分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	额定电流（安培）	当前 - 最大	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电压 - 测试	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	电阻@If,F	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
1SS403E，L3F	0.3200	询价	4	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	SC-79、SOD-523	1SS403		标准		ESC键	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	8,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度																		200V	1.2V@100mA	60纳秒	1μA@200V	150℃（最高）	100毫安	3pF @ 0V、1MHz
CMZ20(TE12L,Q,M)	0.5400	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	±10%		-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SOD-128	CMZ20			2W	M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0050	3,000																					1.2V@200mA		14V时为10μA										20V	30欧姆
TK5A65W,S5X	1.6000	询价	1655	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极			150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK5A65		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道						650伏	5.2A（塔）	10V	1.2欧姆@2.6A，10V	3.5V@170μA	10V时为10.5nC	±30V	380 pF @ 300 V	-	30W（温度）
TPN1110ENH,L1Q	1.6800	询价	1291	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极			150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN1110		MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000			N沟道						200V	7.2A（塔）	10V	114毫欧@3.6A，10V	4V@200μA	7nC@10V	±20V	600 pF @ 100 V	-	700mW（Ta）、39W（Tc）
TK040N65Z,S1F	11.2700	询价	300	东芝半导体和存储	-	管子	的积极			150℃	通孔	TO-247-3	TK040N65		MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	不适用		EAR99	8541.29.0095	30			N沟道						650伏	57A（塔）	10V	40毫欧@28.5A，10V	4V@2.85mA	105nC@10V	±30V	6250 pF @ 300 V	-	360W（温度）
TK25V60X5,LQ	5.0300	询价	8257	东芝半导体和存储	DTMOSIV	卷带式 (TR)	的积极			150℃	表面贴装	4-VSFN 裸露焊盘			MOSFET（金属O化物）		4-DFN-EP (8x8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,500人			N沟道						600伏	25A（塔）	10V	150毫欧@7.5A，10V	4.5V@1.2mA	60nC@10V	±30V	2400 pF @ 300 V	-	180W（温度）
SSM6J213FE(TE85L,F	0.4700	询价	8736	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极			150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6J213		MOSFET（金属O化物）		ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000			P沟道						20V	2.6A（塔）	1.5V、4.5V	103毫欧@1.5A，4.5V	1V@1mA	4.7nC@4.5V	±8V	290pF@10V	-	500毫W（塔）
TK16A60W,S4X	2.3741	询价	4531	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极				通孔	TO-220-3全包	TK16A60		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	TK16A60WS4X	EAR99	8541.29.0095	50			N沟道						600伏	15.8A（塔）	10V	190毫欧@7.9A，10V	3.7V@790μA	40nC@10V	±30V	1350 pF @ 300 V	-	40W（温度）
SSM6J503NU，LF	0.4600	询价	2	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极			150°C（太焦）	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	SSM6J503		MOSFET（金属O化物）		6-UDFNB (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			P沟道						20V	6A（塔）	1.5V、4.5V	32.4毫欧@3A，4.5V	1V@1mA	12.8nC@10V	±8V	10V时为840pF	-	1W（塔）
SSM6P47NU，LF	0.4200	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			150°C（太焦）	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	SSM6P47		MOSFET（金属O化物）	1W	6μDFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）								20V	4A		95毫欧@1.5A，4.5V	1V@1mA	4.6nC@4.5V		290pF@10V	逻辑电平门
RN2306，LF	0.1900	询价	2146	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2306			100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																											50V	100毫安				500纳安				PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	4.7欧姆	47欧姆
TPCA8009-H(TE12L,Q	-	询价	7100	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8009		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道						150伏	7A（塔）	10V	350mOhm@3.5A，10V	4V@1mA	10nC@10V	±20V	600pF@10V	-	1.6W（Ta）、45W（Tc）
2SK2962,T6F(中	-	询价	4332	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的				通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SK2962				TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	1										1A（Tj）
TK4A80E,S4X	1.2300	询价	9274	东芝半导体和存储	-	管子	的积极			150℃	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道						800V	4A（塔）	10V	3.5欧姆@2A，10V	4V@400μA	15nC@10V	±30V	650pF@25V	-	35W（温度）
3SK294(TE85L,F)	0.4700	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		12.5V		表面贴装	SC-82A、SOT-343	3SK294	500兆赫	场效应管		南昆士兰大学	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	N沟道			30毫安		10毫安	-	26分贝											1.4分贝										6V
