分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	额定电流（安培）	测试条件	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
SSM6P36TU,LF	0.3800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6P36			MOSFET（金属O化物）	500毫W（塔）	六氯化铀	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）								20V	330mA（塔）		1.31欧姆@100mA，4.5V	1V@1mA	1.2nC@4V		43pF@10V	逻辑电平门，1.5V驱动
2SK2507(女)	-	询价	5339	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SK2507			MOSFET（金属O化物）		TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道						50V	25A（塔）	4V、10V	46毫欧@12A，10V	2V@1mA	25nC@10V	±20V	900pF@10V	-	30W（温度）
TPC8066-H,LQ(S	-	询价	9428	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	过时的			150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TPC8066			MOSFET（金属O化物）		8-SOP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,500人			N沟道						30V	11A（塔）	4.5V、10V	16毫欧@5.5A，10V	2.3V@100μA	15nC@10V	±20V	1100pF@10V	-	1W（塔）
SSM3K35MFV，L3F	-	询价	6004	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			150℃	表面贴装	SOT-723	SSM3K35			MOSFET（金属O化物）		VESM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	SSM3K35MFVL3F	EAR99	8541.21.0095	8,000			N沟道						20V	180mA（塔）	1.2V、4V	3欧姆@50mA，4V	1V@1mA		±10V	9.5pF@3V	-	150毫W（塔）
TK13A65U(STA4,Q,M)	-	询价	1833年	东芝半导体和存储	DTMOSII	管子	过时的			150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK13A65			MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	500			N沟道						650伏	13A（塔）	10V	380毫欧@6.5A，10V	5V@1mA	17nC@10V	±30V	950pF@10V	-	40W（温度）
2SA1020-Y(6MBH1,AF	-	询价	3365	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1020				900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																														50V	2A						1μA（ICBO）			国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
SSM3J352F,LF	0.4900	询价	2	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极			150℃	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SSM3J352			MOSFET（金属O化物）		S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			P沟道						20V	2A（塔）	1.8V、10V	110毫欧@2A，10V	1.2V@1mA	5.1nC@4.5V	±12V	10V时为210pF	-	1.2W（塔）
CMZ36(TE12L,Q,M)	0.5800	询价	2937	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	±10%		-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SOD-128					2W	M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0050	3,000																							1.2V@200mA		28.8V时为10μA													36V	30欧姆
RN1114(T5L,F,T)	-	询价	5709	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1114				100毫W	SSM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																														50V	100毫安						500纳安			NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	1欧姆	10欧姆
TK15A60D(STA4,Q,M)	-	询价	5345	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	过时的			150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK15A60			MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道						600伏	15A（塔）	10V	370毫欧@7.5A，10V	4V@1mA	45nC@10V	±30V	2600pF@25V	-	50W（温度）
2SC2229-Y(T6MITIFM)	-	询价	7080	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2229				800毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	2SC2229YT6MITIFM	EAR99	8541.21.0075	1																														150伏	50毫安						100nA（ICBO）			NPN	500mV@1mA、10mA	70@10mA，5V	120兆赫
CRS04(TE85L)	-	询价	7404	东芝半导体和存储	-	切带 (CT)	过时的				表面贴装	SOD-123F	CRS04			肖特基		S-平面 (1.6x3.5)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）																			40V		510毫伏@1安		40V时为100μA	-40℃～150℃	1A	-
2SA1943N(S1,E,S)	2.4400	询价	1	东芝半导体和存储	-	管子	的积极			150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	2SA1943				150W	TO-3P(N)	下载	符合ROHS3标准	不适用	2SA1943N(S1ES)	EAR99	8541.29.0075	25																														230伏	15A						5μA（ICBO）			国民党	3V@800mA，8A	80@1A，5V	30兆赫兹
2SA949-Y,ONK-1F(M	-	询价	6594	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA949				800毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																														150伏	50毫安						100nA（ICBO）			国民党	800mV@1mA，10A	70@10mA，5V	120兆赫
2SA1312-BL(TE85L,F	0.3300	询价	33	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SA1312				150毫W	S-迷你型	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																														120V	100毫安						100nA（ICBO）			国民党	300mV@1mA、10mA	350@2mA，6V	100兆赫兹
