分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）	电压 - 击穿 (V(BR)GSS)	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）	电流消耗 (Id) - 最大	电容比	电容比条件	Q@Vr，F
TK8A60W5,S5VX	1.7500	询价	6899	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK8A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		600伏	8A（塔）	10V	540毫欧@4A，10V	4.5V@400μA	22nC@10V	±30V	590 pF @ 300 V	-	30W（温度）
RN4986,LXHF(CT	0.4400	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4986		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	100毫安						500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	4.7k欧姆	47k欧姆
TMBT3906,LM	0.1800	询价	15	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TMBT3906		320毫W	SOT-23-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																								50V	150毫安						100nA（ICBO）	国民党	400mV@5mA、50mA	100@10mA，1V	250兆赫
2SC2712-Y,LXHF	0.3400	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	-	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	150毫安						100nA（ICBO）	NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
TK40S06N1L,LXHQ	1.0700	询价	20	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK40S06	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000			N沟道		60V	40A（塔）	4.5V、10V	18毫欧@20A，10V	2.5V@200μA	26nC@10V	±20V	1650pF@10V	-	88.2W（温度）
CRS10I30A(TE85L,QM	0.3800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOD-123F	CRS10I30	肖特基		S-平面 (1.6x3.5)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														30V		390毫伏@700毫安		30V时为60μA	150℃	1A	50pF@10V，1MHz
2SC5095-R(TE85L,F)	-	询价	9694	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SC5095		100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000				13分贝～7.5分贝																				10V	15毫安							NPN		50@7mA，6V	10GHz			1.8dB@2GHz
TK5A65W,S5X	1.6000	询价	1655	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK5A65	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		650伏	5.2A（塔）	10V	1.2欧姆@2.6A，10V	3.5V@170μA	10V时为10.5nC	±30V	380 pF @ 300 V	-	30W（温度）
2SK208-R(TE85L,F)	0.4900	询价	36	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SK208		100毫W	S-迷你型	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道									8.2pF@10V																50V	10V时为300μA	400毫伏@100纳安									6.5毫安
RN1310,LF	0.1800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1310		100毫W	SC-70	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																								50V	100毫安						100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	4.7欧姆
CRG07(TE85L,Q,M)	0.4000	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOD-123F	CRG07	标准		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000		标准恢复 >500ns，>200mA (Io)														400V		1.1V@700mA		400V时为10μA	175℃（最高）	700毫安	-
2SA2061(TE85L,F)	0.5000	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			625毫W	TSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	264-2SA2061(TE85L,F)DKR	EAR99	8541.21.0095	3,000																								20V	2.5安						100nA（ICBO）	国民党	190mV@53mA，1.6A	200@500mA，2V	-
BAV99W、LF	0.2100	询价	518	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	巴夫99	标准		USM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													1对中央	100V	150毫安	1.25V@150mA	4纳秒	80V时为200nA	150℃（最高）
RN2112ACT(TPL3)	0.0527	询价	10	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN2112		100毫W	CST3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000																								50V	80毫安						100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	150mV@250μA，5mA	120@1mA，5V		22欧姆
RN1106MFV,L3F(CT	0.1800	询价	8	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1106		150毫W	VESM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000																								50V	100毫安						500纳安	NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	80@1mA，5V		4.7欧姆	47欧姆
TK58A06N1,S4X	1.3300	询价	46	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK58A06	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		60V	58A（温度）	10V	5.4毫欧@29A，10V	4V@500μA	46nC@10V	±20V	3400pF@30V	-	35W（温度）
RN2107MFV,L3XHF(CT	0.3400	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN2107		150毫W	VESM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000																								50V	100毫安						500纳安	PNP - 预偏置	300mV@500μA，5mA	80@10mA，5V		10欧姆	47欧姆
TK22A10N1,S4X	1.4100	询价	4640	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK22A10	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		100V	22A（温度）	10V	13.8毫欧@11A，10V	4V@300μA	28nC@10V	±20V	1800pF@50V	-	30W（温度）
RN1307,LXHF	0.3900	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1307		100毫W	SC-70	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	100毫安						500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	10欧姆	47欧姆
SSM6N43FU,LF	0.4500	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SSM6N43	MOSFET（金属O化物）	200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）				20V	500毫安		630mOhm@200mA，5V	1V@1mA	1.23nC@4V		46pF@10V	逻辑电平门，1.5V驱动
SSM3K72CTC，L3F	0.3000	询价	5	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-101、SOT-883	SSM3K72	MOSFET（金属O化物）		CST3C	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000			N沟道		60V	150mA（塔）	4.5V、10V	3.9欧姆@100mA，10V	2.1V@250μA	0.35nC@4.5V	±20V	17pF@10V	-	500毫W（塔）
SSM3J56MFV，L3F	0.4500	询价	第490章	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-723	SSM3J56	MOSFET（金属O化物）		VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000			P沟道		20V	800mA（塔）	1.2V、4.5V	390毫欧@800毫安，4.5伏	-		±8V	100pF@10V	-	150毫W（塔）
CRS20I40A(TE85L,QM	0.5000	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOD-123F	CRS20I40	肖特基		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														40V		600毫伏@2安		60μA@40V	150℃（最高）	2A	35pF@10V，1MHz
RN1709JE(TE85L,F)	0.4000	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-553	RN1709		100毫W	ESV	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	4,000																								50V	100毫安						500纳安	2 NPN - 预偏置（双）（发射极耦合）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	47k欧姆	22k欧姆
1SV314(TPL3,F)	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-79、SOD-523	1SV314			ESC键	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	8,000																							3.4pF@2.5V，1MHz			单身的	10V													2.5	C0.5/C2.5	-
1SS398TE85LF	0.5000	询价	71	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	1SS398	标准		S-迷你型	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度													1对中央	400V	100毫安	1.3V@100mA	500纳秒	400V时为100nA	125℃（最高）
TPN2R304PL,L1Q	0.9600	询价	27	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN2R304	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000			N沟道		40V	80A（温度）	4.5V、10V	2.3毫欧@40A，10V	2.4V@300μA	41nC@10V	±20V	3600pF@20V	-	630mW（Ta）、104W（Tc）
RN2110,LXHF(CT	0.3300	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2110		100毫W	SSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	100毫安						100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	4.7欧姆
RN1906,LF(CT	0.2800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1906		200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	100毫安						500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	4.7k欧姆	47k欧姆
RN2906，LF	0.2800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2906		200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	100毫安						500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	4.7k欧姆	47k欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²