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离散半导体产品（（2909）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 fet 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 二极管类型 电压-峰值反向（最大） 电流 -idss） @ vds（vgs = 0） 电压 -截止（ -vgs Off） @ ID 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2） 噪声图（ db typ @ f） 电容比 电容比条件 q @ vr，f
2SC3074-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3074-O（Q） -
RFQ
 ECAD 3255 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 2SC3074 1 w PW-MOLD 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 200 50 V 5 a 1µA（ICBO） NPN 400mv @ 150mA，3a 70 @ 1A，1V 120MHz
XPN3R804NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN3R804NC，L1XHQ 1.4700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 8-Powervdfn XPN3R804 MOSFET （金属 o化物） 8-tson Advance-WF （3.1x3.1） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 40 V 40a（ta） 4.5V，10V 3.8mohm @ 20a，10v 2.5V @ 300µA 35 NC @ 10 V ±20V 2230 PF @ 10 V - 840MW（TA），100W（TC）
TK5P60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5P60W5，RVQ 1.3300
RFQ
 ECAD 1789年 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） DPAK - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 600 v 4.5A（ta） 10V 990MOHM @ 2.3A，10V 4.5V @ 230µA 11.5 NC @ 10 V ±30V 370 pf @ 300 V - 60W（TC）
TK110A10PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK110A10PL，S4X 1.0900
RFQ
 ECAD 328 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 175°C 通过洞 TO-220-3完整包 TK110A10 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 36a（TC） 4.5V，10V 10.8mohm @ 18a，10v 2.5V @ 300µA 33 NC @ 10 V ±20V 2040 pf @ 50 V - 36W（TC）
TK560P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK560P65Y，RQ 1.3300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 DTMOSV 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TK560P65 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 650 v 7A（TC） 10V 560MOHM @ 3.5A，10V 4V @ 240µA 14.5 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 300 V - 60W（TC）
HN1B04FE-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FE-Y，LF 0.3000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 HN1B04 100MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 150mA 100NA（ICBO） NPN，PNP 250mv @ 10mA，100mA 120 @ 2mA，6v 80MHz
RN2309,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2309，LF 0.1800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 RN2309 100兆 SC-70 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 200 MHz 47科姆斯 22 KOHMS
2SC2714-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2714-y te85l，f） 0.4400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SC2714 100MW S-Mini 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 23dB 30V 20mA NPN 100 @ 1mA，6v 550MHz 2.5db @ 100MHz
RN1101,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1101，LXHF（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN1101 100兆 SSM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 30 @ 10mA，5V 250 MHz 4.7科姆斯 4.7科姆斯
TK62N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK62N60X，S1F 11.2600
RFQ
 ECAD 108 0.00000000 东芝半导体和存储 DTMOSIV-H 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 TK62N60 MOSFET （金属 o化物） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 61.8A（TA） 10V 40mohm @ 21a，10v 3.5V @ 3.1mA 135 NC @ 10 V ±30V 6500 PF @ 300 V - 400W（TC）
RN1108,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1108，LF（ct 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN1108 100兆 SSM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 22 KOHMS 47科姆斯
TK31Z60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK31Z60X，S1F 12.4300
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-247-4 TK31Z60 MOSFET （金属 o化物） TO-247-4L（t） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 25 n通道 600 v 30.8A（TA） 10V 88mohm @ 9.4a，10V 3.5V @ 1.5mA 65 NC @ 10 V ±30V 3000 PF @ 300 V - 230W（TC）
2SK3320-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3320-BL（TE85L，f 0.7500
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 2SK3320 200兆 USV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 13pf @ 10V 6 mA @ 10 V 200 mv @ 100 na
RN2311(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2311（TE85L，F） 0.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 RN2311 100兆 SC-70 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 200 MHz 10 kohms
HN1C03F-B(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1C03F-B （TE85L，F） 0.1485
RFQ
 ECAD 6796 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-74，SOT-457 HN1C03 300MW SM6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 20V 300mA 100NA（ICBO） 2 NPN （双） 100mv @ 3mA，30mA 350 @ 4mA，2V 30MHz
TPN14006NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN14006NH，L1Q 0.3533
