10 v									4.3	C1/C4	-
2SA2154CT-gr，L3F	0.3200	RFQ	5	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	2SA2154		100兆	CST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	10,000																					50 V	100 ma			100NA（ICBO）		PNP	300mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	80MHz
CMH04（TE12L，Q，M）	0.4500	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOD-128	CMH04	标准		M-Flat（2.4x3.8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													200 v	980 mv @ 1 a	35 ns	10 µA @ 200 V	-40°C〜150°C	1a	-
SSM6K403TU，LF	0.4900	RFQ	6811	东芝半导体和存储	U-Mosiii	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6K403	MOSFET （金属 o化物）		UF6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		20 v	4.2A（ta）	1.5V，4V	28mohm @ 3a，4v	1V @ 1mA	16.8 NC @ 4 V	±10V	1050 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
RN2114MFV，L3F	0.2000	RFQ	7888	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-723	RN2114		150兆	VESM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	8,000																					50 V	100 ma			500NA		pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，5mA	50 @ 10mA，5V		1 kohms	10 kohms
2SJ438（Cano，A，Q）	-	RFQ	6374	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		通过洞	TO-220-3完整包	2SJ438			TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1					5A（TJ）
SSM3K37CT，L3F	0.2900	RFQ	3	东芝半导体和存储	U-Mosiii	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	SSM3K37	MOSFET （金属 o化物）		CST3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道		20 v	200ma（ta）	1.5V，4.5V	2.2OHM @ 100mA，4.5V	1V @ 1mA		±10V	12 pf @ 10 V	-	100mW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2909）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²