分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	当前 - 最大	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）	电压 - 击穿 (V(BR)GSS)	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电流 - 电极电极电流（最大）	电阻@If,F	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	电容比	电容比条件	Q@Vr，F
2SD2406-Y(女)	-	询价	9090	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SD2406		25W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50																								80V	4A						30μA（ICBO）		NPN	1.5V@300mA，3A	120@500mA，5V	8兆赫
TK39N60X,S1F	7.2100	询价	2761	东芝半导体和存储	DTMOSIV-H	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	TK39N60	MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30			N沟道		600伏	38.8A（塔）	10V	65毫欧@12.5A，10V	3.5V@1.9mA	85nC@10V	±30V	4100 pF @ 300 V	-	270W（温度）
RN2311(TE85L,F)	0.2700	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2311		100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																								50V	100毫安						100nA（ICBO）		PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	10欧姆
RN2409,LF	0.1900	询价	9037	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2409		200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																								50V	100毫安						500纳安		PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	47欧姆	22欧姆
CMH08(TE12L,Q,M)	-	询价	9412	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SOD-128	CMH08	标准		M-平 (2.4x3.8)	下载	符合RoHS标准		CMH08(TE12LQM)	EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														400V		1.3V@2A	100纳秒	400V时为10μA	-40℃～150℃	2A	-
1SV308(TH3,F)	-	询价	8277	东芝半导体和存储	-	切带 (CT)	过时的	125°C（太焦）		SC-79、SOD-523	1SV308			ESC键	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	4,000				50毫安																			0.5pF@1V、1MHz			PIN-单个	30V					1.5欧姆@10mA，100MHz
CMG03(TE12L,Q,M)	-	询价	2511	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SOD-128	CMG03	标准		M-平 (2.4x3.8)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	CMG03(TE12LQM)	EAR99	8541.10.0080	3,000		标准恢复 >500ns，>200mA (Io)														600伏		1.1V@2A		600V时为10μA	-40℃～150℃	2A	-
RN2404TE85LF	-	询价	6084	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2404		200毫W	S-迷你型	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																								50V	100毫安						500纳安		PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	47欧姆	47欧姆
2SC2655-Y,T6APNF(M	-	询价	3058	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2655		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																								50V	2A						1μA（ICBO）		NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
RN1101MFV，L3F	0.0261	询价	9895	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	不适合新设计		表面贴装	SOT-723	RN1101		150毫W	VESM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000																								50V	100毫安						500纳安		NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	30@10mA，5V		4.7欧姆	4.7欧姆
2SC2655-Y(TE6,F,M)	-	询价	1528	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2655		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																								50V	2A						1μA（ICBO）		NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹
SSM3J353F，LF	0.4900	询价	3	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SSM3J353	MOSFET（金属O化物）		S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			P沟道		30V	2A（塔）	4V、10V	150mOhm@2A，10V	2.2V@250μA	3.4nC@4.5V	+20V，-25V	159pF@15V	-	600毫W（塔）
SSM6J502NU，LF	0.4800	询价	3	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	SSM6J502	MOSFET（金属O化物）		6-UDFNB (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			P沟道		20V	6A（塔）	1.5V、4.5V	23.1毫欧@4A，4.5V	1V@1mA	24.8nC@4.5V	±8V	1800pF@10V	-	1W（塔）
SSM6N7002BFU，LF	-	询价	3756	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SSM6N7002	MOSFET（金属O化物）	300毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）				60V	200毫安		2.1欧姆@500mA，10V	3.1V@250μA	-		17pF@25V	逻辑电平门
RN1103MFV,L3XHF(CT	0.3400	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1103		150毫W	VESM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000																								50V	100毫安						500纳安		NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	70@10mA，5V		22欧姆	22欧姆
2SK2989,T6F(J	-	询价	7347	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SK2989			TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	1						5A（Tj）
TK15A60U(STA4,Q,M)	-	询价	1261	东芝半导体和存储	DTMOSII	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK15A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		600伏	15A（塔）	10V	300毫欧@7.5A，10V	5V@1mA	17nC@10V	±30V	950pF@10V	-	40W（温度）
2SA1586-Y,LF	0.1800	询价	53	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SA1586		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	150毫安						100nA（ICBO）		国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	80兆赫
1SS422(TE85L,F)	0.4000	询价	29	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	1SS422	肖特基		SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度													1对中央	30V	100毫安	500 毫伏 @ 100 毫安		30V时为50μA	125℃（最高）
TJ40S04M3L,LXHQ	1.0800	询价	9632	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TJ40S04	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000			P沟道		40V	40A（塔）	6V、10V	9.1毫欧@20A，10V	3V@1mA	83nC@10V	+10V，-20V	10V时为4140pF	-	68W（温度）
TK160F10N1,LXGQ	3.8300	询价	2	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	不适合新设计	175℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	TK160F10	MOSFET（金属O化物）		TO-220SM(W)	下载		3（168小时）		EAR99	8541.21.0095	1,000			N沟道		100V	160A（塔）	10V	2.4毫欧@80A，10V	4V@1mA	121nC@10V	±20V	10V时为8510pF	-	375W（温度）
2SK880-BL(TE85L,F)	0.5900	询价	14	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SK880		100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道									13pF@10V																50V	6毫安@10伏	1.5V@100nA
SSM3J331R，LF	0.4500	询价	23	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3J331	MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			P沟道		20V	4A（塔）	1.5V、4.5V	55mOhm@3A，4.5V	1V@1mA	10.4nC@4.5V	±8V	630pF@10V	-	1W（塔）
1SV229TPH3F	0.3800	询价	9260	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-76、SOD-323	1SV229			南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000																							6.5pF@10V、1MHz			单身的	15V												2.5	C2/C10	-
TPN3300ANH、LQ	0.9000	询价	7	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN3300	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.3x3.3)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道		100V	9.4A（温度）	10V	33毫欧@4.7A，10V	4V@100μA	11nC@10V	±20V	880pF@50V	-	700mW（Ta）、27W（Tc）
BAS316、H3F	0.1800	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-76、SOD-323	BAS316	标准		南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														100V		1.25V@150mA	3纳秒	80V时为200nA	150℃（最高）	250毫安	0.35pF @ 0V、1MHz
SSM6K516NU，LF	0.4100	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	SSM6K516	MOSFET（金属O化物）		6-UDFNB (2x2)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道		30V	6A（塔）	4.5V、10V	46毫欧@4A，10V	2.5V@100μA	2.5nC@4.5V	+20V，-12V	280pF@15V	-	1.25W（塔）
RN2308,LXHF	0.3900	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2308		100毫W	SC-70	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																								50V	100毫安						500纳安		PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	22欧姆	47欧姆
2SD2257(CANO,A,Q)	-	询价	7754	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SD2257		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1																								100V	3A						10μA（ICBO）		NPN	1.5V@1.5mA，1.5A	2000 @ 2A、2V	-
2SA1943-O(S1,F	2.9200	询价	20	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3PL			150W	TO-3P(L)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	25																								230伏	15A						5μA（ICBO）		国民党	3V@800mA，8A	80@1A，5V	30兆赫兹

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²