分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	当前 - 最大	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	Td（开/关）@ 25°C	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	电阻@If,F	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
1SS196(TE85L,F)	0.3200	询价	27	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	1SS196		标准		SC-59-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度															80V		1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	125℃（最高）	100毫安	3pF@0V、1MHz
1SS315TPH3F	0.0600	询价	6355	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	125°C（太焦）		SC-76、SOD-323	1SS315				南加州大学	-	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000				30毫安																				0.6pF@0.2V，1MHz								肖特基 - 单	5V		-
TK6A65W,S5X	1.7300	询价	4293	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK6A65		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道			650伏	5.8A（塔）	10V	1欧姆@2.9A，10V	3.5V@180μA	11nC@10V	±30V	390 pF @ 300 V	-	30W（温度）
TRS24N65FB,S1Q	7.6500	询价	105	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		通孔	TO-247-3	TRS24N65		SiC（碳化硅）肖特基		TO-247	-		1（无限制）	264-TRS24N65FBS1Q	EAR99	8541.10.0080	30		无恢复T>500mA(Io)														1对共轴线	650伏	12A（直流）	1.6V@12A	0纳秒	60μA@650V	175℃
TK7P65W,RQ	1.6300	询价	7459	东芝半导体和存储	DTMOSIV	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK7P65		MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000			N沟道			650伏	6.8A（塔）	10V	800毫欧@3.4A，10V	3.5V@250μA	15nC@10V	±30V	490 pF @ 300 V	-	60W（温度）
1SS362TE85LF	0.3000	询价	78	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	1SS362		标准		SSM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度														1对中央	80V	80毫安	1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	125℃（最高）
SSM3K16FV,L3F	0.2200	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SOT-723			MOSFET（金属O化物）		VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000			N沟道			20V	100mA（塔）	1.5V、4V	3欧姆@10mA，4V	1.1V@100μA		±10V	9.3pF@3V	-	150毫W（塔）
2SA1312GRTE85LF	0.0618	询价	5284	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SA1312			150毫W	S-迷你型	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																										120V	100毫安							100nA（ICBO）		国民党	300mV@1mA、10mA	200@2mA，6V	100兆赫兹
RN1911FE,LXHF(CT	0.3800	询价	7	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN1911			100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																										50V	100毫安							100nA（ICBO）		2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	10k欧姆	-
SSM3J56MFV，L3F	0.4500	询价	第490章	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-723	SSM3J56		MOSFET（金属O化物）		VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000			P沟道			20V	800mA（塔）	1.2V、4.5V	390毫欧@800毫安，4.5伏	-		±8V	100pF@10V	-	150毫W（塔）
SSM6N43FU,LF	0.4500	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SSM6N43		MOSFET（金属O化物）	200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）					20V	500毫安		630mOhm@200mA，5V	1V@1mA	1.23nC@4V		46pF@10V	逻辑电平门，1.5V驱动
CRS20I40A(TE85L,QM	0.5000	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOD-123F	CRS20I40		肖特基		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）															40V		600毫伏@2安		60μA@40V	150℃（最高）	2A	35pF@10V，1MHz
SSM3K72CTC，L3F	0.3000	询价	5	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-101、SOT-883	SSM3K72		MOSFET（金属O化物）		CST3C	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000			N沟道			60V	150mA（塔）	4.5V、10V	3.9欧姆@100mA，10V	2.1V@250μA	0.35nC@4.5V	±20V	17pF@10V	-	500毫W（塔）
RN1415，LF	0.1800	询价	7792	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1415			200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																										50V	100毫安							500纳安		NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	2.2欧姆	10欧姆
TK31V60W,LVQ	7.8500	询价	3694	东芝半导体和存储	DTMOSIV	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	4-VSFN 裸露焊盘	TK31V60		MOSFET（金属O化物）		4-DFN-EP (8x8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,500人			N沟道			600伏	30.8A（塔）	10V	98毫欧@15.4A，10V	3.7V@1.5mA	86nC@10V	±30V	3000 pF @ 300 V	-	240W（温度）
SSM3J327R，LF	0.4000	询价	35	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3J327		MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			P沟道			20V	3.9A（塔）	1.5V、4.5V	93毫欧@1.5A，4.5V	1V@1mA	4.5V时为4.6nC	±8V	290pF@10V	-	1W（塔）
GT20J341,S4X(S	2.0600	询价	7000	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包		标准		45W	TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50					300V，20A，33欧姆，15V															90纳秒					-	600伏	20A	80A	2V@15V，20A	500μJ（开），400μJ（关）	60纳秒/240纳秒
TPCA8012-H(TE12LQM	-	询价	9067	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8012		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道			30V	40A（塔）	4.5V、10V	4.9毫欧@20A，10V	2.5V@1mA	42nC@10V	±20V	3713pF@10V	-	-
RN4982,LXHF(CT	0.4400	询价	2	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4982			200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																										50V	100毫安							500纳安		1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	10k欧姆	10k欧姆
SSM3J168F,LXHF	0.4300	询价	5	东芝半导体和存储	汽车、AEC-Q101、U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			MOSFET（金属O化物）		S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			P沟道			60V	400mA（塔）	4V、10V	1.55欧姆@200mA，10V	2V@1mA	3nC@10V	+10V，-20V	10V时为82pF	-	600毫W（塔）
2SA2061(TE85L,F)	0.5000	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3				625毫W	TSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	264-2SA2061(TE85L,F)DKR	EAR99	8541.21.0095	3,000																										20V	2.5安							100nA（ICBO）		国民党	190mV@53mA，1.6A	200@500mA，2V	-
BAV99W、LF	0.2100	询价	518	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	巴夫99		标准		USM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														1对中央	100V	150毫安	1.25V@150mA	4纳秒	80V时为200nA	150℃（最高）
TK22A10N1,S4X	1.4100	询价	4640	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK22A10		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道			100V	22A（温度）	10V	13.8毫欧@11A，10V	4V@300μA	28nC@10V	±20V	1800pF@50V	-	30W（温度）
RN1310,LF	0.1800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1310			100毫W	SC-70	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																										50V	100毫安							100nA（ICBO）		NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	4.7欧姆
RN1106MFV,L3F(CT	0.1800	询价	8	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1106			150毫W	VESM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000																										50V	100毫安							500纳安		NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	80@1mA，5V		4.7欧姆	47欧姆
RN2107MFV,L3XHF(CT	0.3400	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN2107			150毫W	VESM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000																										50V	100毫安							500纳安		PNP - 预偏置	300mV@500μA，5mA	80@10mA，5V		10欧姆	47欧姆
TK58A06N1,S4X	1.3300	询价	46	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK58A06		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道			60V	58A（温度）	10V	5.4毫欧@29A，10V	4V@500μA	46nC@10V	±20V	3400pF@30V	-	35W（温度）
RN1307,LXHF	0.3900	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1307			100毫W	SC-70	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																										50V	100毫安							500纳安		NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	10欧姆	47欧姆
CRG07(TE85L,Q,M)	0.4000	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOD-123F	CRG07		标准		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000		标准恢复 >500ns，>200mA (Io)															400V		1.1V@700mA		400V时为10μA	175℃（最高）	700毫安	-
RN2112ACT(TPL3)	0.0527	询价	10	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN2112			100毫W	CST3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000																										50V	80毫安							100nA（ICBO）		PNP - 预偏置	150mV@250μA，5mA	120@1mA，5V		22欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²