分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
TPCA8103(TE12L,Q,M	-	询价	6622	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8103	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	40A（塔）	4V、10V	4.2毫欧@20A，10V	2V@1mA	184nC@10V	±20V	7880pF@10V	-	1.6W（Ta）、45W（Tc）
RN1910,LF(CT	0.2700	询价	8287	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1910		100毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	-
RN2108ACT(TPL3)	-	询价	4994	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN2108		100毫W	CST3	-	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000																						50V	80毫安	500纳安	PNP - 预偏置	150mV@250μA，5mA	80@10mA，5V		22欧姆	47欧姆
TTC4116FU，LF	0.2400	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	TTC4116		100毫W	SC-70	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	150毫安	100nA（ICBO）	NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
XPH3R206NC,L1XHQ	1.7500	询价	19	东芝半导体和存储	汽车、AEC-Q101、U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-SOIC（0.197英寸，5.00毫米宽）	XPH3R206	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	60V	70A（塔）		3.2毫欧@35A，10V	2.5V@500μA	65nC@10V	±20V	10V时为4180pF	-	960mW（Ta）、132W（Tc）
CMS01(TE12L,Q,M)	0.6600	询价	20	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOD-128	CMS01	肖特基		M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													30V		370毫伏 @ 3安		5毫安@30伏	-40℃～125℃	3A	-
TK31N60W5,S1VF	7.0800	询价	3930	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	TK31N60	MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	600伏	30.8A（塔）	10V	99毫欧@15.4A，10V	4.5V@1.5mA	105nC@10V	±30V	3000 pF @ 300 V	-	230W（温度）
RN2305(TE85L,F)	0.2700	询价	107	东芝半导体和存储	-	切带 (CT)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2305		100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																						50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	2.2欧姆	47欧姆
2SC2235(T6KMAT,F,M	-	询价	3473	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2235		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																						120V	800毫安	100nA（ICBO）	NPN	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
RN2107,LXHF(CT	0.3300	询价	5	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2107		100毫W	SSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	10欧姆	47欧姆
TK040Z65Z,S1F	12.5400	询价	2107	东芝半导体和存储	DTMOSVI	管子	的积极	150℃	通孔	TO-247-4	TK040Z65	MOSFET（金属O化物）		TO-247-4L(T)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	264-TK040Z65ZS1F	EAR99	8541.29.0095	25		N沟道	650伏	57A（塔）	10V	40毫欧@28.5A，10V	4V@2.85mA	105nC@10V	±30V	6250 pF @ 300 V	-	360W（温度）
TRS6E65C、S1AQ	-	询价	2406	东芝半导体和存储	-	管子	过时的		通孔	TO-220-2	TRS6E65	SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2L	-	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	50	无恢复T>500mA(Io)													650伏		1.7V@6A	0纳秒	650V时为90μA	175℃（最高）	6A	35pF@650V，1MHz
2SC2235-Y(T6FJT,AF	-	询价	6044	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2235		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																						120V	800毫安	100nA（ICBO）	NPN	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
CMS07(TE12L,Q,M)	0.1916	询价	2620	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOD-128	CMS07	肖特基		M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													30V		450毫伏@2安		30V时为500μA	-40℃～150℃	2A	-
CUS10S30、H3F	0.3500	询价	195	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-76、SOD-323	CUS10S30	肖特基		南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													30V		230毫伏@100毫安		30V时为500μA	125℃（最高）	1A	135pF @ 0V、1MHz
RN1106MFV，L3F	0.1600	询价	15	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1106		150毫W	VESM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000																						50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	80@10mA，5V		4.7欧姆	47欧姆
TK8A45D(STA4,Q,M)	1.6000	询价	第1532章	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK8A45	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	450伏	8A（塔）	10V	900毫欧@4A，10V	4.4V@1mA	16nC@10V	±30V	700pF@25V	-	35W（温度）
1SS321，低频	0.3200	询价	41	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	1SS321	肖特基		S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度													10V		1V@50mA		10V时为500nA	125℃（最高）	50毫安	3.2pF @ 0V、1MHz
TBAT54C,LM	0.2100	询价	7	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TBAT54	肖特基		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度												1对共轴线	30V	140毫安	580 毫伏 @ 100 毫安	1.5纳秒	2μA@25V	150℃（最高）
2SA1837,HFEYHF(米	-	询价	6958	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1837		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																						230伏	1A	1μA（ICBO）	国民党	1.5V@50mA、500mA	100@100mA，5V	70兆赫兹
SSM3K72KFS，LF	0.2100	询价	162	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SC-75、SOT-416	SSM3K72	MOSFET（金属O化物）		SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	60V	300mA（塔）	4.5V、10V	1.5欧姆@100mA，10V	2.1V@250μA	0.6nC@4.5V	±20V	40pF@10V	-	150毫W（塔）
RN1113,LF(CT	0.2000	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1113		100毫W	SSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																						50V	100毫安	100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	47欧姆
RN1115,LF(CT	0.2000	询价	第633章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1115		100毫W	SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																						50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	2.2欧姆	10欧姆
RN1405,LF	0.2100	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1405		200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																						50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	2.2欧姆	47欧姆
RN1110CT(TPL3)	-	询价	2591	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN1110		50毫W	CST3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000																						20V	50毫安	100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	150mV@250μA，5mA	300@1mA，5V		4.7欧姆
RN1962FE(TE85L,F)	0.1500	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN1962		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																						50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	10k欧姆	10k欧姆
2SC2235-Y(T6ND,AF	-	询价	7383	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2235		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																						120V	800毫安	100nA（ICBO）	NPN	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
TPH5900CNH,L1Q	1.0100	询价	3577	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH5900	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	150伏	9A（塔）	10V	59毫欧@4.5A，10V	4V@200μA	7nC@10V	±20V	600pF@75V	-	1.6W（Ta）、42W（Tc）
TK100A10N1,S4X	3.9800	询价	50	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK100A10	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	不适用		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	100V	100A（温度）	10V	3.8毫欧@50A，10V	4V@1mA	140nC@10V	±20V	8800pF@50V	-	45W（温度）
2SC5172(YAZK、Q、M)	-	询价	8277	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SC5172		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1																						400V	5A	20μA（ICBO）	NPN	1V@250mA，2A	20@500mA，5V	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²