分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电流 - 电极电极电流（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
RN4984,LXHF(CT	0.4400	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4984		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																				50V	100毫安			500纳安			1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫、200兆赫	47k欧姆	47k欧姆
TTA1943(Q)	2.7000	询价	第567章	东芝半导体和存储	-	大部分	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-3PL	TTA1943		150W	TO-3P(L)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0075	100																				230伏	15A			5μA（ICBO）			国民党	3V@800mA，8A	80@1A，5V	30兆赫兹
TK5P65W,RQ	1.3700	询价	2	东芝半导体和存储	DTMOSIV	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		DPAK	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道		650伏	5.2A（塔）	10V	1.22欧姆@2.6A，10V	3.5V@170μA	10V时为10.5nC	±30V	380 pF @ 300 V	-	60W（温度）
2SC5087R(TE85L,F)	0.1270	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）	表面贴装	SC-61AA	2SC5087		150毫W	小型MQ	-	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000			-																	12V	80毫安						NPN		120@20mA，10V	8GHz			1.1dB ~ 2dB @ 1GHz
TK3R3E08QM,S1X	2.3500	询价	82	东芝半导体和存储	U-MOSX-H	管子	的积极		175℃	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		80V	120A（温度）	6V、10V	3.3毫欧@50A，10V	3.5V@1.3mA	110nC@10V	±20V	7670pF@40V	-	230W（温度）
CUS05F40,H3F	0.3000	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-76、SOD-323	CUS05F40	肖特基		南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0070	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													40V	810 毫伏 @ 500 毫安	40V时为15μA	150℃（最高）	500毫安	28pF @ 0V、1MHz
2SK2145-BL(TE85L,F	0.6800	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）	表面贴装	SC-74A、SOT-753	2SK2145		300毫W	SMV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000		2 个 N 沟道（双）									13pF@10V											6毫安@10伏	200毫伏@100纳安
2SC2712-Y,LF	0.2100	询价	4409	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SC2712		150毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																				50V	150毫安			100nA（ICBO）			NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
SSM3J144TU,LXHF	0.4300	询价	5	东芝半导体和存储	汽车、AEC-Q101、U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	3-SMD，写入		MOSFET（金属O化物）		UFM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道		20V	3.2A（塔）	1.5V、4.5V	93毫欧@1.5A，4.5V	1V@1mA	4.7nC@4.5V	+6V、-8V	290pF@10V	-	500毫W（塔）
RN2410,LXHF	0.0645	询价	7556	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2410		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																				50V	100毫安			100nA（ICBO）			PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	4.7欧姆
2SK4017(Q)	-	询价	1117	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	2SK4017	MOSFET（金属O化物）		PW-模具2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	200		N沟道		60V	5A（塔）	4V、10V	100mOhm@2.5A，10V	2.5V@1mA	15nC@10V	±20V	730pF@10V	-	20W（温度）
SSM3K37CT，L3F	0.2900	询价	3	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SC-101、SOT-883	SSM3K37	MOSFET（金属O化物）		CST3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	10,000		N沟道		20V	200mA（塔）	1.5V、4.5V	2.2欧姆@100mA，4.5V	1V@1mA		±10V	12pF@10V	-	100毫W（塔）
TK6A45DA(STA4,Q,M)	1.2500	询价	50	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK6A45	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		450伏	5.5A（塔）	10V	1.35欧姆@2.8A，10V	4.4V@1mA	11nC@10V	±30V	490pF@25V	-	-
XPJR6604PB,LXHQ	2.7700	询价	第1489章	东芝半导体和存储	汽车、AEC-Q101、U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极		175℃	表面贴装	5-PowerSFN		MOSFET（金属O化物）		S-TOGL™	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道		40V	200A（塔）	6V、10V	0.66毫欧@100A，10V	3V@1mA	128nC@10V	±20V	11380pF@10V	-	375W（温度）
2SC5201,T6F(J	-	询价	4968	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC5201		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	1																				600伏	50毫安			1μA（ICBO）			NPN	1V@500mA、20mA	100@20mA，5V	-
RN2118(T5L,F,T)	-	询价	7756	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2118		100毫W	SSM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																				50V	100毫安			500纳安			PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	47欧姆	10欧姆
RN2303(TE85L,F)	0.2700	询价	第367章	东芝半导体和存储	-	切带 (CT)	的积极			表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2303		100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																				50V	100毫安			500纳安			PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	22欧姆	22欧姆
RN1703,LF	0.3100	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	RN1703		200毫W	无人艇	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																				50V	100毫安			500纳安			2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	22k欧姆	22k欧姆
RN2911(T5L,F,T)	-	询价	5354	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN2911		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																				50V	100毫安			100nA（ICBO）			2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	10k欧姆	-
TPCC8105,L1Q	0.8200	询价	3350	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘		MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.3x3.3)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	5,000		P沟道		30V	23A（塔）	4.5V、10V	7.8毫欧@11.5A，10V	2V@500μA	76nC@10V	+20V，-25V	10V时为3240pF	-	700mW（Ta）、30W（Tc）
CRS13(TE85L,Q,M)	0.4500	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOD-123F	CRS13	肖特基		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													60V	550毫伏@1安	50μA@60V	150℃（最高）	1A	40pF@10V、1MHz
SSM3K35CT，L3F	0.3200	询价	13	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	SC-101、SOT-883	SSM3K35	MOSFET（金属O化物）		CST3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	10,000		N沟道		20V	180mA（塔）	1.2V、4V	3欧姆@50mA，4V	1V@1mA		±10V	9.5pF@3V	-	100毫W（塔）
2SC2235-O(T6FJT,AF	-	询价	2992	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2235		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	1																				120V	800毫安			100nA（ICBO）			NPN	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
TK8A65W,S5X	1.7800	询价	50	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK8A65	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		650伏	7.8A（塔）	10V	650毫欧@3.9A，10V	3.5V@300μA	16nC@10V	±30V	570 pF @ 300 V	-	30W（温度）
2SA1930,CKQ(J	-	询价	9881	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1930		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0075	1																				180伏	2A			5μA（ICBO）			国民党	1V@100mA，1A	100@100mA，5V	200兆赫
TK2P60D(TE16L1,NQ)	-	询价	2671	东芝半导体和存储	π-MOSVII	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK2P60	MOSFET（金属O化物）		PW-模具	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道		600伏	2A（塔）	10V	4.3欧姆@1A，10V	4.4V@1mA	7nC@10V	±30V	280pF@25V	-	60W（温度）
SSM6K781G，LF	0.5100	询价	850	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	6-UFBGA、WLCSP	SSM6K781	MOSFET（金属O化物）		6-WCSPC (1.5x1.0)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		12V	7A（塔）	1.5V、4.5V	18毫欧@1.5A，4.5V	1V@250μA	5.4nC@4.5V	±8V	6V时600pF	-	1.6W（塔）
CMZ16(TE12L,Q,M)	0.5400	询价	4384	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	±10%	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	SOD-128	CMZ16		2W	M-平 (2.4x3.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.10.0050	3,000															1.2V@200mA	11V时为10μA									16V	30欧姆
RN1110(T5L,F,T)	-	询价	5975	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1110		100毫W	SSM	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																				50V	100毫安			100nA（ICBO）			NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	4.7欧姆
TK25A20D,S5X	1.7900	询价	40	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		150℃	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		200V	25A（塔）	10V	70毫欧@12.5A，10V	3.5V@1mA	60nC@10V	±20V	2550pF@100V	-	45W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²