分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	当前 - 最大	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	电阻@If,F	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
TK80S06K3L(T6L1,NQ	-	询价	7483	东芝半导体和存储	U-MOSIV	卷带式 (TR)	过时的	175°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK80S06	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	-	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000			N沟道		60V	80A（塔）	6V、10V	5.5毫欧@40A，10V	3V@1mA	85nC@10V	±20V	4200pF@10V	-	100W（温度）
TK11A45D(STA4,Q,M)	1.8600	询价	50	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK11A45	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		450伏	11A（塔）	10V	620毫欧@5.5A，10V	4V@1mA	20nC@10V	±30V	1050pF@25V	-	40W（温度）
SSM3K7002CFU，LF	0.1800	询价	33	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	SSM3K7002	MOSFET（金属O化物）		USM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道		60V	170毫安（塔）	4.5V、10V	3.9欧姆@100mA，10V	2.1V@250μA	0.35nC@4.5V	±20V	17pF@10V	-	150毫W（塔）
2SC2383-O(T6OMI,FM	-	询价	4250	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2383		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																								160伏	1A			1μA（ICBO）		NPN	1.5V@50mA、500mA	60@200mA，5V	100兆赫兹
HN4D02JU(TE85L,F)	0.0721	询价	5848	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	HN4D02	标准		无人艇	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度													1对共轴线	80V	100毫安	1.2V@100mA	1.6纳秒	80V时为500nA	150℃（最高）
TPH3R70APL,L1Q	1.6400	询价	1	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH3R70	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000			N沟道		100V	90A（温度）	4.5V、10V	3.7毫欧@45A，10V	2.5V@1mA	67nC@10V	±20V	6300pF@50V	-	960mW（Ta）、170W（Tc）
RN49A1(T5L,F,T)	-	询价	6337	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN49A1		200毫W	美国6号	-		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	100毫安			100nA（ICBO）		1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
CRS14(TE85L,Q,M)	0.1462	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOD-123F	CRS14	肖特基		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														30V		490 毫伏 @ 2 安		30V时为50μA	-40℃～150℃	2A	90pF@10V，1MHz
CLS03(TE16L、PCD、Q)	-	询价	5355	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		表面贴装	L-薄™	CLS03	肖特基		L-FLAT™ (4x5.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														60V		580毫伏@10安		1毫安@60伏	-40℃～125℃	10A	345pF@10V、1MHz
TK3R1P04PL,RQ	1.1600	询价	14	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK3R1P04	MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,500人			N沟道		40V	58A（温度）	4.5V、10V	3.1毫欧@29A，10V	2.4V@500μA	60nC@10V	±20V	4670pF@20V	-	87W（温度）
2SA1869-Y,Q(J	-	询价	3028	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1869		10W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																								50V	3A			1μA（ICBO）		国民党	600mV@200mA，2A	70@500mA，2V	100兆赫兹
CRG01(TE85L,Q,M)	-	询价	9551	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SOD-123F	CRG01	标准		S-平面 (1.6x3.5)	-	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000		标准恢复 >500ns，>200mA (Io)														100V		1.1V@700mA		10μA@100V	-40℃～150℃	700毫安	-
2SK2962,T6WNLF(米	-	询价	5951	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SK2962			TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	1						1A（Tj）
RN2504(TE85L,F)	0.4800	询价	第247章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74A、SOT-753	RN2504		300毫W	SMV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	100毫安			100nA（ICBO）		2 PNP - 预偏置（双）（发射极耦合）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	47k欧姆	47k欧姆
2SA1362-GR，LF	0.4000	询价	7	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2SA1362		200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																								15V	800毫安			100nA（ICBO）		国民党	200mV@8mA、400mA	200@100mA，1V	120兆赫
RN2114MFV，L3F	0.2000	询价	7888	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN2114		150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000																								50V	100毫安			500纳安		PNP - 预偏置	300mV@500μA，5mA	50@10mA，5V		1欧姆	10欧姆
SSM6N58NU，LF	0.4600	询价	139	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	SSM6N58	MOSFET（金属O化物）	1W	6-UDFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）				30V	4A		84毫欧@2A，4.5V	1V@1mA	1.8nC@4.5V		129pF@15V	逻辑电平门，1.8V驱动
TDTC143Z,LM	0.1800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	TDTC143		320毫W	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																								50V	100毫安			500纳安		NPN - 预偏置	300mV@500μA，10mA	80@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆
2SA1930(Q,M)	-	询价	3597	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1930		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	500																								180伏	2A			5μA（ICBO）		国民党	1V@100mA，1A	100@100mA，5V	200兆赫
TK4P55D(T6RSS-Q)	-	询价	5025	东芝半导体和存储	π-MOSVII	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK4P55	MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	TK4P55DT6RSSQ	EAR99	8541.29.0095	2,000			N沟道		550伏	4A（塔）	10V	1.88欧姆@2A，10V	4.4V@1mA	11nC@10V	±30V	490pF@25V	-	80W（温度）
1SS381，L3F	0.0540	询价	6469	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	125°C（太焦）		SC-79、SOD-523	1SS381			ESC键	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	8,000				100毫安																			1.2pF@6V、1MHz			PIN-单个	30V		900mOhm@2mA，100MHz
RN2904FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN2904		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																								50V	100毫安			500纳安		2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	47k欧姆	47k欧姆
RN1108(T5L,F,T)	0.2300	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1108		100毫W	SSM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																								50V	100毫安			500纳安		NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	22欧姆	47欧姆
TPCA8023-H(TE12LQM	-	询价	3367	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8023	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道		30V	21A（塔）	4.5V、10V	12.9毫欧@11A，10V	2.5V@1mA	21nC@10V	±20V	2150pF@10V	-	1.6W（Ta）、30W（Tc）
RN1306,LXHF	0.3900	询价	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1306		100毫W	SC-70	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	100毫安			500纳安		NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	4.7欧姆	47欧姆
1SS360(T5L,F,T)	-	询价	2413	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-75、SOT-416	1SS360	标准		SSM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度													1对共阳极	80V	100毫安	1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	125℃（最高）
RN2424(TE85L,F)	0.4100	询价	5	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2424		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																								50V	800毫安			500纳安		PNP - 预偏置	250mV@1mA、50mA	90@100mA，1V	200兆赫	10欧姆	10欧姆
RN2408,LXHF	0.3400	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2408		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	100毫安			500纳安		PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	22欧姆	47欧姆
RN2402，低频	0.2200	询价	6149	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2402		200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																								50V	100毫安			500纳安		PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	10欧姆	10欧姆
RN1704，LF	0.3000	询价	210	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	RN1704		200毫W	无人艇	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																								50V	100毫安			500纳安		2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	47k欧姆	47k欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²