分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
SSM6K809R，LF	0.7200	询价	5425	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6K809	MOSFET（金属O化物）		6-TSOP-F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道	60V	6A（塔）	4V、10V	36毫欧@5A，10V	2.5V@100μA	9.3nC@10V	±20V	550pF@10V	-	1.5W（塔）
TK25A60X5,S5X	4.6100	询价	1	东芝半导体和存储	DTMOSIV-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK25A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	600伏	25A（塔）	10V	140毫欧@7.5A，10V	4.5V@1.2mA	60nC@10V	±30V	2400 pF @ 300 V	-	45W（温度）
2SC2655-Y,F(J	-	询价	7966	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2655		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1																				50V	2A	1μA（ICBO）	NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
RN1316，LF	0.2100	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1316		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																				50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	10欧姆
CTS05F40,L3F	0.3000	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOD-882	CTS05F40	肖特基		CST2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0070	10,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												40V	810 毫伏 @ 500 毫安	40V时为15μA	150℃（最高）	500毫安	28pF @ 0V、1MHz
SSM3K56CT，L3F	0.4600	询价	16	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极	150℃（TA）	表面贴装	SC-101、SOT-883	SSM3K56	MOSFET（金属O化物）		CST3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	10,000			N沟道	20V	800mA（塔）	1.5V、4.5V	235毫欧@800mA，4.5V	1V@1mA	1nC@4.5V	±8V	55pF@10V	-	500毫W（塔）
SSM3K36FS,LF	0.2900	询价	31	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416	SSM3K36	MOSFET（金属O化物）		SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道	20V	500mA（塔）	1.5V、5V	630mOhm@200mA，5V	1V@1mA	1.23nC@4V	±10V	10V时为46pF	-	150毫W（塔）
TK28N65W,S1F	6.3000	询价	30	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	TK28N65	MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	30			N沟道	650伏	27.6A（塔）	10V	110毫欧@13.8A，10V	3.5V@1.6mA	75nC@10V	±30V	3000 pF @ 300 V	-	230W（温度）
TK65A10N1,S4X	2.7900	询价	41	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK65A10	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	100V	65A（温度）	10V	4.8毫欧@32.5A，10V	4V@1mA	10V时为81nC	±20V	5400pF@50V	-	45W（温度）
2SA1020-Y(T6OMI,FM	-	询价	4882	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1020		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1																				50V	2A	1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
RN4989(T5L,F,T)	0.3000	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4989		200毫W	美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																				50V	100毫安	100μA（ICBO）	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	47k欧姆	22k欧姆
2SA1837,S1CSF(J	-	询价	第1678章	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1837		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0075	1																				230伏	1A	1μA（ICBO）	国民党	1.5V@50mA、500mA	100@100mA，5V	70兆赫兹
RN1442ATE85LF	-	询价	4776	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1442		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																				20V	300毫安	100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	100毫伏@3毫安，30毫安	200@4mA，2V	30兆赫	10欧姆
TK40A06N1,S4X	1.2300	询价	100	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK40A06	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	60V	40A（温度）	10V	10.4毫欧@20A，10V	4V@300μA	23nC@10V	±20V	1700pF@30V	-	30W（温度）
RN1104ACT(TPL3)	-	询价	2761	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN1104		100毫W	CST3	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	10,000																				50V	80毫安	500纳安	NPN - 预偏置	150mV@250μA，5mA	80@10mA，5V		47欧姆	47欧姆
2SA1588-Y,LF	0.2300	询价	4	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SA1588		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																				30V	500毫安	100nA（ICBO）	国民党	250毫伏@10毫安，100毫安	120@100mA，1V	200兆赫
TTC5200(Q)	2.7000	询价	1	东芝半导体和存储	-	托盘	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3PL	TTC5200		150W	TO-3P(L)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0075	100																				230伏	15A	5μA（ICBO）	NPN	3V@800mA，8A	80@1A，5V	30兆赫兹
RN2109,LXHF(CT	0.3300	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2109		100毫W	SSM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																				50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	47欧姆	22欧姆
TJ80S04M3L,LXHQ	1.6500	询价	3	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TJ80S04	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,000			P沟道	40V	80A（塔）	6V、10V	5.2毫欧@40A，10V	3V@1mA	158nC@10V	+10V，-20V	7770pF@10V	-	100W（温度）
1SS404，H3F	0.2000	询价	55	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-76、SOD-323	1SS404	肖特基		南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0070	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												20V	450毫伏@300毫安	20V时为50μA	125℃（最高）	300毫安	46pF @ 0V、1MHz
TPCL4203(TE85L,F)	-	询价	2304	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	4-XFLGA	TPCL4203	MOSFET（金属O化物）	500毫W	4 芯片 LGA (1.59x1.59)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000	2个N沟道（半桥）			-	-		-	1.2V@200μA	-		685pF@10V	-
TK9A90E,S4X	2.2100	询价	40	东芝半导体和存储	π-MOSVIII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK9A90	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	900伏	9A（塔）	10V	1.3欧姆@4.5A，10V	4V@900μA	46nC@10V	±30V	2000pF@25V	-	50W（温度）
2SC3328-O,T6KEHF(M	-	询价	3158	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC3328		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1																				80V	2A	1μA（ICBO）	NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
RN1907，LF	-	询价	3239	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1907		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																				50V	100毫安	500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	10k欧姆	47k欧姆
2SC4793，TOA1F（J）	-	询价	2036	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SC4793		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0075	1																				230伏	1A	1μA（ICBO）	NPN	1.5V@50mA、500mA	100@100mA，5V	100兆赫兹
2SB1457(TE6,F,M)	-	询价	8231	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SB1457		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	1																				100V	2A	10μA（ICBO）	国民党	1.5V@1mA、1A	2000 @ 1A，2V	50兆赫
TPW1R306PL,L1Q	3.0600	询价	10	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerWDFN	TPW1R306	MOSFET（金属O化物）		8-DSOP 高级	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	5,000			N沟道	60V	260A（温度）	4.5V、10V	1.29毫欧@50A，10V	2.5V@1mA	91nC@10V	±20V	8100pF@30V	-	960mW（Ta）、170W（Tc）
SSM3J334R，LF	0.4500	询价	208	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3J334	MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000			P沟道	30V	4A（塔）	4V、10V	71毫欧@3A，10V	2V@100μA	5.9nC@10V	±20V	280pF@15V	-	1W（塔）
SSM3K7002BSU，LF	-	询价	7505	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	SIC停产	150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	SSM3K7002	MOSFET（金属O化物）		USM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道	60V	200mA（塔）	4.5V、10V	2.1欧姆@500mA，10V	3.1V@250μA		±20V	17pF@25V	-	150毫W（塔）
2SC4116-Y,LXHF	0.3300	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323			100毫W	SC-70	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																				50V	150毫安	100nA（ICBO）	NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²