分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电压 - 击穿 (V(BR)GSS)	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电流 - 电极电极电流（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	电流消耗 (Id) - 最大
TJ20A10M3(STA4,Q	-	询价	6373	东芝半导体和存储	U-MOSVI	管子	的积极		150℃	通孔	TO-220-3全包	TJ20A10	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	-			264-TJ20A10M3(STA4Q	EAR99	8541.29.0095	50			P沟道	100V	20A（塔）	10V	90毫欧@10A，10V	4V@1mA	120nC@10V	±20V	5500pF@10V	-	35W（温度）
2SC3668-Y,F2PANF(J	-	询价	1899年	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SC3668		1W	MSTM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																					50V	2A				1μA（ICBO）			NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
CMS20I30A(TE12L,QM	0.5800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-128	CMS20	肖特基		M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												30V	450毫伏@2安		30V时为100μA	150℃（最高）	2A	82pF@10V、1MHz
TK20V60W,LVQ	2.8963	询价	5645	东芝半导体和存储	DTMOSIV	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	4-VSFN 裸露焊盘	TK20V60	MOSFET（金属O化物）		4-DFN-EP (8x8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,500人			N沟道	600伏	20A（塔）	10V	170mOhm@10A，10V	3.7V@1mA	48nC@10V	±30V	1680 pF @ 300 V	-	156W（温度）
2SA1931,NIKKIQ(J	-	询价	1734	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1931		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																					50V	5A				1μA（ICBO）			国民党	400mV@200mA，2A	100 @ 1A、1V	60兆赫
TTA0002(Q)	3.4100	询价	7945	东芝半导体和存储	-	大部分	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-3PL	TTA0002		180W	TO-3P(L)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	TTA0002Q	EAR99	8541.29.0075	100																					160伏	18A				1μA（ICBO）			国民党	2V@900mA，9A	80@1A，5V	30兆赫兹
1SS385FV，L3F	0.2400	询价	157	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-723	1SS385	肖特基		VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	8,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度												10V	500 毫伏 @ 100 毫安		10V时为20μA	125℃（最高）	100毫安	20pF @ 0V、1MHz
HN1A01FE-Y,LF	0.3300	询价	1298	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	HN1A01		100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																					50V	150毫安				100nA（ICBO）			2 PNP（双）	300毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
2SA1020-O,T6CSF(J	-	询价	8987	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1020		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																					50V	2A				1μA（ICBO）			国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
2SB1258	-	询价	2065	东芝半导体和存储	*	管子	的积极					2SB1258				-	符合RoHS标准	1（无限制）	2SB1258TS		0000.00.0000	50
TRS3E65H,S1Q	1.6100	询价	400	东芝半导体和存储	-	管子	的积极			通孔	TO-220-2		SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2L	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	264-TRS3E65H，S1Q	EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)												650伏	1.35V@3A	0纳秒	45μA@650V	175℃	3A	199pF@1V、1MHz
RN2305,LF	0.1800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2305		100毫W	SC-70	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																					50V	100毫安				500纳安			PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	2.2欧姆	47欧姆
2SA1832-Y，LF	0.2000	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416	2SA1832		100毫W	SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																					50V	150毫安				100nA（ICBO）			国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
CRS06(TE85L,Q,M)	0.4700	询价	19	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-123F	CRS06	肖特基		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												20V	360毫伏@1安		1毫安@20伏	-40℃～125℃	1A	60pF@10V、1MHz
CUHS20F40,H3F	0.3600	询价	36	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	2-SMD，写入	CUHS20	肖特基		US2H	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												40V	540毫伏@2安		60μA@40V	150℃（最高）	2A	300pF @ 0V、1MHz
TPCL4201(TE85L,F)	-	询价	第1167章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	4-XFLGA	TPCL4201	MOSFET（金属O化物）	500毫W	4 芯片 LGA (1.59x1.59)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000	2个N沟道（半桥）			-	-		-	1.2V@200μA	-		720pF @ 10V	-
TK8A60DA(STA4,Q,M)	-	询价	第1362章	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK8A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	600伏	7.5A（塔）	10V	1欧姆@4A，10V	4V@1mA	20nC@10V	±30V	1050pF@25V	-	45W（温度）
RN1605TE85LF	0.3500	询价	79	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-74、SOT-457	RN1605		300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																					50V	100毫安				100nA（ICBO）			2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
2SC2655-Y(6MBH1,AF	-	询价	2308	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2655		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																					50V	2A				1μA（ICBO）			NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
2SC2655-O,F(J	-	询价	3435	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2655		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																					50V	2A				1μA（ICBO）			NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
RN1111CT(TPL3)	-	询价	5359	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SC-101、SOT-883	RN1111		50毫W	CST3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000																					20V	50毫安				100nA（ICBO）			NPN - 预偏置	150mV@250μA，5mA	300@1mA，5V		10欧姆
2SK208-GR(TE85L,F)	0.4900	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SK208		100毫W	SC-59	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道								8.2pF@10V												50V	2.6毫安@10伏	400毫伏@100纳安										6.5毫安
TK3A65DA(STA4,QM)	1.5200	询价	4118	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK3A65	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	650伏	2.5A（塔）	10V	2.51欧姆@1.3A，10V	4.4V@1mA	11nC@10V	±30V	490pF@25V	-	35W（温度）
CRZ33(TE85L,Q,M)	-	询价	7181	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	±10%	-40℃～150℃	表面贴装	SOD-123F	CRZ33		700毫W	S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0050	3,000															1V@200mA		26.4V时为10μA										33V	30欧姆
TPN7R006PL,L1Q	0.9100	询价	3	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极		175℃	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN7R006	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000			N沟道	60V	54A（温度）	4.5V、10V	7毫欧@27A，10V	2.5V@200μA	20nC@10V	±20V	1875pF@30V	-	630mW（Ta）、75W（Tc）
2SA1887(女)	-	询价	2770	东芝半导体和存储	-	管子	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1887		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	50																					50V	10A				1μA（ICBO）			国民党	400mV@250mA，5A	120@1A，1V	45兆赫
CUS05S30,H3F	0.3100	询价	33	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-76、SOD-323	CUS05S30	肖特基		南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												30V	340毫伏@100毫安		10V时为150μA	125℃（最高）	500毫安	55pF @ 0V、1MHz
RN2711，LF	0.3000	询价	100	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	RN2711		200毫W	无人艇	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																					50V	100毫安				100nA（ICBO）			2 PNP - 预偏置（双）（发射极耦合）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	10k欧姆	-
2SC2712-GR,LXHF	0.3300	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		-	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																					50V	150毫安				100nA（ICBO）			NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	80兆赫
RN1111,LF(CT	0.0355	询价	4214	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1111		100毫W	SSM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																					50V	100毫安				100nA（ICBO）			NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	10欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²