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离散半导体产品（（2909）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
RN1416，LF	0.2000	RFQ	5	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	RN1416		200兆	S-Mini	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																					50 V	100 ma			500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	50 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	10 kohms
2SA1931，NSEIKIQ（j。	-	RFQ	5094	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SA1931		2 w	TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1																					50 V	5 a			1µA（ICBO）	PNP	400mv @ 200mA，2a	100 @ 1A，1V	60MHz
TPHR9203PL，L1Q	1.6300	RFQ	8	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPHR9203	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道	30 V	150a（TC）	4.5V，10V		2.1V @ 500µA	80 NC @ 10 V	±20V	7540 pf @ 15 V	-	132W（TC）
2SA1761，f（j	-	RFQ	6832	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA1761		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																					50 V	3 a			100NA（ICBO）	PNP	500MV @ 75mA，1.5a	120 @ 100mA，2V	100MHz
tpc8134，lq（s	0.7300	RFQ	2	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPC8134	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道	40 V	5A（5A）	4.5V，10V	52MOHM @ 2.5A，10V	2V @ 100µA	20 nc @ 10 V	+20V，-25V	890 pf @ 10 V	-	1W（ta）
RN2610（TE85L，F）	0.4800	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-74，SOT-457	RN2610		300MW	SM6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																					50V	100mA			100NA（ICBO）	2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	200MHz	4.7kohms	-
SSM6N62TU，LXHF	0.4600	RFQ	1	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6N62	MOSFET （金属 o化物）	500MW（TA）	UF6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			20V	800mA（ta）		85MOHM @ 800mA，4.5V	1V @ 1mA	2NC @ 4.5V		177pf @ 10V	逻辑级别门，1.2V驱动器
2SC2235-y t6canofm	-	RFQ	1780年	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC2235		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）	2SC2235YT6CANOFM	Ear99	8541.21.0075	1																					120 v	800 MA			100NA（ICBO）	NPN	1V @ 50mA，500mA	80 @ 100mA，5V	120MHz
SSM3K7002KFU，LXH	0.4000	RFQ	5	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	SC-70，SOT-323		MOSFET （金属 o化物）		USM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	60 V	400mA（TA）	4.5V，10V	1.5OHM @ 100mA，10v	2.1V @ 250µA	0.6 NC @ 4.5 V	±20V	40 pf @ 10 V	-	150MW（TA）
2SC5886A，L1XHQ（o	-	RFQ	7632	东芝半导体和存储	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				2SC5886				下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000
TK20J60U（f）	-	RFQ	2851	东芝半导体和存储	dtmosii	托盘	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	TK20J60	MOSFET （金属 o化物）		to-3p n（n）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	600 v	20A（TA）	10V	190mohm @ 10a，10v	5V @ 1mA	27 NC @ 10 V	±30V	1470 pf @ 10 V	-	190w（TC）
SSM6K781G，LF	0.5100	RFQ	850	东芝半导体和存储	U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，WLCSP	SSM6K781	MOSFET （金属 o化物）		6-WCSPC（1.5x1.0）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	12 v	7a（ta）	1.5V，4.5V	18mohm @ 1.5A，4.5V	1V @ 250µA	5.4 NC @ 4.5 V	±8V	600 pf @ 6 V	-	1.6W（TA）
RN2605（TE85L，F）	0.4700	RFQ	12	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-74，SOT-457	RN2605		300MW	SM6	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																					50V	100mA			100NA（ICBO）	2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz	2.2kohms	47kohms
SSM3K15F，LF	0.2300	RFQ	72	东芝半导体和存储	π-mosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SSM3K15	MOSFET （金属 o化物）		S-Mini	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	30 V	（100mA）（TA）	2.5V，4V	4ohm @ 10mA，4V	1.5V @ 100µA		±20V	7.8 pf @ 3 V	-	200mw（ta）
2SA1943-O （S1，f	2.9200	RFQ	20	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	to-3pl			150 w	到3p（l）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	25																					230 v	15 a			5µA（ICBO）	PNP	3V @ 800mA，8a	80 @ 1A，5V	30MHz
