分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	电容比	电容比条件	Q@Vr，F
SSM6K211FE,LF	0.5400	询价	2	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6K211	MOSFET（金属O化物）		ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000			N沟道	20V	3.2A（塔）	1.5V、4.5V	47毫欧@2A，4.5V	1V@1mA	10.8nC@4.5V	±10V	510pF@10V	-	500毫W（塔）
TK110A10PL,S4X	1.0900	询价	328	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	175℃	通孔	TO-220-3全包	TK110A10	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	100V	36A（温度）	4.5V、10V	10.8毫欧@18A，10V	2.5V@300μA	33nC@10V	±20V	2040pF@50V	-	36W（温度）
TPHR9203PL,L1Q	1.6300	询价	8	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPHR9203	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000			N沟道	30V	150A（温度）	4.5V、10V		2.1V@500μA	80nC@10V	±20V	7540pF@15V	-	132W（温度）
TPC8134，LQ(S	0.7300	询价	2	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TPC8134	MOSFET（金属O化物）		8-SOP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,500人			P沟道	40V	5A（塔）	4.5V、10V	52毫欧@2.5A，10V	2V@100μA	20nC@10V	+20V，-25V	10V时为890pF	-	1W（塔）
RN2703,LF	0.2900	询价	5173	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	RN2703		200毫W	无人艇	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																							50V	100毫安			500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	22k欧姆	22k欧姆
RN4987FE,LF(CT	0.2700	询价	32	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4987		100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																							50V	100毫安			500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	10k欧姆	47k欧姆
RN1309,LXHF	0.3900	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1309		100毫W	SC-70	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																							50V	100毫安			500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@5mA，5V	250兆赫	47欧姆	22欧姆
BAV99，LM	0.1900	询价	第687章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	巴夫99	标准		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1对中央	100V	215毫安	1.25V@150mA	3纳秒	80V时为200nA	150℃（最高）
TPC8092,LQ(S	-	询价	8376	东芝半导体和存储	U-MOSVII	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	TPC8092	MOSFET（金属O化物）		8-SOP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,500人			N沟道	30V	15A（塔）	4.5V、10V	9毫欧@7.5A，10V	2.3V@200μA	25nC@10V	±20V	1800pF@10V	-	1W（塔）
TJ20S04M3L(T6L1,NQ	1.3300	询价	9822	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	175°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TJ20S04	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000			P沟道	40V	20A（塔）	6V、10V	22.2毫欧@10A、10V	3V@1mA	37nC@10V	+10V，-20V	1850pF@10V	-	41W（温度）
TK1P90A,LQ(CO	-	询价	9799	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK1P90	MOSFET（金属O化物）		PW-模具	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	TK1P90ALQ(CO	EAR99	8541.29.0095	2,000			N沟道	900伏	1A（塔）	10V	9欧姆@500mA，10V	4V@1mA	13nC@10V	±30V	320pF@25V	-	20W（温度）
TRS16N65FB,S1Q	6.0900	询价	238	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		通孔	TO-247-3	TRS16N65	SiC（碳化硅）肖特基		TO-247	-		1（无限制）	264-TRS16N65FBS1Q	EAR99	8541.10.0080	30		无恢复T>500mA(Io)												1对共轴线	650伏	8A（室外）	1.6V@8A	0纳秒	40μA@650V	175℃
SSM6P54TU，LF	0.4100	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6P54	MOSFET（金属O化物）	500毫W（塔）	六氯化铀	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）			20V	1.2A（塔）		228毫欧@600mA，2.5V	1V@1mA	7.7nC@4V		331pF@10V	逻辑电平门，1.5V驱动
1SS417，L3M	0.2700	询价	9195	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	2-SMD，写入	1SS417	肖特基		森林管理委员会	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	10,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度													40V		620 毫伏 @ 50 毫安		5μA@40V	125℃（最高）	100毫安	15pF @ 0V、1MHz
1SV324TPH3F	0.4200	询价	第972章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-76、SOD-323	1SV324			南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000																						12pF@4V，1MHz			单身的	10V								4.3	C1/C4	-
