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离散半导体产品（（2909）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （amp） 当前 -测试 功率 -输出 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 噪音图 电容 @ vr，f 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电压 -测试 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2） 电容比 电容比条件 q @ vr，f
RN4901FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4901FE，LXHF（ct 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN4901 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 30 @ 10mA，5V 200MHz，250MHz 4.7kohms 4.7kohms
2SA1832-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1832-Y，LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 690 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 表面安装 SC-75，SOT-416 120兆 SSM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 150 ma 100NA（ICBO） PNP 300mv @ 10mA，100mA 120 @ 2mA，6v 80MHz
2SC5459(TOJS,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5459（tojs，q，m） -
RFQ
 ECAD 5031 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2SC5459 2 w TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 400 v 3 a 100µA（ICBO） NPN 1V @ 150mA，1.2a 20 @ 300mA，5V -
RN1706,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1706，LF 0.3000
RFQ
 ECAD 939 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 RN1706 200MW USV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 2 NPN- 预偏（双重） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz 4.7kohms 47kohms
RN2707,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2707，LF 0.2900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 RN2707 200MW USV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 10KOHMS 47kohms
RN2709,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2709，LF 0.3100
RFQ
 ECAD 8528 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 RN2709 200MW USV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 200MHz 47kohms 22KOHMS
SSM3K361TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K361TU，LXHF 0.6200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101，U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 3-SMD，平坦的铅 MOSFET （金属 o化物） UFM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 3.5A（ta） 4.5V，10V 69mohm @ 2a，10v 2.5V @ 100µA 3.2 NC @ 4.5 V ±20V 430 pf @ 15 V - 1W（ta）
RN2704,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2704，LF 0.3100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 RN2704 200MW USV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz 47kohms 47kohms
RN4907FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4907FE，LXHF（ct 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN4907 100MW ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 200MHz，250MHz 10KOHMS 47kohms
SSM3K7002CFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002CFU，LF 0.1800
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SC-70，SOT-323 SSM3K7002 MOSFET （金属 o化物） USM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 60 V 170mA（TA） 4.5V，10V 3.9ohm @ 100mA，10v 2.1V @ 250µA 0.35 NC @ 4.5 V ±20V 17 pf @ 10 V - 150MW（TA）
TK17A80W,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK17A80W，S4X 3.8400
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-220-3完整包 TK17A80 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 17A（TA） 10V 290MOHM @ 8.5A，10V 4V @ 850µA 32 NC @ 10 V ±20V 2050 pf @ 300 V - 45W（TC）
SSM3K7002KF,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002KF，LXHF 0.4000
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） S-Mini 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 60 V 400mA（TA） 4.5V，10V 1.5OHM @ 100mA，10V 2.1V @ 250µA 0.6 NC @ 4.5 V ±20V 40 pf @ 10 V - 270MW（TA）
TK16G60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16G60W5，RVQ 3.2100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） D2PAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 15.8A（TA） 10V 230MOHM @ 7.9A，10V 4.5V @ 790µA 43 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 V - 130W（TC）
2SK2847(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2847（f） -
RFQ
 ECAD 1737年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 2SK2847 MOSFET （金属 o化物） to-3p n（n） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 900 v 8a（8a） 10V 1.4OHM @ 4A，10V 4V @ 1mA 58 NC @ 10 V ±30V 2040 pf @ 25 V - 85W（TC）
SSM3H137TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3H137TU，LF 0.4500
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 3-SMD，平坦的铅 SSM3H137 MOSFET （金属 o化物） UFM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 34 v 2A（TA） 4V，10V 240MOHM @ 1A，10V 1.7V @ 1mA 3 NC @ 10 V ±20V 119 pf @ 10 V - 800MW（TA）
