分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
TJ15S06M3L,LXHQ	0.9500	询价	16	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TJ15S06	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		P沟道		60V	15A（塔）	6V、10V	50mOhm@7.5A，10V	3V@1mA	36nC@10V	+10V，-20V	1770pF@10V	-	41W（温度）
TK31J60W5,S1VQ	9.6500	询价	2743	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	TK31J60	MOSFET（金属O化物）		TO-3P(N)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	25		N沟道		600伏	30.8A（塔）	10V	88毫欧@15.4A，10V	3.7V@1.5mA	105nC@10V	±30V	3000 pF @ 300 V	-	230W（温度）
RN1404,LXHF	0.3400	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1404		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																							50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	47欧姆	47欧姆
RN2402,LXHF	0.3400	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2402		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																							50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	10欧姆	10欧姆
2SC5171,ONKQ(J	-	询价	7689	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SC5171		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																							180伏	2A	5μA（ICBO）	NPN	1V@100mA，1A	100@100mA，5V	200兆赫
RN1911FE,LF(CT	0.2400	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN1911		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	4,000																							50V	100毫安	100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	10k欧姆	-
TK62N60W,S1VF	16.4000	询价	6481	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	TK62N60	MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道		600伏	61.8A（塔）	10V	40毫欧@30.9A，10V	3.7V@3.1mA	180nC@10V	±30V	6500 pF @ 300 V	-	400W（温度）
TK4A50D(STA4、Q、M)	0.9300	询价	50	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK4A50	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		500V	4A（塔）	10V	2欧姆@2A，10V	4.4V@1mA	9nC@10V	±30V	380pF@25V	-	30W（温度）
SSM3J378R，LXHF	0.5000	询价	24	东芝半导体和存储	汽车、AEC-Q101、U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SOT-23-3 读写		MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		20V	6A（塔）	1.5V、4.5V	29.8毫欧@3A，4.5V	1V@1mA	12.8nC@4.5V	+6V、-8V	10V时为840pF	-	1W（塔）
TK2P60D(TE16L1,NV)	-	询价	2534	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK2P60	MOSFET（金属O化物）		PW-模具	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	TK2P60D(TE16L1NV)	EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道		600伏	2A（塔）	10V	4.3欧姆@1A，10V	4.4V@1mA	7nC@10V	±30V	280pF@25V	-	60W（温度）
2SK3564(STA4、Q、M)	1.6200	询价	42	东芝半导体和存储	π-MOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SK3564	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		900伏	3A（塔）	10V	4.3欧姆@1.5A，10V	4V@1mA	17nC@10V	±30V	700pF@25V	-	40W（温度）
RN4983，LF（CT	0.3500	询价	7287	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4983		200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																							50V	100毫安	500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	22k欧姆	22k欧姆
RN4905,LF(CT	0.3500	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4905		200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																							50V	100毫安	500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
TK14A45DA(STA4,QM)	2.7100	询价	3625	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	-	通孔	TO-220-3全包	TK14A45	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		450伏	13.5A		410毫欧@6.8A，10V	-				-	-
TK56A12N1,S4X	2.0900	询价	30	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK56A12	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		120V	56A（温度）	10V	7.5毫欧@28A，10V	4V@1mA	69nC@10V	±20V	4200pF@60V	-	45W（温度）
2SC2235-Y(DNSO,AF)	-	询价	8875	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2235		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																							120V	800毫安	100nA（ICBO）	NPN	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
TK5A90E,S4X	1.4600	询价	9249	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	150℃	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		900伏	4.5A（塔）	10V	3.1欧姆@2.3A，10V	4V@450μA	20nC@10V	±30V	950pF@25V	-	40W（温度）
SSM3J374R，LF	0.4400	询价	2	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3J374	MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	4A（塔）	4V、10V	71毫欧@3A，10V	2V@100μA	5.9nC@10V	+10V，-20V	280pF@15V	-	1W（塔）
TPC6110(TE85L,F,M)	-	询价	4645	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	TPC6110	MOSFET（金属O化物）		VS-6 (2.9x2.8)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道		30V	4.5A（塔）		56毫欧@2.2A，10V	2V@100μA	14nC@10V		510pF@10V	-	700毫W（塔）
RN4982，LF（CT	0.3700	询价	9	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4982		200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																							50V	100毫安	100μA（ICBO）	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	10k欧姆	10k欧姆
TK10A60W,S4X	1.6339	询价	3281	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极		通孔	TO-220-3全包	TK10A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	TK10A60WS4X	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		600伏	9.7A（塔）	10V	380毫欧@4.9A，10V	3.7V@500μA	20nC@10V	±30V	720 pF @ 300 V	-	30W（温度）
2SJ438,MDKQ(J	-	询价	第1464章	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		通孔	TO-220-3全包	2SJ438			TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1					5A（Tj）
1SS397TE85LF	0.4100	询价	8305	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	1SS397	标准		SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度														400V		1.3V@100mA	500纳秒	400V时为1μA	125℃（最高）	100毫安	5pF @ 0V、1MHz
MT3S113TU,LF	0.6400	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，写入	MT3S113		900毫W	UFM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000			12.5分贝																				5.3V	100毫安		NPN		200@30mA，5V	11.2GHz			1.45dB@1GHz
TPCP8J01(TE85L,F,M	-	询价	7498	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	TPCP8J01	MOSFET（金属O化物）		PS-8	-	符合RoHS标准		TPCP8J01(TE85LFM	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		32V	5.5A（塔）	4V、10V	35mOhm@3A，10V	2V@1mA	34nC@10V	±20V	1760pF@10V	-	2.14W（塔）
HN2S03FUTE85LF	0.4300	询价	第560章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	HN2S03	肖特基		美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度													3 独立	20V	50毫安	550 毫伏 @ 50 毫安		20V时为500nA	125℃（最高）
TPH3R506PL,LQ	0.5263	询价	4366	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH3R506	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	-		1（无限制）	264-TPH3R506PLLQTR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		60V	94A（温度）	4.5V、10V	3.5毫欧@47A，10V	2.5V@500μA	55nC@10V	±20V	4420pF@30V	-	830mW（Ta）、116W（Tc）
TPC6104(TE85L,F,M)	-	询价	7275	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	TPC6104	MOSFET（金属O化物）		VS-6 (2.9x2.8)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道		20V	5.5A（塔）	1.8V、4.5V	40毫欧@2.8A，4.5V	1.2V@200μA	19nC@5V	±8V	10V时为1430pF	-	700毫W（塔）
RN4990(TE85L,F)	0.3400	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4990		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																							50V	100毫安	100nA（ICBO）	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫、200兆赫	4.7k欧姆	-
2SC4116-GR,LXHF	0.3300	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323			100毫W	SC-70	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																							50V	150毫安	100nA（ICBO）	NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	80兆赫

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²