分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
2SC3328-O,T6KEHF(M	-	询价	3158	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC3328		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																				80V	2A	1μA（ICBO）	NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
TPCL4203(TE85L,F)	-	询价	2304	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	4-XFLGA	TPCL4203	MOSFET（金属O化物）	500毫W	4 芯片 LGA (1.59x1.59)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000	2个N沟道（半桥）			-	-		-	1.2V@200μA	-		685pF@10V	-
TK9A90E,S4X	2.2100	询价	40	东芝半导体和存储	π-MOSVIII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK9A90	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	900伏	9A（塔）	10V	1.3欧姆@4.5A，10V	4V@900μA	46nC@10V	±30V	2000pF@25V	-	50W（温度）
1SS404，H3F	0.2000	询价	55	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-76、SOD-323	1SS404	肖特基		南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												20V	450毫伏@300毫安	20V时为50μA	125℃（最高）	300毫安	46pF @ 0V、1MHz
2SA1588-Y,LF	0.2300	询价	4	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SA1588		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																				30V	500毫安	100nA（ICBO）	国民党	250毫伏@10毫安，100毫安	120@100mA，1V	200兆赫
RN1104ACT(TPL3)	-	询价	2761	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN1104		100毫W	CST3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000																				50V	80毫安	500纳安	NPN - 预偏置	150mV@250μA，5mA	80@10mA，5V		47欧姆	47欧姆
RN1442ATE85LF	-	询价	4776	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1442		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																				20V	300毫安	100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	100毫伏@3毫安，30毫安	200@4mA，2V	30兆赫	10欧姆
RN2109,LXHF(CT	0.3300	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2109		100毫W	SSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																				50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	47欧姆	22欧姆
2SA1020-Y(T6OMI,FM	-	询价	4882	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1020		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																				50V	2A	1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
TTC5200(Q)	2.7000	询价	1	东芝半导体和存储	-	托盘	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3PL	TTC5200		150W	TO-3P(L)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	100																				230伏	15A	5μA（ICBO）	NPN	3V@800mA，8A	80@1A，5V	30兆赫兹
SSM3K56CT，L3F	0.4600	询价	16	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极	150℃（TA）	表面贴装	SC-101、SOT-883	SSM3K56	MOSFET（金属O化物）		CST3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000			N沟道	20V	800mA（塔）	1.5V、4.5V	235毫欧@800mA，4.5V	1V@1mA	1nC@4.5V	±8V	55pF@10V	-	500毫W（塔）
RN4989(T5L,F,T)	0.3000	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4989		200毫W	美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																				50V	100毫安	100μA（ICBO）	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	47k欧姆	22k欧姆
2SA1837,S1CSF(J	-	询价	第1678章	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1837		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																				230伏	1A	1μA（ICBO）	国民党	1.5V@50mA、500mA	100@100mA，5V	70兆赫兹
TK40A06N1,S4X	1.2300	询价	100	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK40A06	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	60V	40A（温度）	10V	10.4毫欧@20A，10V	4V@300μA	23nC@10V	±20V	1700pF@30V	-	30W（温度）
SSM3K36FS,LF	0.2900	询价	31	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416	SSM3K36	MOSFET（金属O化物）		SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道	20V	500mA（塔）	1.5V、5V	630mOhm@200mA，5V	1V@1mA	1.23nC@4V	±10V	10V时为46pF	-	150毫W（塔）
TK28N65W,S1F	6.3000	询价	30	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	TK28N65	MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30			N沟道	650伏	27.6A（塔）	10V	110毫欧@13.8A，10V	3.5V@1.6mA	75nC@10V	±30V	3000 pF @ 300 V	-	230W（温度）
TK65A10N1,S4X	2.7900	询价	41	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK65A10	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	100V	65A（温度）	10V	4.8毫欧@32.5A，10V	4V@1mA	10V时为81nC	±20V	5400pF@50V	-	45W（温度）
CTS05F40,L3F	0.3000	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOD-882	CTS05F40	肖特基		CST2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	10,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												40V	810 毫伏 @ 500 毫安	40V时为15μA	150℃（最高）	500毫安	28pF @ 0V、1MHz
TPHR7904PB,L1XHQ	2.8200	询价	19	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-SOIC（0.197英寸，5.00毫米宽）	TPHR7904	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	5,000			N沟道	40V	150A（塔）	6V、10V	0.79毫欧@75A，10V	3V@1mA	85nC@10V	±20V	6650pF@10V	-	960mW（Ta）、170W（Tc）
TK9A55DA(STA4,Q,M)	2.0200	询价	9871	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK9A55	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	550伏	8.5A（塔）	10V	860毫欧@4.3A，10V	4V@1mA	20nC@10V	±30V	1050pF@25V	-	40W（温度）
CUS04(TE85L,Q,M)	-	询价	2743	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-76、SOD-323	CUUS04	肖特基		美式床单 (1.25x2.5)	下载	符合RoHS标准		CUS04(TE85LQM)	EAR99	8541.10.0080	4,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												60V	580 毫伏 @ 700 毫安	60V时为100μA	-40℃～150℃	700毫安	38pF@10V，1MHz
2SA1020-Y,F(M	-	询价	第1478章	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1020		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	2SA1020-YF(米	EAR99	8541.21.0075	1																				50V	2A	1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
CLS01,LFJFQ(O	-	询价	1100	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		表面贴装	L-薄™	CLS01	肖特基		L-FLAT™ (4x5.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												30V	470毫伏@10安	1毫安@30伏	-40℃～125℃	10A	530pF@10V、1MHz
RN2405,LF	0.2200	询价	第1371章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2405		200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																				50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	2.2欧姆	47欧姆
RN2102,LF(CT	0.2000	询价	8558	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2102		100毫W	SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																				50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	10欧姆	10欧姆
2SD2257,KEHINQ(J	-	询价	4854	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SD2257		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1																				100V	3A	10μA（ICBO）	NPN	1.5V@1.5mA，1.5A	2000 @ 2A、2V	-
SSM3J112TU，LF	0.4500	询价	9931	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	3-SMD，写入	SSM3J112	MOSFET（金属O化物）		UFM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			P沟道	30V	1.1A（塔）	4V、10V	390毫欧@500毫安，10伏	1.8V@100μA		±20V	15V时为86pF	-	800毫W（塔）
SSM3K106TU(TE85L)	-	询价	1623	东芝半导体和存储	π-MOSVI	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，写入	SSM3K106	MOSFET（金属O化物）		UFM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道	20V	1.2A（塔）	4V、10V	310毫欧@600mA，10V	2.3V@100μA		±20V	10V时为36pF	-	500毫W（塔）
RN1609(TE85L,F)	0.4800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74、SOT-457	RN1609		300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																				50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	47k欧姆	22k欧姆
2SC5712(TE12L,F)	0.4600	询价	989	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	2SC5712		1W	PW-MINI	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1,000																				50V	3A	100nA（ICBO）	NPN	140mV@20mA，1A	400@300mA，2V	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²