分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电压 - 击穿 (V(BR)GSS)	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	电流消耗 (Id) - 最大
TK7A45DA(STA4,Q,M)	1.4000	询价	5114	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK7A45	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	450伏	6.5A（塔）	10V	1.2欧姆@3.3A，10V	4.4V@1mA	11nC@10V	±30V	540pF@25V	-	35W（温度）
CES520，L3F	0.1800	询价	16	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-79、SOD-523	CES520	肖特基		ESC键	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	8,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度													30V		600 毫伏 @ 200 毫安		30V时为5μA	125℃（最高）	200毫安	17pF@0V、1MHz
2SA965-Y,F(J	-	询价	3433	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA965		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																						120V	800毫安				100nA（ICBO）	国民党	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
TK17A80W,S4X	3.8400	询价	28	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150℃	通孔	TO-220-3全包	TK17A80	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	800V	17A（塔）	10V	290毫欧@8.5A，10V	4V@850μA	32nC@10V	±20V	2050 pF @ 300 V	-	45W（温度）
1SS362FV，L3F	0.2000	询价	140	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	1SS362	标准		VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	8,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度												1对中央	80V	100毫安	1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	150℃（最高）
HN1B04F(TE85L,F)	-	询价	3334	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	HN1B04		300毫W	SM6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																						30V	500毫安				100nA（ICBO）	NPN、PNP	250毫伏@10毫安，100毫安	70@100mA，1V	200兆赫
TRS12E65C,S1Q	-	询价	6681	东芝半导体和存储	-	管子	过时的		通孔	TO-220-2	TRS12E65	SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2L	-	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	50	无恢复T>500mA(Io)													650伏		1.7V@12A	0纳秒	170V时为90μA	175℃（最高）	12A	65pF@650V，1MHz
SSM3J372R，LF	0.4400	询价	第334章	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3J372	MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	6A（塔）	1.8V、10V	42mOhm@5A，10V	1.2V@1mA	8.2nC@4.5V	+12V，-6V	560pF@15V	-	1W（塔）
RN4988(T5L,F,T)	-	询价	6086	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4988		200毫W	美国6号	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	100毫安				100μA（ICBO）	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	22k欧姆	47k欧姆
2SC5171(LBS2MATQ,M	-	询价	8910	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SC5171		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																						180伏	2A				5μA（ICBO）	NPN	1V@100mA，1A	100@100mA，5V	200兆赫
RN1302,LF	0.2600	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1302		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																						50V	100毫安				500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	10欧姆	10欧姆
RN1405,LXHF	0.3400	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1405		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	100毫安				500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	2.2欧姆	47欧姆
2SA1162-GR,LXHF	0.3900	询价	第454章	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	150毫安				100nA（ICBO）	国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	80兆赫
RN1112CT(TPL3)	-	询价	9061	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN1112		50毫W	CST3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000																						20V	50毫安				100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	150mV@250μA，5mA	300@1mA，5V		22欧姆
HN1D02F(TE85L,F)	0.4700	询价	9292	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74、SOT-457	HN1D02	标准		SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度												2对共轴线	80V	100毫安	1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	-55℃～125℃
2SC3665-Y(T2NSW,FM	-	询价	1068	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SC3665		1W	MSTM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																						120V	800毫安				100nA（ICBO）	NPN	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
TTD1509B,Q(S	-	询价	2966	东芝半导体和存储	*	管子	的积极				TTD1509				下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	250
1SS387CT，L3F	0.2400	询价	129	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOD-882	1SS387	标准		CST2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	10,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度													80V		1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	150℃（最高）	100毫安	0.5pF @ 0V、1MHz
TK16J60W5,S1VQ	5.2000年	询价	32	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	150℃	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	TK16J60	MOSFET（金属O化物）		TO-3P(N)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	25		N沟道	600伏	15.8A（塔）	10V	230毫欧@7.9A，10V	4.5V@790μA	43nC@10V	±30V	1350 pF @ 300 V	-	130W（温度）
TRS8A65F,S1Q	3.6600	询价	139	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		通孔	TO-220-2全包	TRS8A65	SiC（碳化硅）肖特基		TO-220F-2L	-				EAR99	8541.10.0080	50	无恢复T>500mA(Io)													650伏		1.6V@8A	0纳秒	40μA@650V	175℃（最高）	8A	28pF@650V，1MHz
2SC5886A，L1XHQ（O	-	询价	7632	东芝半导体和存储	*	卷带式 (TR)	的积极				2SC5886				下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000
RN1130MFV,L3F	0.1000	询价	8	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1130		150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	8,000																						50V	100毫安				500纳安	NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	100@10mA，5V	250兆赫	100欧姆	100欧姆
2SK208-Y(TE85L,F)	0.4900	询价	7	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SK208		100毫W	S-迷你型	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道								8.2pF@10V														50V	1.2毫安@10伏	400毫伏@100纳安								6.5毫安
2SC2235-Y(MBSH1,FM	-	询价	5908	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2235		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																						120V	800毫安				100nA（ICBO）	NPN	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
2SC2229-Y(T6MIT1FM	-	询价	第1667章	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2229		800毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	2SC2229YT6MIT1FM	EAR99	8541.21.0075	1																						150伏	50毫安				100nA（ICBO）	NPN	500mV@1mA、10mA	70@10mA，5V	120兆赫
TPCC8136.LQ	-	询价	7165	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCC8136	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	-		1（无限制）	264-TPCC8136.LQTR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	20V	9.4A（塔）	1.8V、4.5V	16毫欧@9.4A，4.5V	1.2V@1mA	36nC@5V	±12V	2350pF@10V	-	700mW（Ta）、18W（Tc）
SSM3K35CTC，L3F	0.3200	询价	109	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-101、SOT-883	SSM3K35	MOSFET（金属O化物）		CST3C	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000		N沟道	20V	250mA（塔）	1.2V、4.5V	1.1欧姆@150mA，4.5V	1V@100μA	0.34nC@4.5V	±10V	10V时为36pF	-	500毫W（塔）
2SC4207-GR(TE85L,F	0.3500	询价	41	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-74A、SOT-753	2SC4207		300毫W	SMV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																						50V	150毫安				100nA（ICBO）	2 NPN（双）共发射极	250毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	80兆赫
RN2109CT(TPL3)	-	询价	8190	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN2109		50毫W	CST3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000																						20V	50毫安				500纳安	PNP - 预偏置	150mV@250μA，5mA	100@10mA，5V		47欧姆	22欧姆
RN2708JE(TE85L,F)	0.4800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-553	RN2708		100毫W	ESV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																						50V	100毫安				100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	22k欧姆	47k欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²