分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
2SC2712-GR,LXHF	0.3300	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		-	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	150毫安	100nA（ICBO）			NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	80兆赫
2SC4116SU-Y，LF	-	询价	1862年	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	SIC停产		125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SC4116		100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	150毫安	100nA（ICBO）			NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	70@2mA，6V	80兆赫
CUS05S30,H3F	0.3100	询价	33	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-76、SOD-323	CUS05S30	肖特基		南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													30V		340毫伏@100毫安		10V时为150μA	125℃（最高）	500毫安	55pF @ 0V、1MHz
CRY62(TE85L,Q,M)	0.4900	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	±9.68%	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SOD-123F	CRY62		700毫W	S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0050	3,000																1V@200mA		10μA@3V							6.2V	60欧姆
TPCA8021-H(TE12LQM	-	询价	9896	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8021	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	27A（塔）	4.5V、10V	9毫欧@14A，10V	2.3V@1mA	23nC@10V	±20V	1395pF@10V	-	1.6W（Ta）、45W（Tc）
1SS226，低频	0.2300	询价	5380	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	1SS226	标准		S-迷你型	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	264-1SS226，LFCT	EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度												1对中央	80V	100毫安	1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	125℃（最高）
RN2911，LF	0.2800	询价	9669	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2911		200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	100毫安	100nA（ICBO）			2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	10k欧姆	-
2SA2154MFV-Y,L3F	0.1900	询价	7	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SOT-723	2SA2154		150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000																						50V	150毫安	100nA（ICBO）			国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
TK5A65D(STA4,Q,M)	1.6200	询价	第1402章	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK5A65	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	TK5A65D(STA4QM)	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	650伏	5A（塔）	10V	1.43欧姆@2.5A，10V	4V@1mA	16nC@10V	±30V	800pF@25V	-	40W（温度）
CRG04A,LQ(米	-	询价	4458	东芝半导体和存储	-	盒子	的积极			表面贴装	SOD-123F		标准		S-平面 (1.6x3.5)	下载				EAR99	8541.10.0080	1	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)													600伏		1.1V@1A		5μA@600V	150℃	1A	-
TDTC114E,LM	0.1800	询价	5134	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TDTC114		320毫W	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																						50V	100毫安	500纳安			NPN - 预偏置	300mV@500μA，10mA	30@5mA，5V	250兆赫	10欧姆	10欧姆
2SC6040(TPF2,Q,M)	-	询价	6660	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SC6040		1W	MSTM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1																						800V	1A	100μA（ICBO）			NPN	1V@100mA、800mA	60@100mA，5V	-
SSM3K337R，LF	0.4600	询价	8818	东芝半导体和存储	U-MOSIV	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3K337	MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	38V	2A（塔）	4V、10V	150mOhm@2A，10V	1.7V@1mA	3nC@10V	±20V	120pF@10V	-	1W（塔）
CRS08(TE85L,Q,M)	0.5200	询价	29	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-123F	CRS08	肖特基		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													30V		360毫伏@1.5安		1毫安@30伏	-40℃～125℃	1.5A	90pF@10V，1MHz
CMH05A(TE12L,Q,M)	-	询价	6271	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SOD-128	CMH05A	标准		M-平 (2.4x3.8)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													400V		1.8V@1A	35纳秒	400V时为10μA	-40℃～150℃	1A	-
CLH03(TE16R,Q)	-	询价	2444	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			表面贴装	L-薄™	CLH03	标准		L-FLAT™ (4x5.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													400V			35纳秒		-	3A	-
2SK3403(Q)	-	询价	第1637章	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3，微型	2SK3403	MOSFET（金属O化物）		TO-220FL	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	450伏	13A（塔）	10V	400mOhm@6A，10V	5V@1mA	34nC@10V	±30V	1600pF@25V	-	100W（温度）
RN1314(TE85L,F)	0.0474	询价	7121	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1314		100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																						50V	100毫安	500纳安			NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	1欧姆	10欧姆
TK15S04N1L,LQ	1.6400	询价	4104	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极		175°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK15S04	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	40V	15A（塔）	4.5V、10V	17.8毫欧@7.5A，10V	2.5V@100μA	10nC@10V	±20V	610pF@10V	-	46W（温度）
2SA949-Y(TE6,F,M)	-	询价	6398	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA949		800毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																						150伏	50毫安	100nA（ICBO）			国民党	800mV@1mA，10A	70@10mA，5V	120兆赫
RN1112MFV,L3F	0.1800	询价	8	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-723	RN1112		150毫W	VESM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000																						50V	100毫安	100nA（ICBO）			NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	120@1mA，5V		22欧姆
RN2106CT(TPL3)	-	询价	9972	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SC-101、SOT-883	RN2106		50毫W	CST3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000																						20V	50毫安	500纳安			PNP - 预偏置	150mV@250μA，5mA	120@10mA，5V		4.7欧姆	47欧姆
TK8S06K3L(T6L1,NQ)	1.2600	询价	4739	东芝半导体和存储	U-MOSIV	卷带式 (TR)	的积极		175°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK8S06	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	60V	8A（塔）	6V、10V	54mOhm@4A，10V	3V@1mA	10nC@10V	±20V	400pF@10V	-	25W（温度）
TRS6A65F,S1Q	2.7600	询价	6	东芝半导体和存储	-	管子	的积极			通孔	TO-220-2全包	TRS6A65	SiC（碳化硅）肖特基		TO-220F-2L	-				EAR99	8541.10.0080	50	无恢复T>500mA(Io)													650伏		1.6V@6A	0纳秒	650V时为30μA	175℃（最高）	6A	22pF@650V，1MHz
RN1106,LXHF(CT	0.3300	询价	2	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1106		100毫W	SSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	100毫安	500纳安			NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	47欧姆
HN1B04FE-GR,LF	0.3000	询价	8	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	HN1B04		100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																						50V	150毫安	100nA（ICBO）			NPN、PNP	250毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	80兆赫
2SA1163-BL,LF	0.3200	询价	6073	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SA1163		150毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																						120V	100毫安	100nA（ICBO）			国民党	300mV@1mA、10mA	350@2mA，6V	100兆赫兹
2SA1162S-Y, LF(D	-	询价	5535	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SA1162		150毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	150毫安	100nA（ICBO）			国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
TK33S10N1L,LQ	1.9000	询价	7785	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极		175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK33S10	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	264-TK33S10N1LLQCT	EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	100V	33A（塔）	4.5V、10V	9.7毫欧@16.5A，10V	2.5V@500μA	33nC@10V	±20V	2250pF@10V	-	125W（温度）
RN1118MFV,L3F	0.1800	询价	6563	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-723	RN1118		150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	8,000																						50V	100毫安	500纳安			NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	47欧姆	10欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²