RN2313(TE85L,F)	-	询价	4403	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2313			100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																											50V	100毫安				100nA（ICBO）				PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	47欧姆
RN2301,LXHF	0.3900	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2301			100毫W	SC-70	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																											50V	100毫安				500纳安				PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	200兆赫	4.7欧姆	4.7欧姆
JDH2S02FSTPL3	0.4600	询价	15	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	不适合新设计			125°C（太焦）		2-SMD，写入	JDH2S02				森林管理委员会	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	10,000					10毫安																					0.3pF@0.2V，1MHz				肖特基 - 单	10V				-
RN4901,LXHF(CT	0.4400	询价	6357	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4901			200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																											50V	100毫安				500纳安				1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	200兆赫、250兆赫	4.7k欧姆	4.7k欧姆
RN4902FE,LXHF(CT	0.3800	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4902			100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																											50V	100毫安				500纳安				1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫、250兆赫	10k欧姆	10k欧姆
2SD2206(TE6,F,M)	-	询价	7464	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SD2206			900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																											100V	2A				10μA（ICBO）				NPN	1.5V@1mA、1A	2000 @ 1A，2V	100兆赫兹
RN1705,LF	0.3000	询价	8	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极				表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	RN1705			200毫W	无人艇	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																											50V	100毫安				500纳安				2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
2SC4793,YHF(J	-	询价	4612	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的			150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SC4793			2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																											230伏	1A				1μA（ICBO）				NPN	1.5V@50mA、500mA	100@100mA，5V	100兆赫兹
RN1113CT(TPL3)	-	询价	5999	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的				表面贴装	SC-101、SOT-883	RN1113			50毫W	CST3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000																											20V	50毫安				100nA（ICBO）				NPN - 预偏置	150mV@250μA，5mA	300@1mA，5V		47欧姆
TK62N60W5,S1VF	11.3800	询价	18	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极			150℃	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30			N沟道						600伏	61.8A（塔）	10V	45毫欧@30.9A，10V	4.5V@3.1mA	205nC@10V	±30V	6500 pF @ 300 V	-	400W（温度）
TPH1R204PL1,LQ	1.6600	询价	16	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极			175℃	表面贴装	8-PowerTDFN			MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5.75)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000			N沟道						40V	150A（温度）	4.5V、10V	1.24毫欧@50A，10V	2.4V@500μA	74nC@10V	±20V	7200pF@20V	-	960mW（Ta）、170W（Tc）
TPH2010FNH,L1Q	1.6200	询价	10	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极			150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	2010年TPH		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000			N沟道						250伏	5.6A（塔）	10V	198毫欧@2.8A，10V	4V@200μA	7nC@10V	±20V	600 pF @ 100 V	-	1.6W（Ta）、42W（Tc）
CRY91(TE85L,Q,M)	-	询价	2201	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	±10%		-40℃～150℃	表面贴装	SOD-123F	哭91			700毫W	S-平面 (1.6x3.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0050	3,000																					1V@200mA		5.5V时为10μA										9.1V	30欧姆
SSM6N7002BFU(T5L,F	-	询价	3812	东芝半导体和存储	-	切带 (CT)	过时的			150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SSM6N7002		MOSFET（金属O化物）	300毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）								60V	200毫安		2.1欧姆@500mA，10V	3.1V@250μA	-		17pF@25V	逻辑电平门
HN1A01F-Y(TE85L,F)	-	询价	3952	东芝半导体和存储	-	切带 (CT)	的积极			125°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	HN1A01			300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																											50V	150毫安				100nA（ICBO）				2 PNP（双）	300毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²