分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	测试条件	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	Td（开/关）@ 25°C	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）	电容比	电容比条件	Q@Vr，F
1SV314(TPL3,F)	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-79、SOD-523	1SV314				ESC键	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	8,000																							3.4pF@2.5V，1MHz							单身的	10V									2.5	C0.5/C2.5	-
RN1709JE(TE85L,F)	0.4000	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-553	RN1709			100毫W	ESV	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	4,000																								50V	100毫安							500纳安	2 NPN - 预偏置（双）（发射极耦合）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	47k欧姆	22k欧姆
1SS405，H3F	0.2700	询价	50	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-79、SOD-523	1SS405		肖特基		ESC键	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	4,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度															20V		550 毫伏 @ 50 毫安		20V时为500nA	125℃（最高）	50毫安	3.9pF @ 0V、1MHz
RN2906，LF	0.2800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2906			200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	100毫安							500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	4.7k欧姆	47k欧姆
2SK2719(女)	-	询价	7516	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	2SK2719		MOSFET（金属O化物）		TO-3P(N)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			900伏	3A（塔）	10V	4.3欧姆@1.5A，10V	4V@1mA	25nC@10V	±30V	750pF@25V	-	125W（温度）
RN1906,LF(CT	0.2800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1906			200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	100毫安							500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	47k欧姆
1SS398TE85LF	0.5000	询价	71	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	1SS398		标准		S-迷你型	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度														1对中央	400V	100毫安	1.3V@100mA	500纳秒	400V时为100nA	125℃（最高）
CUS15S40、H3F	0.3900	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-76、SOD-323	CUS15S40		肖特基		南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）															40V		450毫伏@1安		40V时为200μA	125℃（最高）	1.5A	170pF @ 0V、1MHz
CLS01(T6L索尼,Q)	-	询价	6695	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		表面贴装	L-薄™	CLS01		肖特基		L-FLAT™ (4x5.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）															30V		470毫伏@10安		1毫安@30伏	-40℃～125℃	10A	530pF@10V、1MHz
GT30J341,Q	3.4000	询价	100	东芝半导体和存储	-	托盘	的积极	175°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	GT30J341	标准		230W	TO-3P(N)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	264-GT30J341Q	EAR99	8541.29.0095	100			300V，30A，24欧姆，15V																50纳秒					600伏	59一个	120A	2V@15V，30A	800μJ（开），600μJ（关）	80纳秒/280纳秒
TK290A60Y,S4X	1.7600	询价	4892	东芝半导体和存储	DTMOSV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK290A60		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	不适用		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			600伏	11.5A（温度）	10V	290毫欧@5.8A，10V	4V@450μA	25nC@10V	±30V	730 pF @ 300 V	-	35W（温度）
TK7S10N1Z,LQ	1.4900	询价	77	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK7S10		MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道			100V	7A（塔）	10V	48毫欧@3.5A，10V	4V@100μA	10V时为7.1nC	±20V	470pF@10V	-	50W（温度）
RN1413,LXHF	0.0645	询价	3620	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1413			200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	100毫安							100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	47欧姆
TPN2R304PL,L1Q	0.9600	询价	27	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN2R304		MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道			40V	80A（温度）	4.5V、10V	2.3毫欧@40A，10V	2.4V@300μA	41nC@10V	±20V	3600pF@20V	-	630mW（Ta）、104W（Tc）
RN2110,LXHF(CT	0.3300	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2110			100毫W	SSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	100毫安							100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	4.7欧姆
TK72E12N1,S1X	2.5300	询价	42	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK72E12		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			120V	72A（塔）	10V	4.4毫欧@36A，10V	4V@1mA	130nC@10V	±20V	8100pF@60V	-	255W（温度）
SSM3K336R，LF	0.4300	询价	6	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3K336		MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道			30V	3A（塔）	4.5V、10V	95毫欧@2A，10V	2.5V@100μA	1.7nC@4.5V	±20V	126pF@15V	-	1W（塔）
TK290A65Y,S4X	1.9600	询价	50	东芝半导体和存储	DTMOSV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK290A65		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	不适用		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			650伏	11.5A（温度）	10V	290毫欧@5.8A，10V	4V@450μA	25nC@10V	±30V	730 pF @ 300 V	-	35W（温度）
RN1964FE(TE85L,F)	0.1000	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN1964			100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																								50V	100毫安							100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	47k欧姆	47k欧姆
RN2106MFV,L3F(CT	0.1800	询价	33	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN2106			150毫W	VESM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	8,000																								50V	100毫安							500纳安	PNP - 预偏置	300mV@500μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	47欧姆
TK16J60W,S1VQ	-	询价	8499	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	TK16J60		MOSFET（金属O化物）		TO-3P(N)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	25		N沟道			600伏	15.8A（塔）	10V	190毫欧@7.9A，10V	3.7V@790μA	38nC@10V	±30V	1350 pF @ 300 V	-	130W（温度）
SSM6P16FE(TE85L,F)	-	询价	1655	东芝半导体和存储	-	切带 (CT)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6P16		MOSFET（金属O化物）		ES6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000		P沟道			20V	100mA（塔）		8欧姆@10mA，4V	-			11pF@3V	-	150毫W（塔）
RN2105MFV,L3F(CT	0.1800	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN2105			150毫W	VESM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	8,000																								50V	100毫安							500纳安	PNP - 预偏置	300mV@500μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	2.2欧姆	47欧姆
RN1704JE(TE85L,F)	0.4700	询价	116	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-553	RN1704			100毫W	ESV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																								50V	100毫安							100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）（发射极耦合）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	47k欧姆	47k欧姆
RN1105,LXHF(CT	0.3300	询价	4	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1105			100毫W	SSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	100毫安							500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	2.2欧姆	47欧姆
2SC2714-O(TE85L,F)	0.0964	询价	6404	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SC2714			100毫W	S-迷你型	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000				23分贝																				30V	20毫安								NPN		70@1mA，6V	550兆赫			2.5dB@100MHz
TW015N65C,S1F	55.4500	询价	114	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	175℃	通孔	TO-247-3			SiCFET（碳化硅）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道			650伏	100A（温度）	18V	21毫欧@50A，18V	5V@11.7mA	128nC@18V	+25V，-10V	4850 pF @ 400 V	-	342W（温度）
2SK3127(TE24L,Q)	-	询价	2581	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	2SK3127		MOSFET（金属O化物）		TO-220SM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道			30V	45A（塔）	10V	12毫欧@25A，10V	3V@1mA	66nC@10V	±20V	2300pF@10V	-	65W（温度）
1SV285TPH3F	0.0834	询价	9414	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	125°C（太焦）	表面贴装	SC-79、SOD-523	1SV285				ESC键	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	4,000																							2.35pF @ 4V、1MHz							单身的	10V									2.3	C1/C4	-
2SK2989(TPE6,F,M)	-	询价	8590	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SK2989				TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	1						5A（Tj）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²