分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	电容比	电容比条件	Q@Vr，F
DSF01S30SL,L3F	0.3500	询价	62	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	2-SMD，无铅	DSF01S30	肖特基		SL2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	10,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度												30V	500 毫伏 @ 100 毫安		30V时为50μA	125℃（最高）	100毫安	9.02pF@2V、1MHz
SSM3K35AFS，LF	0.2500	询价	7	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416	SSM3K35	MOSFET（金属O化物）		SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	20V	250mA（塔）	1.2V、4.5V	1.1欧姆@150mA，4.5V	1V@100μA	0.34nC@4.5V	±10V	10V时为36pF	-	500毫W（塔）
1SS424(TPL3,F)	0.2200	询价	62	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-79、SOD-523	1SS424	肖特基		ESC键	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	8,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度												20V	500 毫伏 @ 200 毫安		20V时为50μA	125℃（最高）	200毫安	20pF @ 0V、1MHz
RN2309,LXHF	0.3900	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2309		100毫W	SC-70	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																				50V	100毫安			500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	47欧姆	22欧姆
TK2R4A08QM,S4X	2.8700	询价	46	东芝半导体和存储	U-MOSX-H	管子	的积极	175℃	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	80V	100A（温度）	6V、10V	2.44毫欧@50A，10V	3.5V@2.2mA	179nC@10V	±20V	13000pF@40V	-	47W（温度）
TK13P25D,RQ	0.9000	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	250伏	13A（塔）	10V	250mOhm@6.5A，10V	3.5V@1mA	25nC@10V	±20V	1100 pF @ 100 V	-	96W（温度）
TJ200F04M3L,LXHQ	3.1700	询价	3367	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	TJ200F04	MOSFET（金属O化物）		TO-220SM(W)	下载		3（168小时）		EAR99	8541.21.0095	1,000		P沟道	40V	200A（塔）	6V、10V	1.8毫欧@100A，10V	3V@1mA	460nC@10V	+10V，-20V	1280pF@10V	-	375W（温度）
2SC2859-Y(TE85L,F)	-	询价	8762	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SC2859		150毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																				30V	500毫安			100nA（ICBO）	NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	120@100mA，1V	300兆赫
TK5A65DA(STA4,Q,M)	1.5900	询价	50	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK5A65	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	650伏	4.5A（塔）	10V	1.67欧姆@2.3A，10V	4.4V@1mA	16nC@10V	±30V	700pF@25V	-	35W（温度）
TPHR9003NL1,LQ	1.5900	询价	9	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	8-PowerTDFN		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5.75)	-		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	30V	150A（温度）	4.5V、10V	0.9毫欧@50A，10V	2.3V@1mA	74nC@10V	±20V	6900pF@15V	-	800mW（Ta）、170W（Tc）
CRS15I30B(TE85L,QM	0.1292	询价	7231	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOD-123F	CRS15I30	肖特基		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												30V	400毫伏@1.5安		30V时为100μA	150℃（最高）	1.5A	82pF@10V、1MHz
CMS03(TE12L)	-	询价	2598	东芝半导体和存储	-	切带 (CT)	过时的		表面贴装	SOD-128	CMS03	肖特基		M-平 (2.4x3.8)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												30V	450毫伏@3安		30V时为500μA	-40℃～150℃	3A	-
TK22E10N1,S1X	1.5000	询价	6064	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK22E10	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	100V	52A（温度）	10V	13.8毫欧@11A，10V	4V@300μA	28nC@10V	±20V	1800pF@50V	-	72W（温度）
RN1607(TE85L,F)	0.4700	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74、SOT-457	RN1607		300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																				50V	100毫安			100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	10k欧姆	47k欧姆
1SV311(TPH3,F)	0.0886	询价	4129	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-79、SOD-523	1SV311			ESC键	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	4,000																			5.45pF @ 4V、1MHz			单身的	10V								2.1	C1/C4	-
TK20E60W,S1VX	5.3700	询价	1878年	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK20E60	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	600伏	20A（塔）	10V	155mOhm@10A，10V	3.7V@1mA	48nC@10V	±30V	1680 pF @ 300 V	-	165W（温度）
2SB1481(TOJS,Q,M)	-	询价	3254	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SB1481		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1																				100V	4A			2μA（ICBO）	国民党	1.5V@6mA，3A	2000 @ 3A，2V	-
2SC2235-Y(T6KMATFM	-	询价	9620	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2235		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	2SC2235YT6KMATFM	EAR99	8541.21.0075	1																				120V	800毫安			100nA（ICBO）	NPN	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
RN2909FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN2909		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																				50V	100毫安			500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	47k欧姆	22k欧姆
CUS10S40、H3F	0.3500	询价	33	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-76、SOD-323	CUS10S40	肖特基		南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												40V	400 毫伏 @ 500 毫安		40V时为150μA	125℃（最高）	1A	120pF @ 0V、1MHz
CRF02(TE85L,Q,M)	0.4700	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOD-123F	CRF02	标准		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												800V	3V@500mA	100纳秒	800V时为50μA	-40℃～150℃	500毫安	-
RN1424TE85LF	0.4200	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1424		200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																				50V	800毫安			500纳安	NPN - 预偏置	250mV@1mA、50mA	90@100mA，1V	300兆赫	10欧姆	10欧姆
RN1708JE(TE85L,F)	0.4000	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-553	RN1708		100毫W	ESV	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	4,000																				50V	100毫安			500纳安	2 NPN - 预偏置（双）（发射极耦合）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	22k欧姆	47k欧姆
TK50P03M1(T6RSS-Q)	-	询价	8706	东芝半导体和存储	U-MOSVI-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK50P03	MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	30V	50A（塔）	4.5V、10V	7.5毫欧@25A，10V	2.3V@200μA	10V时为25.3nC	±20V	1700pF@10V	-	47W（温度）
RN2303,LF	0.1800	询价	200	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2303		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																				50V	100毫安			500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	22欧姆	22欧姆
TPC8026(TE12L,Q,M)	-	询价	6957	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	TPC8026	MOSFET（金属O化物）		8-SOP (5.5x6.0)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	13A（塔）	4.5V、10V	6.6毫欧@6.5A，10V	2.5V@1mA	42nC@10V	±20V	1800pF@10V	-	1W（塔）
TPH5R60APL,L1Q	1.3600	询价	3472	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerVDFN		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	100V	60A（温度）	4.5V、10V	5.6毫欧@30A，10V	2.5V@500μA	52nC@10V	±20V	50V时为4300pF	-	960mW（Ta）、132W（Tc）
TPCA8065-H,LQ(S	-	询价	3579	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8065	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	16A（塔）	4.5V、10V	11.4毫欧@8A，10V	2.3V@200μA	20nC@10V	±20V	1600pF@10V	-	1.6W（Ta）、25W（Tc）
TK7R4A10PL,S4X	1.4100	询价	1092	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	175℃	通孔	TO-220-3全包	TK7R4A10	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	100V	50A（温度）	4.5V、10V	7.4毫欧@25A，10V	2.5V@500μA	44nC@10V	±20V	2800pF@50V	-	42W（温度）
2SA1588-O,LF	0.0478	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SA1588		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																				30V	500毫安			100nA（ICBO）	国民党	250毫伏@10毫安，100毫安	70@100mA，1V	200兆赫

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²