分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	电容比	电容比条件	Q@Vr，F
SSM3J307T(TE85L,F)	-	询价	9193	东芝半导体和存储	U-MOSV	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	SSM3J307	MOSFET（金属O化物）		TSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			P沟道	20V	5A（塔）	1.5V、4.5V	31毫欧@4A，4.5V	1V@1mA	19nC@4.5V	±8V	1170pF@10V	-	700毫W（塔）
SSM3K376R，LF	0.4300	询价	54	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SOT-23-3 读写	SSM3K376	MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道	30V	4A（塔）	1.8V、4.5V	56mOhm@2A，4.5V	1V@1mA	2.2nC@4.5V	+12V、-8V	200pF@10V	-	2W（塔）
TK125V65Z,LQ	4.9000	询价	7993	东芝半导体和存储	DTMOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	4-VSFN 裸露焊盘	TK125V65	MOSFET（金属O化物）		4-DFN-EP (8x8)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）		EAR99	8541.29.0095	2,500人			N沟道	650伏	24A（塔）	10V	125毫欧@12A，10V	4V@1.02mA	40nC@10V	±30V	2250 pF @ 300 V	-	190W（温度）
2SJ438,MDKQ(米	-	询价	6890	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		通孔	TO-220-3全包	2SJ438			TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1					5A（Tj）
CCS15F40,L3F	0.4800	询价	49	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	2-SMD，无铅	CCS15F40	肖特基		CST2C	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	10,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													40V		640毫伏@1.5安		40V时为25μA	150℃（最高）	1.5A	130pF @ 0V、1MHz
1SS308(TE85L,F	0.4300	询价	15	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-74A、SOT-753	1SS308	标准		SMV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度												4共阳极	80V	100毫安	1.2V@100mA	4纳秒	80V时为500nA	125℃（最高）
TPH3R003PL,LQ	0.9900	询价	3	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH3R003	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000			N沟道	30V	88A（温度）	4.5V、10V	4.2毫欧@44A，4.5V	2.1V@300μA	50nC@10V	±20V	15V时为3825pF	-	90W（温度）
SSM6N48FU，射频（D	-	询价	1977年	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	SSM6N48	MOSFET（金属O化物）	300毫W	美国6号	下载		1（无限制）	SSM6N48FURF(D	EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）			30V	100mA（塔）		3.2欧姆@10mA，4V	1.5V@100μA	-		15.1pF@3V	逻辑电平门，2.5V驱动
TK160F10N1L,LXGQ	3.7000	询价	4476	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	TK160F10	MOSFET（金属O化物）		TO-220SM(W)	-		3（168小时）		EAR99	8541.29.0095	1,000			N沟道	100V	160A（塔）	6V、10V	2.4毫欧@80A，10V	3.5V@1mA	122nC@10V	±20V	10V时为10100pF	-	375W（温度）
TK14E65W5,S1X	3.0200	询价	15	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK14E65	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	650伏	13.7A（塔）	10V	300毫欧@6.9A，10V	4.5V@690μA	40nC@10V	±30V	1300 pF @ 300 V	-	130W（温度）
TK35A65W5,S5X	6.3000	询价	7564	东芝半导体和存储	DTMOSIV	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK35A65	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	650伏	35A（塔）	10V	95毫欧@17.5A，10V	4.5V@2.1mA	115nC@10V	±30V	4100 pF @ 300 V	-	50W（温度）
SSM3K15ACTC，L3F	0.3200	询价	2	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SC-101、SOT-883	SSM3K15	MOSFET（金属O化物）		CST3C	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000			N沟道	30V	100mA（塔）	2.5V、4V	3.6欧姆@10mA，4V	1.5V@100μA		±20V	13.5pF@3V	-	500毫W（塔）
TW140N120C,S1F	11.3700	询价	10	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	175℃	通孔	TO-247-3		SiCFET（碳化硅）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30			N沟道	1200伏	20A（温度）	18V	182毫欧@10A，18V	5V@1mA	24nC@18V	+25V，-10V	800V时为691pF	-	107W（温度）
TK6A50D(STA4,Q,M)	1.3700	询价	50	东芝半导体和存储	π-MOSVII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK6A50	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	500V	6A（塔）	10V	1.4欧姆@3A，10V	4.4V@1mA	11nC@10V	±30V	540pF@25V	-	35W（温度）
RN2401,LF	0.2200	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2401		200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																							50V	100毫安			500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	200兆赫	4.7欧姆	4.7欧姆
