分立半导体产品(2909)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
2SC5171(LBS2MATQ,M	-	询价	8910	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SC5171		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																					180伏	2A	5μA（ICBO）	NPN	1V@100mA，1A	100@100mA，5V	200兆赫
RN1405,LXHF	0.3400	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1405		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																					50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	2.2欧姆	47欧姆
SSM3K37FS,LF	0.2300	询价	122	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	的积极	150℃（TA）	表面贴装	SC-75、SOT-416	SSM3K37	MOSFET（金属O化物）		SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道		20V	200mA（塔）	1.5V、4.5V	2.2欧姆@100mA，4.5V	1V@1mA		±10V	12pF@10V	-	100毫W（塔）
SSM3K15AMFV，L3F	0.2900	询价	84	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-723	SSM3K15	MOSFET（金属O化物）		VESM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000		N沟道		30V	100mA（塔）	2.5V、4V	3.6欧姆@10mA，4V	1.5V@100μA		±20V	13.5pF@3V	-	150毫W（塔）
2SA965-Y,F(J	-	询价	3433	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA965		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																					120V	800毫安	100nA（ICBO）	国民党	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
HN1C01F-GR(TE85L,F	-	询价	7146	东芝半导体和存储	-	切带 (CT)	的积极	125°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	HN1C01		300毫W	SM6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																					50V	150毫安	100nA（ICBO）	2 NPN（双）	250毫伏@10毫安，100毫安	120@2mA，6V	800兆赫
2SC2705-O(TPE6,F)	-	询价	4015	东芝半导体和存储	-	胶带和盒子 (TB)	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2705		800毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																					150伏	50毫安	100nA（ICBO）	NPN	1V@1mA、10mA	80@10mA，5V	200兆赫
CES520，L3F	0.1800	询价	16	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-79、SOD-523	CES520	肖特基		ESC键	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0070	8,000	小信号=< 200mA (Io)，任意速度													30V	600 毫伏 @ 200 毫安		30V时为5μA	125℃（最高）	200毫安	17pF@0V、1MHz
RN2101ACT(TPL3)	-	询价	7160	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN2101		100毫W	CST3	-		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000																					50V	80毫安	500纳安	PNP - 预偏置	150mV@500μA，5mA	30@10mA，5V		4.7欧姆	4.7欧姆
RN2310(TE85L,F)	0.0474	询价	6131	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN2310		100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																					50V	100毫安	100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	4.7欧姆
TPHR6503PL1,LQ	2.2000年	询价	24	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerTDFN		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5.75)	-		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	150A（温度）	4.5V、10V	0.65mOhm@50A，10V	2.1V@1mA	110nC@10V	±20V	10000pF@15V	-	960mW（Ta）、210W（Tc）
TK4R4P06PL,RQ	1.4500	询价	1	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK4R4P06	MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		60V	58A（温度）	4.5V、10V	4.4毫欧@29A，10V	2.5V@500μA	48.2nC@10V	±20V	3280pF@30V	-	87W（温度）
SSM6J505NU，LF	0.5100	询价	19号	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	SSM6J505	MOSFET（金属O化物）		6-UDFNB (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		12V	12A（塔）	1.2V、4.5V	12毫欧@4A，4.5V	1V@1mA	4.5V时为37.6nC	±6V	2700pF@10V	-	1.25W（塔）
TRS12E65F,S1Q	5.4900	询价	3	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		通孔	TO-220-2	TRS12E65	SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2L	-	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	50	无恢复T>500mA(Io)													650伏	1.7V@12A	0纳秒	650V时为90μA	175℃（最高）	12A	65pF@650V，1MHz
RN4901(T5L,F,T)	-	询价	4562	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4901		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																					50V	100毫安	500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	200兆赫、250兆赫	4.7k欧姆	4.7k欧姆
2SC6000(TE16L1,NQ)	-	询价	4731	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	2SC6000		20W	PW-模具	-			264-2SC6000(TE16L1NQ)TR	EAR99	8541.29.0095	2,000																					50V	7A	100nA（ICBO）	NPN	180mV@83mA，2.5A	250@2.5A，2V	-
TK50P04M1(T6RSS-Q)	-	询价	3751	东芝半导体和存储	U-MOSVI-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK50P04	MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道		40V	50A（塔）	4.5V、10V	8.7毫欧@25A，10V	2.3V@500μA	38nC@10V	±20V	2600pF@10V	-	60W（温度）
HN3C51F-GR(TE85L,F	-	询价	3368	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	HN3C51		300毫W	SM6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000																					120V	100毫安	100nA（ICBO）	2 NPN（双）	300mV@1mA、10mA	200@2mA，6V	100兆赫兹
RN4905FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4905		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																					50V	100毫安	500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫、250兆赫	2.2k欧姆	47k欧姆
2SA1429-Y(T2OMI,FM	-	询价	3230	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SA1429		1W	MSTM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																					80V	2A	1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	80兆赫
MT3S20TU(TE85L)	-	询价	2541	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，写入	MT3S20		900毫W	UFM	-	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000			12分贝																		12V	80毫安		NPN		100@50mA，5V	7GHz			1.45dB@20mA，5V
2SC2873-Y(TE12L,ZC	0.4200	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA			500毫W	PW-MINI	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1,000																					50V	2A	100nA（ICBO）	NPN	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	120兆赫
CMG07(TE12L,Q,M)	-	询价	8148	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SOD-128	CMG07	标准		M-平 (2.4x3.8)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	CMG07(TE12LQM)	EAR99	8541.10.0080	3,000	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													400V		100纳秒		-	1A	-
SSM6J53FE(TE85L,F)	-	询价	2682	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6J53	MOSFET（金属O化物）		ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000		P沟道		20V	1.8A（塔）	1.5V、2.5V	136mOhm@1A，2.5V	1V@1mA	10.6nC@4V	±8V	568pF@10V	-	500毫W（塔）
SSM3J375F,LXHF	0.4900	询价	6	东芝半导体和存储	汽车、AEC-Q101、U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		MOSFET（金属O化物）		S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		20V	2A（塔）	1.5V、4.5V	150mOhm@1A，4.5V	1V@1mA	4.5V时为4.6nC	+6V、-8V	270pF@10V	-	600毫W（塔）
RN2413,LXHF	0.0645	询价	6865	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2413		200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	3,000																					50V	100毫安	100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	47欧姆
RN4907FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4907		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																					50V	100毫安	500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫、250兆赫	10k欧姆	47k欧姆
2SC6139,T2F(中	-	询价	7133	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SC6139		1W	MSTM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1																					160伏	1.5A	100nA（ICBO）	NPN	500毫伏@50毫安，500毫安	140@100mA，5V	100兆赫兹
RN4904FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN4904		100毫W	ES6	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000																					50V	100毫安	500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫、250兆赫	47k欧姆	47k欧姆
2SA1020-Y(T6FJT,AF	-	询价	7274	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SA1020		900毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	1																					50V	2A	1μA（ICBO）	国民党	500mV@50mA，1A	70@500mA，2V	100兆赫兹

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(2909)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²