分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	当前 - 最大	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	电阻@If,F	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）	电容比	电容比条件	Q@Vr，F
1SV279，H3F	0.4800	询价	1082	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-79、SOD-523	1SV279			ESC键	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	4,000																								6.5pF@10V、1MHz			单身的	15V										2.5	C2/C10	-
RN1307,LF	0.2200	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1307		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																									50V	100毫安			500纳安		NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	10欧姆	47欧姆
SSM6P35AFE，LF	0.4200	询价	10	东芝半导体和存储	U-MOSVII	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6P35	MOSFET（金属O化物）	150毫W（塔）	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000	2 个 P 沟道（双）					20V	250mA（塔）		1.4欧姆@150mA，4.5V	1V@100μA	-		42pF@10V	逻辑电平门，1.2V驱动
RN2104MFV，L3F	-	询价	2607	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN2104		150毫W	VESM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	RN2104MFVL3F	EAR99	8541.21.0075	8,000																									50V	100毫安			500纳安		PNP - 预偏置	300mV@500μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	47欧姆	47欧姆
TPCA8062-H,LQ(CM	-	询价	4497	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8062	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道			30V	28A（塔）	4.5V、10V	5.6毫欧@14A，10V	2.3V@300μA	34nC@10V	±20V	2900pF@10V	-	1.6W（Ta）、42W（Tc）
1SS367，H3F	0.2000	询价	63	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-76、SOD-323	1SS367	肖特基		南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度															10V		500 毫伏 @ 100 毫安		10V时为20μA	125℃（最高）	100毫安	40pF @ 0V、1MHz
SSM6N357R，LF	0.4100	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6N357	MOSFET（金属O化物）	1.5W（塔）	6-TSOP-F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）					60V	650mA（塔）		1.8欧姆@150mA，5V	2V@1mA	1.5nC@5V		60pF@12V	-
CLS03(TE16L、PCD、Q)	-	询价	5355	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		表面贴装	L-薄™	CLS03	肖特基		L-FLAT™ (4x5.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）															60V		580毫伏@10安		1毫安@60伏	-40℃～125℃	10A	345pF@10V、1MHz
JDP4P02AT(TE85L)	-	询价	5762	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）		4-SMD，无铅	JDP4P02			CST4 (1.2x0.8)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	4,000				50毫安																				0.4pF@1V、1MHz			PIN-2 独立	30V		1.5欧姆@10mA，100MHz
2SA1930(Q,M)	-	询价	3597	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1930		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	500																									180伏	2A			5μA（ICBO）		国民党	1V@100mA，1A	100@100mA，5V	200兆赫
2SK2962,T6WNLF(米	-	询价	5951	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SK2962			TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	1							1A（Tj）
BAS516,H3F	0.1800	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-79、SOD-523	BAS516	标准		ESC键	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	4,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）															100V		1.25V@150mA	3纳秒	80V时为200nA	150℃（最高）	250毫安	0.35pF @ 0V、1MHz
CMF04(TE12L,Q,M)	0.5300	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOD-128	CMF04	标准		M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）															800V		2.5V@500mA	100纳秒	800V时为50μA	-40℃～150℃	500毫安	-
SSM3K361R,LXHF	0.6400	询价	5	东芝半导体和存储	汽车、AEC-Q101、U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	SOT-23-3 读写		MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道			100V	3.5A（塔）	4.5V、10V	69毫欧@2A，10V	2.5V@100μA	3.2nC@4.5V	±20V	15V时为430pF	-	1.2W（塔）
TTC5460B,Q(S	-	询价	9144	东芝半导体和存储	*	管子	的积极				TTC5460				下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	250
TPCC8105,L1Q(CM	-	询价	1963年	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TPCC8105	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.3x3.3)	-		1（无限制）	264-TPCC8105L1Q(CMTR	EAR99	8541.29.0095	5,000			P沟道			30V	23A（塔）	4.5V、10V	7.8毫欧@11.5A，10V	2V@500μA	76nC@10V	+20V，-25V	10V时为3240pF	-	700mW（Ta）、30W（Tc）
CRS15I30A(TE85L,QM	0.4500	询价	4972	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOD-123F	CRS15I30	肖特基		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）															30V		460毫伏@1.5安		30V时为60μA	150℃（最高）	1.5A	50pF@10V，1MHz
TK4A60D(STA4,Q,M)	-	询价	6275	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK4A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道			600伏	4A（塔）	10V	1.7欧姆@2A，10V	4.4V@1mA	12nC@10V	±30V	600pF@25V	-	35W（温度）
RN1704，LF	0.3000	询价	210	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	RN1704		200毫W	无人艇	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																									50V	100毫安			500纳安		2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	47k欧姆	47k欧姆
2SA949-Y(T6JVC1,FM	-	询价	6789	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA949		800毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																									150伏	50毫安			100nA（ICBO）		国民党	800mV@1mA，10A	70@10mA，5V	120兆赫
RN2304,LXHF	0.3900	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2304		100毫W	SC-70	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																									50V	100毫安			500纳安		PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	47欧姆	47欧姆
RN2408,LXHF	0.3400	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2408		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																									50V	100毫安			500纳安		PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	22欧姆	47欧姆
SSM6N55NU，LF	0.4400	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	SSM6N55	MOSFET（金属O化物）	1W	6μDFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）					30V	4A		46毫欧@4A，10V	2.5V@100μA	2.5nC@4.5V		280pF@15V	逻辑电平门
TK160F10N1L,LQ	2.8400	询价	第1592章	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	TK160F10	MOSFET（金属O化物）		TO-220SM(W)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）		EAR99	8541.29.0095	1,000			N沟道			100V	160A（塔）	6V、10V	2.4毫欧@80A，10V	3.5V@1mA	122nC@10V	±20V	10V时为10100pF	-	375W（温度）
RN2317(TE85L,F)	0.2800	询价	第962章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2317		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																									50V	100毫安			500纳安		PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	200兆赫	10欧姆	4.7欧姆
SSM3K316T(TE85L,F)	-	询价	3620	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SSM3K316	MOSFET（金属O化物）		TSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道			30V	4A（塔）	1.8V、10V	53毫欧@3A，10V	1V@1mA	4.3nC@4V	±12V	270pF@10V	-	700毫W（塔）
MT4S300U(TE85L,O,F	0.6800	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-82A、SOT-343	MT4S300		250毫W	南昆士兰大学	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000					16.9分贝																				4V	50毫安					NPN		200@10mA，3V	26.5GHz			0.55dB@2GHz
TK6A55DA(STA4,Q,M)	1.4900	询价	8915	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK6A55	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道			550伏	5.5A（塔）	10V	1.48欧姆@2.8A，10V	4.4V@1mA	12nC@10V	±30V	600pF@25V	-	35W（温度）
HN4D02JU(TE85L,F)	0.0721	询价	5848	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	HN4D02	标准		无人艇	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度														1对共轴线	80V	100毫安	1.2V@100mA	1.6纳秒	80V时为500nA	150℃（最高）
HN2D02FU,LF	0.4000	询价	310	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	HN2D02	标准		美国6号	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度														3 独立	80V	80毫安	1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	125℃（最高）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²