RN1906FE，LF（ct	0.2400	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	RN1906		100MW	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000																					50V	100mA			500NA	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz	4.7kohms	47kohms
RN4901，LF	-	RFQ	2952	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN4901		200MW	US6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																					50V	100mA			500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	30 @ 10mA，5V	200MHz，250MHz	4.7kohms	4.7kohms
TK25N60X5，S1F	4.5900	RFQ	8939	东芝半导体和存储	DTMOSIV-H	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	TK25N60	MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	30			n通道	600 v	25A（TA）	10V	140MOHM @ 7.5A，10V	4.5V @ 1.2mA	60 NC @ 10 V	±30V	2400 PF @ 300 V	-	180W（TC）
TK14A65W5，S5X	2.8900	RFQ	4496	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK14A65	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	650 v	13.7A（TA）	10V	300mohm @ 6.9a，10v	4.5V @ 690µA	40 NC @ 10 V	±30V	1300 PF @ 300 V	-	40W（TC）
RN1108 （T5L，F，T）	0.2300	RFQ	1	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	RN1108		100兆	SSM	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000																					50 V	100 ma			500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	22 KOHMS	47科姆斯
TPCP8203（TE85L，F）	-	RFQ	5326	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	TPCP8203	MOSFET （金属 o化物）	360MW	PS-8（2.9x2.4）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			40V	4.7a		-	2.5V @ 1mA	-		-	-
2SC5201，t6muraf（j	-	RFQ	3172	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SC5201		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	1																					600 v	50 mA			1µA（ICBO）	NPN	1V @ 500mA，20mA	100 @ 20mA，5V	-
CBS10F40，L3F	0.4300	RFQ	10	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOD-882	CBS10F40	肖特基		CST2B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	10,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												40 V	700 mv @ 1 A		20 µA @ 40 V	150°C （最大）	1a	74pf @ 0v，1MHz
2SK3309（TE24L，Q）	-	RFQ	7505	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	2SK3309	MOSFET （金属 o化物）		TO-220SM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道	450 v	10a（10a）	10V	650MOHM @ 5A，10V	5V @ 1mA	23 NC @ 10 V	±30V	920 PF @ 10 V	-	65W（TC）
ULN2803AFWG，C，El	-	RFQ	4777	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	18-SOIC（0.295（7.50mm）	ULN2803		1.31W	18 SOP	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1,000																					50V	500mA			-	8 npn达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	1000 @ 350mA，2V	-
TK60P03M1，RQ s	-	RFQ	6408	东芝半导体和存储	U-Mosvi-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK60P03	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道	30 V	60a（ta）	4.5V，10V	6.4mohm @ 30a，10v	2.3V @ 500µA	40 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 10 V	-	63W（TC）
RN2108，LXHF（ct	0.3300	RFQ	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	RN2108		100兆	SSM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																					50 V	100 ma			500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200 MHz	22 KOHMS	47科姆斯
TRS12E65C，S1Q	-	RFQ	6681	东芝半导体和存储	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-2	TRS12E65	SIC （碳化硅）		TO-220-2L	-	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	50		没有恢复t> 500mA（IO）												650 v	1.7 V @ 12 A	0 ns	90 µA @ 170 V	175°c （最大）	12a	65pf @ 650V，1MHz
1SV282TPH3F	0.0886	RFQ	1657年	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	125°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	1SV282			ESC键	-	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	4,000																				3pf @ 25V，1MHz			单身的	34 v								12.5	C2/C25	-
CLS02（T6L，CLAR，Q），Q）	-	RFQ	2894	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		表面安装	l-flat™	CLS02	肖特基		l-flat™（4x5.5）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												40 V	550 mv @ 10 a		1 mA @ 40 V	-40°C〜125°C	10a	420pf @ 10V，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2909）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²