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离散半导体产品（（2909）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
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tpc8092，lq（s	-	RFQ	8376	东芝半导体和存储	U-Mosvii	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPC8092	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	15A（TA）	4.5V，10V	9MOHM @ 7.5A，10V	2.3V @ 200µA	25 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 10 V	-	1W（ta）
tpc8134，lq（s	0.7300	RFQ	2	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPC8134	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	40 V	5A（5A）	4.5V，10V	52MOHM @ 2.5A，10V	2V @ 100µA	20 nc @ 10 V	+20V，-25V	890 pf @ 10 V	-	1W（ta）
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TJ20S04M3L （T6L1，NQ	1.3300	RFQ	9822	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TJ20S04	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	40 V	20A（TA）	6V，10V	22.2MOHM @ 10A，10V	3V @ 1mA	37 NC @ 10 V	+10V，-20V	1850 pf @ 10 V	-	41W（TC）
TJ30S06M3L （T6L1，NQ	0.7102	RFQ	2570	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TJ30S06	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	60 V	30a（TA）	6V，10V	21.8mohm @ 15a，10v	3V @ 1mA	80 NC @ 10 V	+10V，-20V	3950 pf @ 10 V	-	68W（TC）
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TK13A55DA （STA4，QM）	2.8600	RFQ	3819	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK13A55	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	550 v	12.5A（TA）	10V	480MOHM @ 6.3a，10V	4V @ 1mA	38 NC @ 10 V	±30V	1800 pf @ 25 V	-	45W（TC）
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TK14A55D（sta4，Q，m）	3.1600	RFQ	50	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK14A55	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	550 v	14A（TA）	10V	370MOHM @ 7A，10V	4V @ 1mA	40 NC @ 10 V	±30V	2300 PF @ 25 V	-	50W（TC）
TK15A50D（sta4，Q，m）	3.2300	RFQ	29	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK15A50	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	15A（TA）	10V	300MOHM @ 7.5A，10V	4V @ 1mA	40 NC @ 10 V	±30V	2300 PF @ 25 V	-	50W（TC）
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TK20A25D，S5Q （M	-	RFQ	8354	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK20A25	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	20A（TA）	10V	100mohm @ 10a，10v	3.5V @ 1mA	55 NC @ 10 V	±20V	2550 pf @ 100 V	-	45W（TC）
TK20P04M1，RQ s	-	RFQ	3613	东芝半导体和存储	U-Mosvi-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK20P04	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	40 V	20A（TA）	4.5V，10V	29mohm @ 10a，10v	2.3V @ 100µA	15 NC @ 10 V	±20V	985 PF @ 10 V	-	27W（TC）
TK20S04K3L （T6L1，NQ	-	RFQ	2714	东芝半导体和存储	U-Mosiv	胶带和卷轴（（tr）	过时的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK20S04	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	40 V	20A（TA）	6V，10V	14mohm @ 10a，10v	3V @ 1mA	18 nc @ 10 V	±20V	820 pf @ 10 V	-	38W（TC）
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TK2P60D（TE16L1，NQ）	-	RFQ	2671	东芝半导体和存储	π-mosvii	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK2P60	MOSFET （金属 o化物）		PW-MOLD	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	2A（TA）	10V	4.3OHM @ 1A，10V	4.4V @ 1mA	7 NC @ 10 V	±30V	280 pf @ 25 V	-	60W（TC）
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2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2909）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²