RN1116,LXHF(CT	0.3300	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1116		100毫W	SSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																							50V	100毫安			500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	10欧姆
XPN3R804NC,L1XHQ	1.4700	询价	9	东芝半导体和存储	U-MOSVIII	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerVDFN	XPN3R804	MOSFET（金属O化物）		8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000			N沟道	40V	40A（塔）	4.5V、10V	3.8毫欧@20A，10V	2.5V@300μA	35nC@10V	±20V	10V时为2230pF	-	840mW（Ta）、100W（Tc）
TK22V65X5,LQ	5.6600	询价	2	东芝半导体和存储	DTMOSIV-H	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	4-VSFN 裸露焊盘		MOSFET（金属O化物）		4-DFN-EP (8x8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,500人			N沟道	650伏	22A（塔）	10V	170毫欧@11A，10V	4.5V@1.1mA	50nC@10V	±30V	2400 pF @ 300 V	-	180W（温度）
TK22A65X,S5X	3.8400	询价	188	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	150℃	通孔	TO-220-3全包	TK22A65	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	650伏	22A（塔）	10V	150mOhm@11A，10V	3.5V@1.1mA	50nC@10V	±30V	2400 pF @ 300 V	-	45W（温度）
TK60F10N1L,LXGQ	2.3200	询价	1	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	TK60F10	MOSFET（金属O化物）		TO-220SM(W)	-		3（168小时）		EAR99	8541.29.0095	1,000			N沟道	100V	60A（塔）	6V、10V	6.11毫欧@30A，10V	3.5V@500μA	60nC@10V	±20V	4320pF@10V	-	205W（温度）
TK8Q60W,S1VQ	2.4800	询价	7622	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	TK8Q60	MOSFET（金属O化物）		爱帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	75			N沟道	600伏	8A（塔）	10V	500mOhm@4A，10V	3.7V@400μA	18.5nC@10V	±30V	570 pF @ 300 V	-	80W（温度）
2SC6026MFV-Y,L3F	0.1900	询价	7	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-723	2SC6026		150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000																							50V	150毫安			100nA（ICBO）	NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	60兆赫
RN2709，LF	0.3100	询价	8528	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	RN2709		200毫W	无人艇	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																							50V	100毫安			500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	47k欧姆	22k欧姆
TPH9R00CQ5,LQ	2.5500	询价	5	东芝半导体和存储	U-MOSX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerVDFN		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）				5,000			N沟道	150伏	108A（Ta）、64A（Tc）	8V、10V	9毫欧@32A，10V	4.5V@1mA	44nC@10V	±20V	5400pF@75V	-	3W（Ta）、210W（Tc）
TK6A65D(STA4,Q,M)	1.9400	询价	6	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK6A65	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	650伏	6A（塔）	10V	1.11欧姆@3A，10V	4V@1mA	20nC@10V	±30V	1050pF@25V	-	45W（温度）
RN1309,LF	0.1900	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1309		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																							50V	100毫安			500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@5mA，5V	250兆赫	47欧姆	22欧姆
TPH4R50ANH1,LQ	1.5400	询价	8	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	8-PowerTDFN		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5.75)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000			N沟道	100V	92A（温度）	10V	4.5毫欧@46A，10V	4V@1mA	58nC@10V	±20V	5200pF@50V	-	800毫W（塔）
RN1414，LF	0.1900	询价	4137	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1414		200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																							50V	100毫安			500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	1欧姆	10欧姆
JDH2S02SL,L3F	0.4200	询价	7	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	2-SMD，无铅	JDH2S02	肖特基		SL2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	10,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度													10V				500mV时为25μA	125℃（最高）	10毫安	0.25pF@200mV，1MHz
RN1131MFV，L3F	0.1800	询价	8	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1131		150毫W	VESM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000																							50V	100毫安			100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	120@1mA，5V		100欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²