分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	电容比	电容比条件	Q@Vr，F
TPN2010FNH,L1Q	1.5500	询价	2	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN2010	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000			N沟道	250伏	5.6A（塔）	10V	198毫欧@2.8A，10V	4V@200μA	7nC@10V	±20V	600 pF @ 100 V	-	700mW（Ta）、39W（Tc）
RN2107,LXHF(CT	0.3300	询价	5	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2107		100毫W	SSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																							50V	100毫安			500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	10欧姆	47欧姆
TK040Z65Z,S1F	12.5400	询价	2107	东芝半导体和存储	DTMOSVI	管子	的积极	150℃	通孔	TO-247-4	TK040Z65	MOSFET（金属O化物）		TO-247-4L(T)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	264-TK040Z65ZS1F	EAR99	8541.29.0095	25			N沟道	650伏	57A（塔）	10V	40毫欧@28.5A，10V	4V@2.85mA	105nC@10V	±30V	6250 pF @ 300 V	-	360W（温度）
SSM3J35CT，L3F	0.3400	询价	7	东芝半导体和存储	π-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SC-101、SOT-883	SSM3J35	MOSFET（金属O化物）		CST3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000			P沟道	20V	100mA（塔）	1.2V、4V	8欧姆@50mA，4V	1V@1mA		±10V	12.2pF@3V	-	100毫W（塔）
2SC2235(T6KMAT,F,M	-	询价	3473	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2235		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																							120V	800毫安			100nA（ICBO）	NPN	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
TK31N60W5,S1VF	7.0800	询价	3930	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	TK31N60	MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30			N沟道	600伏	30.8A（塔）	10V	99毫欧@15.4A，10V	4.5V@1.5mA	105nC@10V	±30V	3000 pF @ 300 V	-	230W（温度）
RN2305(TE85L,F)	0.2700	询价	107	东芝半导体和存储	-	切带 (CT)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2305		100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																							50V	100毫安			500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	2.2欧姆	47欧姆
TK10E60W,S1VX	3.0600	询价	3786	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK10E60	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	不适用		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	600伏	9.7A（塔）	10V	380毫欧@4.9A，10V	3.7V@500μA	20nC@10V	±30V	700 pF @ 300 V	-	100W（温度）
SSM3K122TU，LF	0.3800	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	3-SMD，写入	SSM3K122	MOSFET（金属O化物）		UFM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道	20V	2A（塔）	1.5V、4V	123mOhm@1A，4V	1V@1mA	3.4nC@4V	±10V	195pF@10V	-	500毫W（塔）
RN4988(TE85L,F)	0.3400	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4988		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																							50V	100毫安			500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	22k欧姆	47k欧姆
DSR01S30SL,L3F	0.3500	询价	49	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	2-SMD，无铅	DSR01S30	肖特基		SL2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	10,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度													30V		620 毫伏 @ 100 毫安		700nA@30V	125℃（最高）	100毫安	8.2pF @ 0V、1MHz
2SB1457,T6YMEF(米	-	询价	5204	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SB1457		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	1																							100V	2A			10μA（ICBO）	国民党	1.5V@1mA、1A	2000 @ 1A，2V	50兆赫
TPCC8002-H(TE12L,Q	-	询价	2822	东芝半导体和存储	U-MOSV-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TPCC8002	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.3x3.3)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道	30V	22A（塔）	4.5V、10V	8.3毫欧@11A，10V	2.5V@1mA	27nC@10V	±20V	2500pF@10V	-	700mW（Ta）、30W（Tc）
TK4R3E06PL,S1X	1.5200	询价	400	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	管子	的积极	175°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK4R3E06	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	不适用		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	60V	80A（温度）	4.5V、10V	7.2毫欧@15A，4.5V	2.5V@500μA	48.2nC@10V	±20V	3280pF@30V	-	87W（温度）
RN1707，LF	0.3000	询价	8	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	RN1707		200毫W	无人艇	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																							50V	100毫安			500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	10k欧姆	47k欧姆
TPCF8201(TE85L,F,M	-	询价	6558	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	TPCF8201	MOSFET（金属O化物）	330毫W	VS-8 (2.9x1.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000	2 个 N 沟道（双）			20V	3A		49毫欧@1.5A，4.5V	1.2V@200μA	7.5nC@5V		590pF@10V	逻辑电平门
RN4985,LF(CT	0.2700	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4985		200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																							50V	100毫安			100μA（ICBO）	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
2SA965-O(TE6,F,M)	-	询价	2634	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA965		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																							120V	800毫安			100nA（ICBO）	国民党	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
CMS17(TE12L,Q,M)	0.4600	询价	3814	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOD-128	CMS17	肖特基		M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													30V		480毫伏@2安		30V时为100μA	-40℃～150℃	2A	90pF@10V，1MHz
CLH05(TE16R,Q)	-	询价	3564	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		表面贴装	L-薄™	CLH05	标准		L-FLAT™ (4x5.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													200V		980毫伏@5安	35纳秒	10μA@200V	-40℃～150℃	5A	-
RN2908FE(TE85L,F)	0.3500	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN2908		100毫W	ES6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																							50V	100毫安			100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	22k欧姆	47k欧姆
TK10E80W,S1X	3.6500	询价	50	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150℃	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	800V	9.5A（塔）	10V	550mOhm@4.8A，10V	4V@450μA	19nC@10V	±20V	1150 pF @ 300 V	-	130W（温度）
CRG04(TE85L,Q,M)	-	询价	3321	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SOD-123F	CRG04	标准		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000		标准恢复 >500ns，>200mA (Io)													600伏		1.1V@1A		600V时为10μA	-40℃～150℃	1A	-
1SV325、H3F	0.3800	询价	7628	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-79、SOD-523	1SV325			ESC键	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.30.0080	4,000																						12pF@4V，1MHz			单身的	10V								4.3	C1/C4	-
1SS416，L3M	0.2700	询价	34	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOD-923	1SS416	肖特基		SOD-923	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	10,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度													30V		500 毫伏 @ 100 毫安		30V时为50μA	125℃（最高）	100毫安	15pF @ 0V、1MHz
CLH07(TE16L,NMB,Q)	-	询价	5501	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		表面贴装	L-薄™	CLH07	标准		L-FLAT™ (4x5.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													400V		1.8V@5A	35纳秒	400V时为10μA	-40℃～150℃	5A	-
TK3R1A04PL,S4X	1.2700	询价	3177	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	管子	的积极	175°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK3R1A04	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	不适用		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	40V	82A（温度）	4.5V、10V	3.8毫欧@30A，4.5V	2.4V@500μA	63.4nC@10V	±20V	4670pF@20V	-	36W（温度）
CUS05F30,H3F	0.3100	询价	70	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-76、SOD-323	CUS05F30	肖特基		南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													30V		450 毫伏 @ 500 毫安		30V时为50μA		500毫安	120pF @ 0V、1MHz
TBAS16,LM	0.2100	询价	30	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-23-3 读写	TBAS16	标准		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000		标准恢复 >500ns，>200mA (Io)													80V					-	215毫安	-
TRS16N65FB,S1F(S	-	询价	5763	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		通孔	TO-247-3	TRS16N65	SiC（碳化硅）肖特基		TO-247	-	符合RoHS标准	1（无限制）	TRS16N65FBS1F(S	EAR99	8541.10.0080	30		无恢复T>500mA(Io)												1对共轴线	650伏	8A（室外）	1.7V@8A	0纳秒	650V时为90μA	175℃（最高）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²