HN2D03F(TE85L,F)	0.6000	询价	8812	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	SC-74、SOT-457	HN2D03			标准		SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度																		3 独立	400V	100毫安	1.3V@100mA	500纳秒	400V时为100μA	150℃（最高）
GT50N322A	4.7800	询价	76	东芝半导体和存储	-	托盘	的积极			150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3		标准			156W	TO-3P(N)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	264-GT50N322A	EAR99	8541.29.0095	50					-																			800纳秒					-	1000伏	50A	120A	2.8V@15V，60A	-	-
CTS05S30,L3F	0.3400	询价	15	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	SOD-882	CTS05S30			肖特基		CST2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	10,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）																			30V		340毫伏@100毫安		10V时为150μA	125℃（最高）	500毫安	55pF @ 0V、1MHz
2SC5714(TE12L,ZF)	-	询价	5601	东芝半导体和存储	-	盒子	的积极			150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA					1W	PW-MINI	下载				EAR99	8541.29.0095	1																														20V	4A						100nA（ICBO）			NPN	150mV@32mA，1.6A	400@500mA，2V	-
RN1316,LXHF	0.3900	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1316				100毫W	SC-70	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																														50V	100毫安						500纳安			NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	10欧姆
RN1911,LF(CT	0.2800	询价	8828	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1911				100毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																														50V	100毫安						100nA（ICBO）			2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	10k欧姆	-
SSM6N813R，LF	0.5500	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			175℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6N813			MOSFET（金属O化物）	1.5W（塔）	6-TSOP-F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）								100V	3.5A（塔）		112毫欧@3.5A，10V	2.5V@100μA	3.6nC@4.5V		242pF@15V	-
HN2S01FUTE85LF	0.3800	询价	9	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	HN2S01			肖特基		美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度																		3 独立	10V	100毫安	500 毫伏 @ 100 毫安		10V时为20μA	125℃（最高）
RN1104T5LFT	0.3800	询价	528	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1104				100毫W	SSM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																														50V	100毫安						500纳安			NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	47欧姆	47欧姆
CLH06(TE16R,Q)	-	询价	7267	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的				表面贴装	L-薄™	CLH06			标准		L-FLAT™ (4x5.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）																			300伏			35纳秒		-	5A	-
TPH5900CNH,L1Q	1.0100	询价	3577	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极			150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH5900			MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000			N沟道						150伏	9A（塔）	10V	59毫欧@4.5A，10V	4V@200μA	7nC@10V	±20V	600pF@75V	-	1.6W（Ta）、42W（Tc）
3SK293(TE85L,F)	0.5200	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		12.5V		表面贴装	SC-82A、SOT-343	3SK293		800兆赫	场效应管		南昆士兰大学	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应			30毫安		10毫安	-	22分贝											2.5分贝																	6V
TK15S04N1L,LQ	1.6400	询价	4104	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极			175°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK15S04			MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000			N沟道						40V	15A（塔）	4.5V、10V	17.8毫欧@7.5A，10V	2.5V@100μA	10nC@10V	±20V	610pF@10V	-	46W（温度）
2SA1429-Y(T2TR,F,M	-	询价	8569	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SA1429				1W	MSTM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																														80V	2A						1μA（ICBO）			国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	80兆赫
TPC8407,LQ(S	-	询价	5590	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TPC8407			MOSFET（金属O化物）	450毫W	8-SOP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	2,500人	N 和 P 沟道								30V	9A、7.4A		17毫欧@4.5A，10V	2.3V@100μA	17nC@10V		1190pF@10V	逻辑电平门

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²