RFQ
 ECAD 4019 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPN14006 MOSFET （金属 o化物） 8-tson Advance（3.1x3.1） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 60 V 13A（TA） 6.5V，10V 14mohm @ 6.5a，10v 4V @ 200µA 15 NC @ 10 V ±20V 1300 pf @ 30 V - 700MW（TA），30W（TC）
TPC6012(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6012（TE85L，F，M） -
RFQ
 ECAD 5714 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiv 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6薄，TSOT-23-6 TPC6012 MOSFET （金属 o化物） VS-6（2.9x2.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 6a（6a） 2.5V，4.5V 20mohm @ 3A，4.5V 1.2V @ 200µA 9 NC @ 5 V ±12V 630 pf @ 10 V - 700MW（TA）
1SV277TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV277TPH3F 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 SC-76，SOD-323 1SV277 南加州大学 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 3,000 2.35pf @ 4V，1MHz 单身的 10 v 2.3 C1/C4 -
TK42A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK42A12N1，S4X 1.4900
RFQ
 ECAD 210 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK42A12 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 120 v 42A（TC） 10V 9.4mohm @ 21a，10v 4V @ 1mA 52 NC @ 10 V ±20V 3100 PF @ 60 V - 35W（TC）
RN2404,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2404，LXHF 0.0645
RFQ
 ECAD 7148 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN2404 200兆 S-Mini 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200 MHz 47科姆斯 47科姆斯
RN2101,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2101，LXHF（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN2101 100兆 SSM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 30 @ 10mA，5V 200 MHz 4.7科姆斯 4.7科姆斯
HN4D02JU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4D02JU（TE85L，F） 0.0721
RFQ
 ECAD 5848 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 HN4D02 标准 USV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 1对普通阴极 80 V 100mA 1.2 V @ 100 ma 1.6 ns 500 NA @ 80 V 150°C （最大）
TPH1R306PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R306PL1，LQ 2.4200
RFQ
 ECAD 9668 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosix-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8 SOP Advance（5x5.75） - （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 60 V 100A（TC） 4.5V，10V 1.34mohm @ 50a，10v 2.5V @ 1mA 91 NC @ 10 V ±20V 8100 PF @ 30 V - 960MW（TA），210W （TC）
2SC3324GRTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3324GRTE85LF -
RFQ
 ECAD 3943 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 125°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 2SC3324 150兆 TO-236 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 120 v 100 ma 100NA（ICBO） NPN 300mv @ 1mA，10mA 200 @ 2mA，6v 100MHz
RN1909(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1909 （T5L，F，T） 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN1909 200MW US6 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100NA（ICBO） 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 250MHz 47kohms 22KOHMS
RN1409,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1409，LF 0.1900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN1409 200兆 S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 250 MHz 47科姆斯 22 KOHMS
XPN7R104NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN7R104NC，L1XHQ 1.2500
RFQ
 ECAD 9396 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 8-Powervdfn XPN7R104 MOSFET （金属 o化物） 8-tson Advance-WF （3.1x3.1） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 40 V 20A（TA） 4.5V，10V 7.1MOHM @ 10a，10v 2.5V @ 200µA 21 NC @ 10 V ±20V 1290 pf @ 10 V - （840MW）（TA），65W（tc）
TK110A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK110A65Z，S4X 4.2300
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosvi 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-220-3完整包 TK110A65 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 24A（24A） 10V 110mohm @ 12a，10v 4V @ 1.02mA 40 NC @ 10 V ±30V 2250 pf @ 300 V - 45W（TC）
SSM3J325F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J325F，LF 0.4100
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SSM3J325 MOSFET （金属 o化物） S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 2A（TA） 1.5V，4.5V 150MOHM @ 1A，4.5V - 4.6 NC @ 4.5 V ±8V 270 pf @ 10 V - 600MW（TA）
TRS8E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65H，S1Q 2.7600
RFQ
 ECAD 395 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC （碳化硅） TO-220-2L - rohs3符合条件 （1 （无限） 264-TRS8E65H，S1Q Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.35 V @ 8 A 0 ns 90 µA @ 650 V 175°C 8a 520pf @ 1V，1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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