RN2108,LXHF(CT	0.3300	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2108		100毫W	SSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																							50V	100毫安			500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	22欧姆	47欧姆
TK380A65Y,S4X	1.8300	询价	95	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	150℃	通孔	TO-220-3全包	TK380A65	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道	650伏	9.7A（温度）	10V	380毫欧@4.9A，10V	4V@360μA	20nC@10V	±30V	590 pF @ 300 V	-	30W（温度）
SSM3J140TU，LF	0.4700	询价	2	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	3-SMD，写入	SSM3J140	MOSFET（金属O化物）		UFM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			P沟道	20V	4.4A（塔）	1.5V、4.5V	25.8毫欧@4A，4.5V	1V@1mA	24.8nC@4.5V	+6V、-8V	1800pF@10V	-	500毫W（塔）
2SA1931,博世Q(J	-	询价	2292	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1931		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																							50V	5A			1μA（ICBO）	国民党	400mV@200mA，2A	100 @ 1A、1V	60兆赫
TW027N65C,S1F	22.7000	询价	4982	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	175℃	通孔	TO-247-3		SiCFET（碳化硅）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30			N沟道	650伏	58A（温度）	18V	37毫欧@29A，18V	5V@3mA	65nC@18V	+25V，-10V	2288 pF @ 400 V	-	156W（温度）
RN1111,LXHF(CT	0.3300	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1111		100毫W	SSM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																							50V	100毫安			100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	10欧姆
TPN4R712MD,L1Q	0.8500	询价	4	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN4R712	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000			P沟道	20V	36A（温度）	2.5V、4.5V	4.7毫欧@18A，4.5V	1.2V@1mA	65nC@5V	±12V	4300pF@10V	-	42W（温度）
TK28V65W5,LQ	5.5700	询价	4	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	4-VSFN 裸露焊盘	TK28V65	MOSFET（金属O化物）		4-DFN-EP (8x8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,500人			N沟道	650伏	27.6A（塔）	10V	140毫欧@13.8A，10V	4.5V@1.6mA	90nC@10V	±30V	3000 pF @ 300 V	-	240W（温度）
SSM6P35AFE，LF	0.4200	询价	10	东芝半导体和存储	U-MOSVII	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6P35	MOSFET（金属O化物）	150毫W（塔）	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000	2 个 P 沟道（双）			20V	250mA（塔）		1.4欧姆@150mA，4.5V	1V@100μA	-		42pF@10V	逻辑电平门，1.2V驱动
XPH2R106NC,L1XHQ	2.1700	询价	9	东芝半导体和存储	汽车、AEC-Q101、U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-SOIC（0.197英寸，5.00毫米宽）	XPH2R106	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000			N沟道	60V	110A（塔）		2.1毫欧@55A，10V	2.5V@1mA	10V时为104nC	±20V	6900pF@10V	-	960mW（Ta）、170W（Tc）
1SS367，H3F	0.2000	询价	63	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-76、SOD-323	1SS367	肖特基		南加州大学	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	3,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度													10V		500 毫伏 @ 100 毫安		10V时为20μA	125℃（最高）	100毫安	40pF @ 0V、1MHz
1SS427，L3M	0.2700	询价	55	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOD-923	1SS427	标准		SOD-923	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	10,000		小信号=< 200mA (Io)，任意速度													80V		1.2V@100mA	1.6纳秒	80V时为500nA	-55℃～150℃	100毫安	0.3pF @ 0V、1MHz
RN2104MFV，L3F	-	询价	2607	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN2104		150毫W	VESM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	RN2104MFVL3F	EAR99	8541.21.0075	8,000																							50V	100毫安			500纳安	PNP - 预偏置	300mV@500μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	47欧姆	47欧姆
1SV279，H3F	0.4800	询价	1082	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-79、SOD-523	1SV279			ESC键	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	4,000																						6.5pF@10V、1MHz			单身的	15V								2.5	C2/C10	-
CCS15S30，L3QUF	-	询价	1834年	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	2-SMD，无铅	CCS15S30	肖特基		CST2C	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	10,000		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													20V		400毫伏@1安		30V时为500μA	125℃（最高）	1.5A	200pF @ 0V、1MHz

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²