分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
CLS03(T6L,CANO-O,Q	-	询价	8132	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		表面贴装	L-薄™	CLS03	肖特基		L-FLAT™ (4x5.5)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														60V		580毫伏@10安		1毫安@60伏	-40℃～125℃	10A	345pF@10V、1MHz
2SC6042,T2HOSH1Q(J	-	询价	5485	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SC6042		1W	MSTM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	1																								375伏	1A	100μA（ICBO）	NPN	1V@100mA、800mA	100@100mA，5V	-
TPN11006NL,LQ	0.9400	询价	1	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN11006	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道		60V	17A（温度）	4.5V、10V	11.4毫欧@8.5A，10V	2.5V@200μA	23nC@10V	±20V	2000pF@30V	-	700mW（Ta）、30W（Tc）
1SS393SU，LF	0.4000	询价	180	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	1SS393	肖特基		SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0070	3,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度													1对共轴线	40V	100毫安	600 毫伏 @ 100 毫安		5μA@40V	125℃（最高）
TPC8132,LQ(S	0.9600	询价	1	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TPC8132	MOSFET（金属O化物）		8-SOP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,500人			P沟道		40V	7A（塔）	4.5V、10V	25毫欧@3.5A，10V	2V@200μA	34nC@10V	+20V，-25V	1580pF@10V	-	1W（塔）
TK100L60W,VQ	34.7700	询价	5509	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3PL	TK100L60	MOSFET（金属O化物）		TO-3P(L)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	100			N沟道		600伏	100A（塔）	10V	18毫欧@50A，10V	3.7V@5mA	360nC@10V	±30V	15000pF@30V	-	797W（温度）
HN2A01FE-GR(TE85LF	-	询价	8778	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	HN2A01		100毫W	ES6	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	4,000																								50V	150毫安	100nA（ICBO）	2 PNP（双）	300毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	800兆赫
2SC4116-BL,LF	0.1800	询价	第982章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SC4116		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	150毫安	100nA（ICBO）	NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	350@2mA，6V	80兆赫
TK17E80W,S1X	4.5900	询价	4719	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150℃	通孔	TO-220-3	TK17E80	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		800V	17A（塔）	10V	290毫欧@8.5A，10V	4V@850μA	32nC@10V	±20V	2050 pF @ 300 V	-	180W（温度）
TPC8113(TE12L,Q)	-	询价	9646	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	TPC8113	MOSFET（金属O化物）		8-SOP (5.5x6.0)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000			P沟道		30V	11A（塔）	4V、10V	10毫欧@5.5A，10V	2V@1mA	107nC@10V	±20V	4500pF@10V	-	1W（塔）
2SC1627A-O，PASF(M	-	询价	7005	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC1627		800毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1																								80V	400毫安	100nA（ICBO）	NPN	400mV@20mA，200A	70@50mA，2V	100兆赫兹
TK14G65W5,RQ	1.5362	询价	7882	东芝半导体和存储	DTMOSIV	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	TK14G65	MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	1,000			N沟道		650伏	13.7A（塔）	10V	300毫欧@6.9A，10V	4.5V@690μA	40nC@10V	±30V	1300 pF @ 300 V	-	130W（温度）
SSM3J352F,LF	0.4900	询价	2	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SSM3J352	MOSFET（金属O化物）		S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000			P沟道		20V	2A（塔）	1.8V、10V	110毫欧@2A，10V	1.2V@1mA	5.1nC@4.5V	±12V	10V时为210pF	-	1.2W（塔）
2SJ438,MDKQ(J	-	询价	第1464章	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		通孔	TO-220-3全包	2SJ438			TO-220NIS	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	1						5A（Tj）
1SS397TE85LF	0.4100	询价	8305	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	1SS397	标准		SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0070	3,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度														400V		1.3V@100mA	500纳秒	400V时为1μA	125℃（最高）	100毫安	5pF @ 0V、1MHz
MT3S113TU,LF	0.6400	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，写入	MT3S113		900毫W	UFM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000				12.5分贝																				5.3V	100毫安		NPN		200@30mA，5V	11.2GHz			1.45dB@1GHz
2SC5714(TE12L,ZF)	-	询价	5601	东芝半导体和存储	-	盒子	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA			1W	PW-MINI	下载			EAR99	8541.29.0095	1																								20V	4A	100nA（ICBO）	NPN	150mV@32mA，1.6A	400@500mA，2V	-
2SA1020-Y(6MBH1,AF	-	询价	3365	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1020		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1																								50V	2A	1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
TK13A65U(STA4,Q,M)	-	询价	1833年	东芝半导体和存储	DTMOSII	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK13A65	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	500			N沟道		650伏	13A（塔）	10V	380毫欧@6.5A，10V	5V@1mA	17nC@10V	±30V	950pF@10V	-	40W（温度）
CLH05(TE16R,Q)	-	询价	3564	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		表面贴装	L-薄™	CLH05	标准		L-FLAT™ (4x5.5)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														200V		980毫伏@5安	35纳秒	10μA@200V	-40℃～150℃	5A	-
TK10E80W,S1X	3.6500	询价	50	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150℃	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		800V	9.5A（塔）	10V	550mOhm@4.8A，10V	4V@450μA	19nC@10V	±20V	1150 pF @ 300 V	-	130W（温度）
2SA965-O(TE6,F,M)	-	询价	2634	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA965		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1																								120V	800毫安	100nA（ICBO）	国民党	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
CRG04(TE85L,Q,M)	-	询价	3321	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SOD-123F	CRG04	标准		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0080	3,000		标准恢复 >500ns，>200mA (Io)														600伏		1.1V@1A		600V时为10μA	-40℃～150℃	1A	-
CMS17(TE12L,Q,M)	0.4600	询价	3814	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOD-128	CMS17	肖特基		M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														30V		480毫伏@2安		30V时为100μA	-40℃～150℃	2A	90pF@10V，1MHz
TK1K7A60F,S4X	0.9000	询价	1	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	150℃	通孔	TO-220-3全包	TK1K7A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		600伏	4A（塔）	10V	1.7欧姆@2A，10V	4V@460μA	16nC@10V	±30V	560 pF @ 300 V	-	35W（温度）
SSM6P36TU,LF	0.3800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6P36	MOSFET（金属O化物）	500毫W（塔）	六氯化铀	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）				20V	330mA（塔）		1.31欧姆@100mA，4.5V	1V@1mA	1.2nC@4V		43pF@10V	逻辑电平门，1.5V驱动
RN4983FE,LXHF(CT	0.3800	询价	1250	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4983		100毫W	ES6	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000																								50V	100毫安	500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	22k欧姆	22k欧姆
SSM3J377R，LXHF	0.4700	询价	6	东芝半导体和存储	汽车、AEC-Q101、U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SOT-23-3 读写		MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000			P沟道		20V	3.9A（塔）	1.5V、4.5V	93毫欧@1.5A，4.5V	1V@1mA	4.5V时为4.6nC	+6V、-8V	290pF@10V	-	1W（塔）
TK40A10N1,S4X	1.8500	询价	100	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK40A10	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		100V	40A（温度）	10V	8.2毫欧@20A，10V	4V@500μA	49nC@10V	±20V	3000pF@50V	-	35W（温度）
SSM3K339R，LF	0.4500	询价	42	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3K339	MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道		40V	2A（塔）	1.8V、8V	185mOhm@1A，8V	1.2V@1mA	1.1nC@4.2V	±12V	130pF@10V	-	1W（塔）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²