分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	Td（开/关）@ 25°C	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	电容比	电容比条件	Q@Vr，F
RN2910FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN2910			100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																								50V	100毫安									100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	4.7k欧姆	-
TRS3E65F,S1Q	1.9400	询价	12	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		通孔	TO-220-2	TRS3E65		SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2L	-				EAR99	8541.10.0080	50	无恢复T>500mA(Io)														650伏		1.6V@3A	0纳秒	650V时为20μA	175℃（最高）	3A	12pF@650V，1MHz
TDTA114E,LM	0.1800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TDTA114			320毫W	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																								50V	100毫安									500纳安	PNP - 预偏置	300mV@500μA，10mA	30@5mA，5V	250兆赫	10欧姆
RN4911,LF(CT	0.2800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4911			100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																								50V	100毫安									100nA（ICBO）	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫、250兆赫	10k欧姆	-
RN4989,LXHF(CT	0.4400	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4989			200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																								50V	100毫安									500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	47k欧姆	22k欧姆
RN1417,LXHF	0.0645	询价	3196	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1417			200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	100毫安									500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	250兆赫	10欧姆	4.7欧姆
TPCA8005-H(TE12LQM	-	询价	1160	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8005		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	27A（塔）	4.5V、10V	9毫欧@14A，10V	2.3V@1mA	24nC@10V	±20V	1395pF@10V	-	1.6W（Ta）、45W（Tc）
TK8A50DA(STA4,Q,M)	1.6000	询价	2557	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK8A50		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		500V	7.5A（塔）	10V	1.04欧姆@3.8A，10V	4.4V@1mA	16nC@10V	±30V	700pF@25V	-	35W（温度）
TPH3R704PC,LQ	0.9900	询价	14	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH3R704		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		40V	82A（温度）	4.5V、10V	3.7毫欧@41A，10V	2.4V@300μA	47nC@10V	±20V	3615pF@20V	-	830mW（Ta）、90W（Tc）
2SK2145-GR(TE85L,F	0.6800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-74A、SOT-753	2SK2145			300毫W	SMV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		2 个 N 沟道（双）									13pF@10V																					2.6毫安@10伏	200毫伏@100纳安
TK10A60D(STA4,Q,M)	-	询价	1128	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK10A60		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	TK10A60DSTA4QM	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		600伏	10A（塔）	10V	750mOhm@5A，10V	4V@1mA	25nC@10V	±30V	1350pF@25V	-	45W（温度）
1SV285TPH3F	0.0834	询价	9414	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	125°C（太焦）	表面贴装	SC-79、SOD-523	1SV285				ESC键	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	4,000																						2.35pF @ 4V、1MHz								单身的	10V										2.3	C1/C4	-
TK31V60W,LVQ	7.8500	询价	3694	东芝半导体和存储	DTMOSIV	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	4-VSFN 裸露焊盘	TK31V60		MOSFET（金属O化物）		4-DFN-EP (8x8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		600伏	30.8A（塔）	10V	98毫欧@15.4A，10V	3.7V@1.5mA	86nC@10V	±30V	3000 pF @ 300 V	-	240W（温度）
1SV310TPH3F	0.4200	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-76、SOD-323	1SV310				南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000																						5.45pF @ 4V、1MHz								单身的	10V										2.1	C1/C4	-
TK6A65W,S5X	1.7300	询价	4293	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK6A65		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		650伏	5.8A（塔）	10V	1欧姆@2.9A，10V	3.5V@180μA	11nC@10V	±30V	390 pF @ 300 V	-	30W（温度）
TRS24N65FB,S1Q	7.6500	询价	105	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		通孔	TO-247-3	TRS24N65		SiC（碳化硅）肖特基		TO-247	-		1（无限制）	264-TRS24N65FBS1Q	EAR99	8541.10.0080	30	无恢复T>500mA(Io)													1对共轴线	650伏	12A（直流）	1.6V@12A	0纳秒	60μA@650V	175℃
TK7P65W,RQ	1.6300	询价	7459	东芝半导体和存储	DTMOSIV	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK7P65		MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道		650伏	6.8A（塔）	10V	800毫欧@3.4A，10V	3.5V@250μA	15nC@10V	±30V	490 pF @ 300 V	-	60W（温度）
1SS362TE85LF	0.3000	询价	78	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	1SS362		标准		SSM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度													1对中央	80V	80毫安	1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	125℃（最高）
SSM3K16FV,L3F	0.2200	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SOT-723			MOSFET（金属O化物）		VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000		N沟道		20V	100mA（塔）	1.5V、4V	3欧姆@10mA，4V	1.1V@100μA		±10V	9.3pF@3V	-	150毫W（塔）
RN1415，LF	0.1800	询价	7792	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1415			200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																								50V	100毫安									500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	2.2欧姆	10欧姆
SSM3J327R，LF	0.4000	询价	35	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3J327		MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		20V	3.9A（塔）	1.5V、4.5V	93毫欧@1.5A，4.5V	1V@1mA	4.5V时为4.6nC	±8V	290pF@10V	-	1W（塔）
SSM3J168F,LXHF	0.4300	询价	5	东芝半导体和存储	汽车、AEC-Q101、U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			MOSFET（金属O化物）		S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道		60V	400mA（塔）	4V、10V	1.55欧姆@200mA，10V	2V@1mA	3nC@10V	+10V，-20V	10V时为82pF	-	600毫W（塔）
RN4982,LXHF(CT	0.4400	询价	2	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4982			200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	100毫安									500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	10k欧姆	10k欧姆
GT20J341,S4X(S	2.0600	询价	7000	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包		标准		45W	TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			300V，20A，33欧姆，15V															90纳秒					-	600伏	20A	80A	2V@15V，20A	500μJ（开），400μJ（关）	60纳秒/240纳秒
TPCA8012-H(TE12LQM	-	询价	9067	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8012		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	40A（塔）	4.5V、10V	4.9毫欧@20A，10V	2.5V@1mA	42nC@10V	±20V	3713pF@10V	-	-
TPH5R60APL,L1Q	1.3600	询价	3472	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerVDFN			MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		100V	60A（温度）	4.5V、10V	5.6毫欧@30A，10V	2.5V@500μA	52nC@10V	±20V	50V时为4300pF	-	960mW（Ta）、132W（Tc）
TPC8026(TE12L,Q,M)	-	询价	6957	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	TPC8026		MOSFET（金属O化物）		8-SOP (5.5x6.0)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	13A（塔）	4.5V、10V	6.6毫欧@6.5A，10V	2.5V@1mA	42nC@10V	±20V	1800pF@10V	-	1W（塔）
TW015N65C,S1F	55.4500	询价	114	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	175℃	通孔	TO-247-3			SiCFET（碳化硅）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道		650伏	100A（温度）	18V	21毫欧@50A，18V	5V@11.7mA	128nC@18V	+25V，-10V	4850 pF @ 400 V	-	342W（温度）
2SK3127(TE24L,Q)	-	询价	2581	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	2SK3127		MOSFET（金属O化物）		TO-220SM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	45A（塔）	10V	12毫欧@25A，10V	3V@1mA	66nC@10V	±20V	2300pF@10V	-	65W（温度）
RN2106MFV,L3F(CT	0.1800	询价	33	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN2106			150毫W	VESM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	8,000																								50V	100毫安									500纳安	PNP - 预偏置	300mV@500μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	47欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²