分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	当前 - 最大	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	电阻@If,F	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
CMZ16(TE12L,Q,M)	0.5400	询价	4384	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	±10%	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SOD-128	CMZ16		2W	M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0050	3,000																			1.2V@200mA		11V时为10μA								16V	30欧姆
SSM6K781G，LF	0.5100	询价	850	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	6-UFBGA、WLCSP	SSM6K781	MOSFET（金属O化物）		6-WCSPC (1.5x1.0)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道			12V	7A（塔）	1.5V、4.5V	18毫欧@1.5A，4.5V	1V@250μA	5.4nC@4.5V	±8V	6V时600pF	-	1.6W（塔）
TK14C65W5,S1Q	-	询价	2691	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	TK14C65	MOSFET（金属O化物）		I2PAK	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道			650伏	13.7A（塔）	10V	300毫欧@6.9A，10V	4.5V@690μA	40nC@10V	±30V	1300 pF @ 300 V	-	130W（温度）
RN1110(T5L,F,T)	-	询价	5975	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1110		100毫W	SSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																								50V	100毫安			100nA（ICBO）				NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	4.7欧姆
TK5P65W,RQ	1.3700	询价	2	东芝半导体和存储	DTMOSIV	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		DPAK	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000			N沟道			650伏	5.2A（塔）	10V	1.22欧姆@2.6A，10V	3.5V@170μA	10V时为10.5nC	±30V	380 pF @ 300 V	-	60W（温度）
RN2904FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN2904		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																								50V	100毫安			500纳安				2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	47k欧姆	47k欧姆
RN2424(TE85L,F)	0.4100	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2424		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																								50V	800毫安			500纳安				PNP - 预偏置	250mV@1mA、50mA	90@100mA，1V	200兆赫	10欧姆	10欧姆
TK2P60D(TE16L1,NQ)	-	询价	2671	东芝半导体和存储	π-MOSVII	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK2P60	MOSFET（金属O化物）		PW-模具	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000			N沟道			600伏	2A（塔）	10V	4.3欧姆@1A，10V	4.4V@1mA	7nC@10V	±30V	280pF@25V	-	60W（温度）
1SS381，L3F	0.0540	询价	6469	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		125°C（太焦）		SC-79、SOD-523	1SS381			ESC键	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	8,000				100毫安																			1.2pF@6V、1MHz			PIN-单个	30V				900mOhm@2mA，100MHz
TPCA8023-H(TE12LQM	-	询价	3367	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8023	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道			30V	21A（塔）	4.5V、10V	12.9毫欧@11A，10V	2.5V@1mA	21nC@10V	±20V	2150pF@10V	-	1.6W（Ta）、30W（Tc）
RN1306,LXHF	0.3900	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1306		100毫W	SC-70	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	100毫安			500纳安				NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	4.7欧姆	47欧姆
TPCC8105,L1Q	0.8200	询价	3350	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘		MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.3x3.3)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000			P沟道			30V	23A（塔）	4.5V、10V	7.8毫欧@11.5A，10V	2V@500μA	76nC@10V	+20V，-25V	10V时为3240pF	-	700mW（Ta）、30W（Tc）
RN1108(T5L,F,T)	0.2300	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1108		100毫W	SSM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																								50V	100毫安			500纳安				NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	22欧姆	47欧姆
SSM3K35CT，L3F	0.3200	询价	13	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	SC-101、SOT-883	SSM3K35	MOSFET（金属O化物）		CST3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000			N沟道			20V	180mA（塔）	1.2V、4V	3欧姆@50mA，4V	1V@1mA		±10V	9.5pF@3V	-	100毫W（塔）
1SS360(T5L,F,T)	-	询价	2413	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SC-75、SOT-416	1SS360	标准		SSM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度														1对共阳极	80V	100毫安	1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	125℃（最高）
TK4P55D(T6RSS-Q)	-	询价	5025	东芝半导体和存储	π-MOSVII	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK4P55	MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	TK4P55DT6RSSQ	EAR99	8541.29.0095	2,000			N沟道			550伏	4A（塔）	10V	1.88欧姆@2A，10V	4.4V@1mA	11nC@10V	±30V	490pF@25V	-	80W（温度）
SSM6N17FU(TE85L,F)	0.4900	询价	14	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SSM6N17	MOSFET（金属O化物）	200毫W（塔）	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）					50V	100mA（塔）		20欧姆@10mA，4V	1.5V@1μA	-		7pF@3V	-
TK9P65W,RQ	0.8760	询价	2610	东芝半导体和存储	DTMOSIV	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK9P65	MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000			N沟道			650伏	9.3A（塔）	10V	560毫欧@4.6A，10V	3.5V@350μA	20nC@10V	±30V	700 pF @ 300 V	-	80W（温度）
RN2708JE(TE85L,F)	0.4800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-553	RN2708		100毫W	ESV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																								50V	100毫安			100nA（ICBO）				2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	22k欧姆	47k欧姆
2SA965-Y,T6F(J	-	询价	5034	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA965		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																								120V	800毫安			100nA（ICBO）				国民党	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
RN2708，LF	0.3100	询价	1502	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	RN2708		200毫W	无人艇	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																								50V	100毫安			500纳安				2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	22k欧姆	47k欧姆
HN1C01FU-Y,LXHF	0.4100	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		-	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	HN1C01		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	150毫安			100nA（ICBO）				2 NPN（双）	250毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
RN2303(TE85L,F)	0.2700	询价	第367章	东芝半导体和存储	-	切带 (CT)	的积极			表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2303		100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																								50V	100毫安			500纳安				PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	22欧姆	22欧姆
SSM6N815R，LF	0.4500	询价	5	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6N815	MOSFET（金属O化物）	1.8W（塔）	6-TSOP-F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）					100V	2A（塔）		103mOhm@2A，10V	2.5V@100μA	3.1nC@4.5V		290pF@15V	逻辑电平门，4V驱动
MT3S113(TE85L,F)	0.7000	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MT3S113		800毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000					11.8分贝																			5.3V	100毫安							NPN		200@30mA，5V	12.5GHz			1.45dB@1GHz
2SC2712-Y,LF	0.2100	询价	4409	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SC2712		150毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	150毫安			100nA（ICBO）				NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
RN4607(TE85L,F)	0.4700	询价	第795章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-74、SOT-457	RN4607		300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	100毫安			100nA（ICBO）				1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	10k欧姆	47k欧姆
SSM3J304T(TE85L,F)	-	询价	9160	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SSM3J304	MOSFET（金属O化物）		TSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			P沟道			20V	2.3A（塔）	1.8V、4V	127毫欧@1A，4V	-	6.1nC@4V	±8V	10V时为335pF	-	700毫W（塔）
RN2908,LXHF(CT	0.4400	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2908		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																								50V	100毫安			500纳安				2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	22k欧姆	47k欧姆
2SC5087R(TE85L,F)	0.1270	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）	表面贴装	SC-61AA	2SC5087		150毫W	小型MQ	-	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000					-																			12V	80毫安							NPN		120@20mA，10V	8GHz			1.1dB ~ 2dB @ 1GHz

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²