SSM6J53FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J53FE（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 2682 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6J53 MOSFET （金属 o化物） ES6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 P通道 20 v 1.8A（ta） 1.5V，2.5V 136mohm @ 1A，2.5V 1V @ 1mA 10.6 NC @ 4 V ±8V 568 pf @ 10 V - 500MW（TA）
SSM3K376R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K376R，LF 0.4300
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SOT-23-3平线 SSM3K376 MOSFET （金属 o化物） SOT-23F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 4A（ta） 1.8V，4.5V 56MOHM @ 2A，4.5V 1V @ 1mA 2.2 NC @ 4.5 V +12V，-8V 200 pf @ 10 V - 2W（TA）
SSM3J140TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J140TU，LF 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 3-SMD，平坦的铅 SSM3J140 MOSFET （金属 o化物） UFM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 4.4a（ta） 1.5V，4.5V 25.8mohm @ 4A，4.5V 1V @ 1mA 24.8 NC @ 4.5 V +6V，-8V 1800 pf @ 10 V - 500MW（TA）
TK4P55D(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK4P55D（t6rss-Q） -
RFQ
 ECAD 5025 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TK4P55 MOSFET （金属 o化物） D-pak 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TK4P55DT6RSQ Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 550 v 4A（ta） 10V 1.88OHM @ 2A，10V 4.4V @ 1mA 11 NC @ 10 V ±30V 490 pf @ 25 V - 80W（TC）
3SK291(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 3SK291（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 4341 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 12.5 v 表面安装 SC-61AA 3SK291 800MHz MOSFET smq - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道双门 30mA 10 MA - 22.5dB 2.5dB 6 V
SSM3J372R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J372R，LF 0.4400
RFQ
 ECAD 334 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SOT-23-3平线 SSM3J372 MOSFET （金属 o化物） SOT-23F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 6a（6a） 1.8V，10V 42MOHM @ 5A，10V 1.2V @ 1mA 8.2 NC @ 4.5 V +12V，-6V 560 pf @ 15 V - 1W（ta）
TK8A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage TK8A60W5，S5VX 1.7500
RFQ
 ECAD 6899 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK8A60 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 8a（8a） 10V 540MOHM @ 4A，10V 4.5V @ 400µA 22 NC @ 10 V ±30V 590 pf @ 300 V - 30W（TC）
TK13A55DA(STA4,QM) Toshiba Semiconductor and Storage TK13A55DA （STA4，QM） 2.8600
RFQ
 ECAD 3819 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK13A55 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 550 v 12.5A（TA） 10V 480MOHM @ 6.3a，10V 4V @ 1mA 38 NC @ 10 V ±30V 1800 pf @ 25 V - 45W（TC）
1SV323,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV323，H3F 0.3800
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 SC-79，SOD-523 1SV323 ESC键 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 4,000 7.1pf @ 4V，1MHz 单身的 10 v 4.3 C1/C4 -
1SV239TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV239TPH3F 0.4300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 SC-76，SOD-323 1SV239 南加州大学 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 3,000 2pf @ 10V，1MHz 单身的 15 v 2.4 C2/C10 -
JDV2S10FS(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage JDV2S10FS（TPL3） 0.4100
RFQ
 ECAD 398 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 2-SMD，平坦的铅 JDV2S10 FSC 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 10,000 3.4pf @ 2.5V，1MHz 单身的 10 v 2.55 C0.5/C2.5 -
SSM6N24TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N24TU，LF 0.4500
RFQ
 ECAD 7409 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6N24 MOSFET （金属 o化物） 500MW（TA） UF6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 500mA（ta） 145mohm @ 500mA，4.5V 1.1V @ 100µA - 245pf @ 10V -
SSM6N7002KFU,LXH Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002KFU，LXH 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101，U-Mosvii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 SSM6N7002 MOSFET （金属 o化物） 285MW（TA） US6 下载 （1 （无限） 264-SSM6N7002KFULXHCT Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 60V 300mA（TA） 1.5OHM @ 100mA，10v 2.1V @ 250µA 0.6NC @ 4.5V 40pf @ 10V -
TK34A10N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK34A10N1，S4X 1.5500
RFQ
 ECAD 9909 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK34A10 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 34A（TC） 10V 9.5Mohm @ 17a，10v 4V @ 500µA 38 NC @ 10 V ±20V 2600 PF @ 50 V - 35W（TC）
2SK2544(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2544（f） -
RFQ
 ECAD 7521 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 2SK2544 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 6a（6a） 10V 1.25OHM @ 3A，10V 4V @ 1mA 30 NC @ 10 V ±30V 1300 pf @ 10 V - 80W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

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