分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）	电容比	电容比条件	Q@Vr，F
TPCA8062-H,LQ(CM	-	询价	4497	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8062	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道		30V	28A（塔）	4.5V、10V	5.6毫欧@14A，10V	2.3V@300μA	34nC@10V	±20V	2900pF@10V	-	1.6W（Ta）、42W（Tc）
RN1307,LF	0.2200	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1307		100毫W	SC-70	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																								50V	100毫安			500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	10欧姆	47欧姆
RN1907FE,LF(CT	0.2700	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN1907		100毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																								50V	100毫安			100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	10k欧姆	47k欧姆
SSM3K15AMFV，L3F	0.2900	询价	84	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-723	SSM3K15	MOSFET（金属O化物）		VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000			N沟道		30V	100mA（塔）	2.5V、4V	3.6欧姆@10mA，4V	1.5V@100μA		±20V	13.5pF@3V	-	150毫W（塔）
2SC2705-O(TPE6,F)	-	询价	4015	东芝半导体和存储	-	胶带和盒子 (TB)	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2705		800毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																								150伏	50毫安			100nA（ICBO）	NPN	1V@1mA、10mA	80@10mA，5V	200兆赫
HN1C01F-GR(TE85L,F	-	询价	7146	东芝半导体和存储	-	切带 (CT)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	HN1C01		300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																								50V	150毫安			100nA（ICBO）	2 NPN（双）	250毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	800兆赫
CRS15I30A(TE85L,QM	0.4500	询价	4972	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOD-123F	CRS15I30	肖特基		S-平面 (1.6x3.5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	3,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														30V		460毫伏@1.5安		30V时为60μA	150℃（最高）	1.5A	50pF@10V，1MHz
TTC5460B,Q(S	-	询价	9144	东芝半导体和存储	*	管子	的积极				TTC5460				下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	250
TK4A60D(STA4,Q,M)	-	询价	6275	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK4A60	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		600伏	4A（塔）	10V	1.7欧姆@2A，10V	4.4V@1mA	12nC@10V	±30V	600pF@25V	-	35W（温度）
SSM3K37FS,LF	0.2300	询价	122	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	的积极	150℃（TA）	表面贴装	SC-75、SOT-416	SSM3K37	MOSFET（金属O化物）		SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道		20V	200mA（塔）	1.5V、4.5V	2.2欧姆@100mA，4.5V	1V@1mA		±10V	12pF@10V	-	100毫W（塔）
RN1131MFV(TL3,T)	0.2100	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1131		150毫W	VESM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000																								50V	100毫安			100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	120@1mA，5V		100欧姆
TK20J60U(女)	-	询价	2851	东芝半导体和存储	DTMOSII	托盘	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	TK20J60	MOSFET（金属O化物）		TO-3P(N)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		600伏	20A（塔）	10V	190毫欧@10A，10V	5V@1mA	27nC@10V	±30V	10V时为1470pF	-	190W（温度）
2SC4738-GR，LF	0.2000	询价	13	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416	2SC4738		100毫W	SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	150毫安			100nA（ICBO）	NPN	250毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	80兆赫
RN2903FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN2903		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																								50V	100毫安			500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	200兆赫	22k欧姆	22k欧姆
JDV2S10FS(TPL3)	0.4100	询价	第398章	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	2-SMD，写入	JDV2S10			森林管理委员会	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	10,000																							3.4pF@2.5V，1MHz			单身的	10V									2.55	C0.5/C2.5	-
RN4906，LF	0.2800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4906		200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																								50V	100毫安			500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	4.7k欧姆	47k欧姆
TK60P03M1,RQ(S	-	询价	6408	东芝半导体和存储	U-MOSVI-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK60P03	MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000			N沟道		30V	60A（塔）	4.5V、10V	6.4毫欧@30A，10V	2.3V@500μA	40nC@10V	±20V	2700pF@10V	-	63W（温度）
T2N7002BK,LM	0.1700	询价	187	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	T2N7002	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道		60V	400mA（塔）	4.5V、10V	1.5欧姆@100mA，10V	2.1V@250μA	0.6nC@4.5V	±20V	40pF@10V	-	320毫W（塔）
SSM6L36TU,LF	0.3800	询价	14	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6L36	MOSFET（金属O化物）	500毫W（塔）	六氯化铀	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 和 P 沟道				20V	500mA（塔）、330mA（塔）		630mOhm @ 200mA, 5V, 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V	1V@1mA	1.23nC@4V，1.2nC@4V		10V时为46pF，10V时为43pF	逻辑电平门，1.5V驱动
TPCC8105,L1Q(CM	-	询价	1963年	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TPCC8105	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.3x3.3)	-		1（无限制）	264-TPCC8105L1Q(CMTR	EAR99	8541.29.0095	5,000			P沟道		30V	23A（塔）	4.5V、10V	7.8毫欧@11.5A，10V	2V@500μA	76nC@10V	+20V，-25V	10V时为3240pF	-	700mW（Ta）、30W（Tc）
2SC5085-Y(TE85L,F)	-	询价	3125	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	125°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	2SC5085		100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000				11分贝～16.5分贝																				12V	80毫安				NPN		120@20mA，10V	7GHz			1.1dB@1GHz
SSM6N357R，LF	0.4100	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6N357	MOSFET（金属O化物）	1.5W（塔）	6-TSOP-F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）				60V	650mA（塔）		1.8欧姆@150mA，5V	2V@1mA	1.5nC@5V		60pF@12V	-
RN1132MFV，L3F	0.1800	询价	2506	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN1132		150毫W	VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000																								50V	100毫安			100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@500μA，5mA	120@1mA，5V		200欧姆
RN1101,LF(CT	0.2000	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1101		100毫W	SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																								50V	100毫安			500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	4.7欧姆
TK80S06K3L(T6L1,NQ	-	询价	7483	东芝半导体和存储	U-MOSIV	卷带式 (TR)	过时的	175°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK80S06	MOSFET（金属O化物）		DPAK+	-	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000			N沟道		60V	80A（塔）	6V、10V	5.5毫欧@40A，10V	3V@1mA	85nC@10V	±20V	4200pF@10V	-	100W（温度）
TK11A45D(STA4,Q,M)	1.8600	询价	50	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK11A45	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		450伏	11A（塔）	10V	620毫欧@5.5A，10V	4V@1mA	20nC@10V	±30V	1050pF@25V	-	40W（温度）
SSM3K7002CFU，LF	0.1800	询价	33	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	SSM3K7002	MOSFET（金属O化物）		USM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			N沟道		60V	170毫安（塔）	4.5V、10V	3.9欧姆@100mA，10V	2.1V@250μA	0.35nC@4.5V	±20V	17pF@10V	-	150毫W（塔）
2SC2383-O(T6OMI,FM	-	询价	4250	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2383		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																								160伏	1A			1μA（ICBO）	NPN	1.5V@50mA、500mA	60@200mA，5V	100兆赫兹
HN4D02JU(TE85L,F)	0.0721	询价	5848	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	HN4D02	标准		无人艇	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度													1对共轴线	80V	100毫安	1.2V@100mA	1.6纳秒	80V时为500nA	150℃（最高）
TPH3R70APL,L1Q	1.6400	询价	1	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH3R70	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000			N沟道		100V	90A（温度）	4.5V、10V	3.7毫欧@45A，10V	2.5V@1mA	67nC@10V	±20V	6300pF@50V	-	960mW（Ta）、170W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²